| Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 3001 | HN3C13FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3002 | HN3C14 | TIPO PLANARE EPITASSIALE DI NPN (APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA DI VHF~uhf) | TOSHIBA |
| 3003 | HN3C14F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3004 | HN3C14FT | APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA PLANARE EPITASSIALE DEL TIPO VHF~uhf DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
| 3005 | HN3C14FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3006 | HN3C15F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3007 | HN3C15FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3008 | HN3C16F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3009 | HN3C16FT | Nuovi Prodotti di Rf | TOSHIBA |
| 3010 | HN3C16FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3011 | HN3C17F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3012 | HN3C17FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3013 | HN3C18F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3014 | HN3C18FT | Nuovi Prodotti di Rf | TOSHIBA |
| 3015 | HN3C18FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3016 | HN3C51F | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 3017 | HN3C56FU | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 3018 | HN3C67FE | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 3019 | HN3G01 | TRANSISTORE EPITASSIALE Del TIPO Del SILICONE NPN Del Fet Del TIPO Della GIUNZIONE Della MANICA Di N | TOSHIBA |
| 3020 | HN3G01J | TRANSISTORE EPITASSIALE Del TIPO Del SILICONE NPN Del Fet Del TIPO Della GIUNZIONE Della MANICA Di N | TOSHIBA |
| 3021 | HN4A06J | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 3022 | HN4A08J | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 3023 | HN4A51J | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 3024 | HN4A56JU | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 3025 | HN4B01JE | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 3026 | HN4B04J | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 3027 | HN4B06J | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 3028 | HN4B101J | Transistore di potenza per applicazioni di commutazione ad alta velocitą | TOSHIBA |
| 3029 | HN4B102J | Transistore di potenza per applicazioni di commutazione ad alta velocitą | TOSHIBA |
| 3030 | HN4C05JU | Multi domande per tutti gli usi discrete dell'amplificatore di frequenza audio del dispositivo del circuito integrato di applicazioni muting e di commutazioni | TOSHIBA |
| 3031 | HN4C06J | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 3032 | HN4C51J | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 3033 | HN4D01JU | Diodo di commutazione | TOSHIBA |
| 3034 | HN4D02JU | Diodo di commutazione | TOSHIBA |
| 3035 | HN4K03JU | Applicazioni Analog Dell'Interruttore Di Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione Del Tipo del MOS Della Manica Del Silicone N Del Transistore Di Effetto Di Campo | TOSHIBA |
| 3036 | HN7G01FU | Multi Applicazione Dei Circuiti Discreta Dell'Interfaccia Di Applicazione Dei Circuiti Del Driver Di Applicazione Dell'Interruttore Dell'Amministrazione Di Alimentazione Del Dispositivo Del Circuito integrato | TOSHIBA |
| 3037 | HN7G02FU | Multi applicazione discreta dell'interruttore dell'amministrazione di alimentazione del dispositivo del circuito integrato, applicazione dei circuiti dell'invertitore, applicazione dei circuiti del driver ed applicazione dei circuiti dell' | TOSHIBA |
| 3038 | HN9C01FE | APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA PLANARE EPITASSIALE DEL TIPO VHF~uhf DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
