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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
26301M29W200BB55N6TMEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 2 MBIT (256KB X8 O 128KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26302M29W200BB70M1MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 2 MBIT (256KB X8 O 128KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26303M29W200BB70M1T2 Mbit 256Kb x8 o 128Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26304M29W200BB70M6T2 Mbit 256Kb x8 o 128Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26305M29W200BB70N1MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 2 MBIT (256KB X8 O 128KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26306M29W200BB70N1TMEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 2 MBIT (256KB X8 O 128KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26307M29W200BB70N6MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 2 MBIT (256KB X8 O 128KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26308M29W200BB70N6T2 Mbit 256Kb x8 o 128Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26309M29W200BB90M1MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 2 MBIT (256KB X8 O 128KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26310M29W200BB90M1T2 Mbit 256Kb x8 o 128Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26311M29W200BB90M6T2 Mbit 256Kb x8 o 128Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26312M29W200BB90N1MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 2 MBIT (256KB X8 O 128KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26313M29W200BB90N1T2 Mbit 256Kb x8 o 128Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26314M29W200BB90N3TMEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 2 MBIT (256KB X8 O 128KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26315M29W200BB90N6MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 2 MBIT (256KB X8 O 128KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26316M29W200BB90N6T2 Mbit 256Kb x8 o 128Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26317M29W200BTMEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 2 MBIT (256KB X8 O 128KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26318M29W200BT120M1T2 Mbit 256Kb x8 o 128Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
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26327M29W200BT70M1MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 2 MBIT (256KB X8 O 128KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26328M29W200BT70M1T2 Mbit 256Kb x8 o 128Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26329M29W200BT70M6T2 Mbit 256Kb x8 o 128Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26330M29W200BT70N1MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 2 MBIT (256KB X8 O 128KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26331M29W200BT70N1T2 Mbit 256Kb x8 o 128Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26332M29W200BT70N6T2 Mbit 256Kb x8 o 128Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26333M29W200BT90M1T2 Mbit 256Kb x8 o 128Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26334M29W200BT90M6T2 Mbit 256Kb x8 o 128Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26335M29W200BT90N1T2 Mbit 256Kb x8 o 128Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26336M29W200BT90N6MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 2 MBIT (256KB X8 O 128KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26337M29W200BT90N6T2 Mbit 256Kb x8 o 128Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26338M29W32032 Mbit 4Mb x8 o 2Mb x16/memoria dell'istantaneo del rifornimento blocchetto 3V del caricamento del sistemaST Microelectronics
26339M29W320DB32 MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI MBIT (BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA DI 4MB X8 O DI 2MB X16) 3CVST Microelectronics
26340M29W320DB70N132 Mbit 4Mb x8 o 2Mb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento delblocchetto 3V del caricamento del sistemaST Microelectronics
26341M29W320DB70N1E32 Mbit 4Mb x8 o 2Mb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento delblocchetto 3V del caricamento del sistemaST Microelectronics
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26344M29W320DB70N632 MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI MBIT (BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA DI 4MB X8 O DI 2MB X16) 3CVST Microelectronics
26345M29W320DB70N6AT32 MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI MBIT (BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA DI 4MB X8 O DI 2MB X16) 3CVST Microelectronics
26346M29W320DB70N6E32 MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI MBIT (BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA DI 4MB X8 O DI 2MB X16) 3CVST Microelectronics
26347M29W320DB70N6F32 Mbit 4Mb x8 o 2Mb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento delblocchetto 3V del caricamento del sistemaST Microelectronics
26348M29W320DB70N6T32 MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI MBIT (BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA DI 4MB X8 O DI 2MB X16) 3CVST Microelectronics
26349M29W320DB70ZA132 Mbit 4Mb x8 o 2Mb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento delblocchetto 3V del caricamento del sistemaST Microelectronics
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26353M29W320DB70ZA632 MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI MBIT (BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA DI 4MB X8 O DI 2MB X16) 3CVST Microelectronics
26354M29W320DB70ZA6E32 MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI MBIT (BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA DI 4MB X8 O DI 2MB X16) 3CVST Microelectronics
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26366M29W320DB90N1E32 Mbit 4Mb x8 o 2Mb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento delblocchetto 3V del caricamento del sistemaST Microelectronics
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26369M29W320DB90N632 MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI MBIT (BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA DI 4MB X8 O DI 2MB X16) 3CVST Microelectronics
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26388M29W320DT32 MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI MBIT (BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA DI 4MB X8 O DI 2MB X16) 3CVST Microelectronics
26389M29W320DT70N132 Mbit 4Mb x8 o 2Mb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento delblocchetto 3V del caricamento del sistemaST Microelectronics
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26391M29W320DT70N1F32 Mbit 4Mb x8 o 2Mb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento delblocchetto 3V del caricamento del sistemaST Microelectronics
26392M29W320DT70N1T32 Mbit 4Mb x8 o 2Mb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento delblocchetto 3V del caricamento del sistemaST Microelectronics
26393M29W320DT70N632 MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI MBIT (BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA DI 4MB X8 O DI 2MB X16) 3CVST Microelectronics
26394M29W320DT70N6E32 MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI MBIT (BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA DI 4MB X8 O DI 2MB X16) 3CVST Microelectronics
26395M29W320DT70N6F32 MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI MBIT (BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA DI 4MB X8 O DI 2MB X16) 3CVST Microelectronics
26396M29W320DT70N6T32 MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI MBIT (BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA DI 4MB X8 O DI 2MB X16) 3CVST Microelectronics
26397M29W320DT70ZA132 Mbit 4Mb x8 o 2Mb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento delblocchetto 3V del caricamento del sistemaST Microelectronics
26398M29W320DT70ZA1E32 Mbit 4Mb x8 o 2Mb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento delblocchetto 3V del caricamento del sistemaST Microelectronics
26399M29W320DT70ZA1F32 Mbit 4Mb x8 o 2Mb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento delblocchetto 3V del caricamento del sistemaST Microelectronics
26400M29W320DT70ZA1T32 Mbit 4Mb x8 o 2Mb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento delblocchetto 3V del caricamento del sistemaST Microelectronics




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