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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
26501M29W320ET90ZE6F32 memoria dell'istantaneo del rifornimento di Mbit (4Mb x8 o 2Mb x16, blocchetto del caricamento del sistema) 3VST Microelectronics
26502M29W320ET90ZE6T32 memoria dell'istantaneo del rifornimento di Mbit (4Mb x8 o 2Mb x16, blocchetto del caricamento del sistema) 3VST Microelectronics
26503M29W4004 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16/memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26504M29W400BNON PER IL NUOVO DISEGNO - MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 4 MBIT (512KB X8 O 256KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26505M29W400B-100M1R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26506M29W400B-100M1TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26507M29W400B-100M5R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26508M29W400B-100M5TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26509M29W400B-100M6R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26510M29W400B-100M6TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26511M29W400B-100N1R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26512M29W400B-100N1TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26513M29W400B-100N5R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26514M29W400B-100N5TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26515M29W400B-100N6R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26516M29W400B-100N6TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26517M29W400B-100ZA1R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26518M29W400B-100ZA1TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26519M29W400B-100ZA5R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26520M29W400B-100ZA5TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26521M29W400B-100ZA6R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26522M29W400B-100ZA6TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26523M29W400B-120M1R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26524M29W400B-120M1TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26525M29W400B-120M5R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26526M29W400B-120M5TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26527M29W400B-120M6R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26528M29W400B-120M6TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26529M29W400B-120N1R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26530M29W400B-120N1TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26531M29W400B-120N5R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26532M29W400B-120N5TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26533M29W400B-120N6R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26534M29W400B-120N6TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26535M29W400B-120ZA1R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26536M29W400B-120ZA1TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26537M29W400B-120ZA5R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26538M29W400B-120ZA5TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26539M29W400B-120ZA6R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26540M29W400B-120ZA6TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26541M29W400B-150M1R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26542M29W400B-150M1TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26543M29W400B-150M5R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26544M29W400B-150M5TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26545M29W400B-150M6R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26546M29W400B-150M6TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26547M29W400B-150N1R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26548M29W400B-150N1TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26549M29W400B-150N5R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26550M29W400B-150N5TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26551M29W400B-150N6R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26552M29W400B-150N6TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26553M29W400B-150ZA1R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26554M29W400B-150ZA1TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26555M29W400B-150ZA5R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26556M29W400B-150ZA5TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26557M29W400B-150ZA6R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26558M29W400B-150ZA6TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26559M29W400B-90M1R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26560M29W400B-90M1TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26561M29W400B-90M5R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26562M29W400B-90M5TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26563M29W400B-90M6R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26564M29W400B-90M6TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26565M29W400B-90N1R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26566M29W400B-90N1TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26567M29W400B-90N5R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26568M29W400B-90N5TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26569M29W400B-90N6R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26570M29W400B-90N6TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26571M29W400B-90ZA1R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26572M29W400B-90ZA1TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26573M29W400B-90ZA5R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26574M29W400B-90ZA5TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26575M29W400B-90ZA6R4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26576M29W400B-90ZA6TR4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26577M29W400BBMEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 4 MBIT (512KB X8 O 256KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26578M29W400BB120M1memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 4 Mbit (512Kb x8 o 256Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaST Microelectronics
26579M29W400BB120M1T4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26580M29W400BB120M1Tmemoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 4 Mbit (512Kb x8 o 256Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaST Microelectronics
26581M29W400BB120M6memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 4 Mbit (512Kb x8 o 256Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaST Microelectronics
26582M29W400BB120M6T4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26583M29W400BB120M6Tmemoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 4 Mbit (512Kb x8 o 256Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaST Microelectronics
26584M29W400BB120N1memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 4 Mbit (512Kb x8 o 256Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaST Microelectronics
26585M29W400BB120N1T4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26586M29W400BB120N1Tmemoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 4 Mbit (512Kb x8 o 256Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaST Microelectronics
26587M29W400BB120N6MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 4 MBIT (512KB X8 O 256KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26588M29W400BB120N6T4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26589M29W400BB120N6Tmemoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 4 Mbit (512Kb x8 o 256Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaST Microelectronics
26590M29W400BB120ZA1memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 4 Mbit (512Kb x8 o 256Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaST Microelectronics
26591M29W400BB120ZA1Tmemoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 4 Mbit (512Kb x8 o 256Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaST Microelectronics
26592M29W400BB120ZA6memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 4 Mbit (512Kb x8 o 256Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaST Microelectronics
26593M29W400BB120ZA6Tmemoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 4 Mbit (512Kb x8 o 256Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaST Microelectronics
26594M29W400BB55M1MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 4 MBIT (512KB X8 O 256KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26595M29W400BB55M1Tmemoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 4 Mbit (512Kb x8 o 256Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaST Microelectronics
26596M29W400BB55M1T4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
26597M29W400BB55M3MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 4 MBIT (512KB X8 O 256KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLAST Microelectronics
26598M29W400BB55M6memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 4 Mbit (512Kb x8 o 256Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaST Microelectronics
26599M29W400BB55M6T4 Mbit 512Kb x8 o 256Kb x16, memoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics



26600M29W400BB55M6Tmemoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 4 Mbit (512Kb x8 o 256Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaST Microelectronics

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