| 3039 | HN9C01FT | APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA PLANARE EPITASSIALE DEL TIPO VHF~uhf DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
| 3040 | HN9C09FT | APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA PLANARE EPITASSIALE DEL TIPO VHF~uhf DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
| 3041 | HN9C14FT | APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA PLANARE EPITASSIALE DEL TIPO VHF~uhf DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
| 3042 | HN9C15FT | APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA PLANARE EPITASSIALE DEL TIPO VHF~uhf DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
| 3043 | HN9C22FT | APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA PLANARE EPITASSIALE DEL TIPO VHF~uhf DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
| 3044 | IK-540A | Macchina fotografica Di Toshiba Ik-540a | TOSHIBA |
| 3045 | JBT6K47-AS | Driver di fonte per i pannelli di TFT LCD | TOSHIBA |
| 3046 | JBT6K48-AS | Driver del cancello per il pannello di TFT LCD | TOSHIBA |
| 3047 | JBT6K49-AS | IC del gruppo di alimentazione per i pannelli di TFT LCD | TOSHIBA |
| 3048 | JBT6L77-AS | Driver di fonte per i pannelli di TFT LCD | TOSHIBA |
| 3049 | JBT6L78-AS | Driver del cancello per il pannello di TFT LCD | TOSHIBA |
| 3050 | JBT6N81S | Sistema monochip LSI per la scheda di RFID | TOSHIBA |
| 3051 | JBTC94B12-AS | Microfono per Digital ECM | TOSHIBA |
| 3052 | JDH2S01FS | Ad alta frequenza Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
| 3053 | JDH2S01T | Miscelatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA Della Fascia Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della Barriera | TOSHIBA |
| 3054 | JDH2S02FS | Ad alta frequenza Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
| 3055 | JDH2S02SC | Ad alta frequenza Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
| 3056 | JDH3D01FV | Ad alta frequenza Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
| 3057 | JDH3D01S | Ad alta frequenza Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
| 3058 | JDP2S01AFS | Applicazioni Epitassiali Dell'Interruttore Della Fascia Rf Del Tipo UHF~vhf del PERNO Del Silicone del DIODO | TOSHIBA |
| 3059 | JDP2S01E | Applicazioni Epitassiali Dell'Attenuatore Della Fascia Rf Del Tipo UHF~vhf Del Perno Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 3060 | JDP2S01S | Applicazioni Epitassiali Dell'Attenuatore Della Fascia Rf Del Tipo UHF~vhf Del Perno Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 3061 | JDP2S01T | Applicazioni Epitassiali Dell'Attenuatore Della Fascia Rf Del Tipo UHF~vhf Del Perno Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 3062 | JDP2S01U | Applicazioni Epitassiali Dell'Attenuatore Della Fascia Rf Del Tipo UHF~vhf Del Perno Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 3063 | JDP2S02ACT | Diodo di commutazione radiofrequenza | TOSHIBA |
| 3064 | JDP2S02AFS | Applicazioni Epitassiali Dell'Attenuatore Della Fascia Rf Del Tipo UHF~vhf Del Perno Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 3065 | JDP2S02S | Applicazioni Epitassiali Dell'Attenuatore Della Fascia Rf Del Tipo UHF~vhf Del Perno Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 3066 | JDP2S02T | Applicazioni Epitassiali Dell'Attenuatore Della Fascia Rf Del Tipo UHF~vhf Del Perno Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 3067 | JDP2S04E | Applicazioni Epitassiali Dell'Attenuatore Della Fascia Rf Del Tipo UHF~vhf Del Perno Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 3068 | JDP2S05SC | Diodo di commutazione radiofrequenza | TOSHIBA |
| 3069 | JDP2S08SC | Diodo di commutazione radiofrequenza | TOSHIBA |
| 3070 | JDP2S12CR | Diodo di commutazione radiofrequenza | TOSHIBA |
| 3071 | JDP3C02AU | Diodo di commutazione radiofrequenza | TOSHIBA |
| 3072 | JDP3C04TU | Diodo di commutazione radiofrequenza | TOSHIBA |
| 3073 | JDP4P02AT | Diodo di commutazione radiofrequenza | TOSHIBA |
| 3074 | JDP4P02U | Applicazioni Epitassiali Dell'Attenuatore Della Fascia Rf Del Tipo UHF~vhf Del Perno Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 3075 | JDS2S03S | Applicazioni Planari Epitassiali Dell'Interruttore Della Fascia Del Sintonizzatore di VHF Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 3076 | JDV2S01E | Tipo planare epitassiale VCO del silicone del diodo per la fascia A FREQUENZA ULTRAELEVATA | TOSHIBA |
| 3077 | JDV2S01S | Tipo planare epitassiale VCO del silicone del diodo per la fascia A FREQUENZA ULTRAELEVATA | TOSHIBA |
| 3078 | JDV2S02E | Tipo planare epitassiale del silicone del diodo, VCO per la fascia A FREQUENZA ULTRAELEVATA | TOSHIBA |
| 3079 | JDV2S02S | Tipo planare epitassiale VCO del silicone del diodo per la fascia A FREQUENZA ULTRAELEVATA | TOSHIBA |
| 3080 | JDV2S05E | Tipo planare epitassiale VCO del silicone del diodo per la fascia A FREQUENZA ULTRAELEVATA | TOSHIBA |
| 3081 | JDV2S05S | Tipo planare epitassiale VCO del silicone del diodo per la fascia A FREQUENZA ULTRAELEVATA | TOSHIBA |
| 3082 | JDV2S06S | Tipo planare epitassiale del silicone del diodo, VCO per la radio A FREQUENZA ULTRAELEVATA della fascia | TOSHIBA |
| 3083 | JDV2S07FS | Capacitą del diodo variabile per ottimizzare le applicazioni elettroniche | TOSHIBA |
| 3084 | JDV2S07S | Tipo planare epitassiale VCO del silicone del diodo per la radio A FREQUENZA ULTRAELEVATA della fascia | TOSHIBA |
| 3085 | JDV2S08S | Tipo planare epitassiale VCO del silicone del diodo per la radio A FREQUENZA ULTRAELEVATA della fascia | TOSHIBA |
| 3086 | JDV2S09FS | Capacitą del diodo variabile per ottimizzare le applicazioni elettroniche | TOSHIBA |
| 3087 | JDV2S09S | Tipo planare epitassiale VCO del silicone del diodo per la radio A FREQUENZA ULTRAELEVATA della fascia | TOSHIBA |
| 3088 | JDV2S10FS | Capacitą del diodo variabile per ottimizzare le applicazioni elettroniche | TOSHIBA |
| 3089 | JDV2S10S | Tipo planare epitassiale VCO del silicone del diodo per la radio A FREQUENZA ULTRAELEVATA della fascia | TOSHIBA |
| 3090 | JDV2S10T | Tipo planare epitassiale VCO del silicone del diodo per la radio A FREQUENZA ULTRAELEVATA della fascia | TOSHIBA |
| 3091 | JDV2S13S | Tipo planare epitassiale VCO del silicone del diodo per la radio A FREQUENZA ULTRAELEVATA della fascia | TOSHIBA |
| 3092 | JDV2S14E | Tipo planare epitassiale del silicone del diodo utile per VCO/tcxo | TOSHIBA |
| 3093 | JDV2S36E | Capacitą del diodo variabile per ottimizzare le applicazioni elettroniche | TOSHIBA |
| 3094 | JDV2S41FS | Capacitą del diodo variabile per ottimizzare le applicazioni elettroniche | TOSHIBA |
| 3095 | JDV3C11 | Applicazioni di sintonia elettroniche del tipo planare epitassiale del silicone del diodo delle riceventi di FM | TOSHIBA |
| 3096 | JDV4P08U | Tipo planare epitassiale VCO del silicone del diodo per la radio A FREQUENZA ULTRAELEVATA della fascia | TOSHIBA |
| 3097 | JT6A11AX-AS | LSI DEL CIRCUITO INTEGRATO DI CMOS 1 PER LCD SLECTRONIC CALCUTATOR | TOSHIBA |
| 3098 | JT6A36X-AS | TĆ36S, LSI monochip di Jtć36x-as CMOS per il calcolatore del LCD | TOSHIBA |
| 3099 | JT6F18-AS | T6F18, LSI monochip di Jt6f18-as CMOS per il calcolatore del LCD | TOSHIBA |
| 3100 | JT6F19-AS | T6F19, LSI monochip di Jt6f19-as CMOS per il calcolatore del LCD | TOSHIBA |
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