Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
3501 | MT6P04AT | Applicazione Bassa Dell'Amplificatore Per la misurazione del rumore Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore Della Fascia Planare Epitassiale Di VHF-frequenza ultraelevata | TOSHIBA |
3502 | MT6P06E | Applicazione Bassa Dell'Amplificatore Per la misurazione del rumore Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore Della Fascia Planare Epitassiale Di VHF-frequenza ultraelevata | TOSHIBA |
3503 | MT6P06T | Applicazione Bassa Dell'Amplificatore Per la misurazione del rumore Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore Della Fascia Planare Epitassiale Di VHF-frequenza ultraelevata | TOSHIBA |
3504 | MT6P07E | Applicazione Bassa Dell'Amplificatore Per la misurazione del rumore Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore Della Fascia Planare Epitassiale Di VHF-frequenza ultraelevata | TOSHIBA |
3505 | MT6P07T | Applicazione Bassa Dell'Amplificatore Per la misurazione del rumore Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore Della Fascia Planare Epitassiale Di VHF-frequenza ultraelevata | TOSHIBA |
3506 | MT8986AE | Interruttore Di Digital Multiplo Di Tasso Della Famigliadi Cmos ST-BUS | TOSHIBA |
3507 | MT8986AL | Interruttore Di Digital Multiplo Di Tasso Della Famigliadi Cmos ST-BUS | TOSHIBA |
3508 | MT8986AP | Interruttore Di Digital Multiplo Di Tasso Della Famigliadi Cmos ST-BUS | TOSHIBA |
3509 | MT8986AP1 | Interruttore Di Digital Multiplo Di Tasso Della Famigliadi Cmos ST-BUS | TOSHIBA |
3510 | MT8986APR | Interruttore Di Digital Multiplo Di Tasso Della Famigliadi Cmos ST-BUS | TOSHIBA |
3511 | MT8986APR1 | Interruttore Di Digital Multiplo Di Tasso Della Famigliadi Cmos ST-BUS | TOSHIBA |
3512 | OR8GU41 | TIPO DIFFUSO (APPLICAZIONI AD ALTA VELOCITŔ DI RADDRIZZATORE) | TOSHIBA |
3513 | P1001A | IC INFRAROSSO DI THSHIBA PHOTOINTERRUPTER LED+PHOTO | TOSHIBA |
3514 | P100A | IC INFRAROSSO DI THSHIBA PHOTOINTERRUPTER LED+PHOTO | TOSHIBA |
3515 | P1014 | IC INFRAROSSO DI TOSHIBA PHOTOINTERRUPTER LED+PHOTO | TOSHIBA |
3516 | P1015 | IC INFRAROSSO DI TOSHIBA PHOTOINTERRUPTER LED+PHOTO | TOSHIBA |
3517 | PA75358CP | SILICONE MONOLITICO (AMPLIFICATORE DOPPIO DI POERATIONAL) | TOSHIBA |
3518 | PAL20L8 | PORTA AL SILICIO DEL CIRCUITO DEL MOS DIGITAL INTERGRATED CMOS | TOSHIBA |
3519 | PAL20R4 | PORTA AL SILICIO DEL CIRCUITO DEL MOS DIGITAL INTERGRATED CMOS | TOSHIBA |
3520 | PAL20R6 | PORTA AL SILICIO DEL CIRCUITO DEL MOS DIGITAL INTERGRATED CMOS | TOSHIBA |
3521 | PAL20R8 | PORTA AL SILICIO DEL CIRCUITO DEL MOS DIGITAL INTERGRATED CMOS | TOSHIBA |
3522 | PGU1008A(T05) | Indicatore Del Circuito Del Pannello - Lampade del LED | TOSHIBA |
3523 | RFM00U7U | MOSFET di potenza a radiofrequenza | TOSHIBA |
3524 | RFM01U7P | MOSFET di potenza a radiofrequenza | TOSHIBA |
3525 | RFM03U3CT | MOSFET di potenza a radiofrequenza | TOSHIBA |
3526 | RFM04U6P | MOSFET di potenza a radiofrequenza | TOSHIBA |
3527 | RFM07U7X | MOSFET di potenza a radiofrequenza | TOSHIBA |
3528 | RFM08U9X | MOSFET di potenza a radiofrequenza | TOSHIBA |
3529 | RFM12U7X | MOSFET di potenza a radiofrequenza | TOSHIBA |
3530 | RN1001 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3531 | RN1002 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3532 | RN1003 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3533 | RN1004 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3534 | RN1005 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3535 | RN1006 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3536 | RN1007 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3537 | RN1008 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3538 | RN1009 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3539 | RN1010 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3540 | RN1011 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3541 | RN1101 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3542 | RN1101ACT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3543 | RN1101CT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3544 | RN1101F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3545 | RN1101FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
3546 | RN1101MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3547 | RN1102 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3548 | RN1102ACT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3549 | RN1102CT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3550 | RN1102F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3551 | RN1102FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
3552 | RN1102MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3553 | RN1103 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3554 | RN1103ACT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3555 | RN1103CT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3556 | RN1103F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3557 | RN1103FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
3558 | RN1103MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3559 | RN1104 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3560 | RN1104ACT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3561 | RN1104CT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3562 | RN1104F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3563 | RN1104FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
3564 | RN1104MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3565 | RN1105 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3566 | RN1105ACT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3567 | RN1105CT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3568 | RN1105F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3569 | RN1105FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
3570 | RN1105MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3571 | RN1106 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3572 | RN1106ACT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3573 | RN1106CT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3574 | RN1106F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3575 | RN1106FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
3576 | RN1106MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3577 | RN1107 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3578 | RN1107ACT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3579 | RN1107CT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3580 | RN1107F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3581 | RN1107FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
3582 | RN1107MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3583 | RN1108 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3584 | RN1108ACT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3585 | RN1108CT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3586 | RN1108F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3587 | RN1108FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
3588 | RN1108MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3589 | RN1109 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3590 | RN1109ACT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3591 | RN1109CT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3592 | RN1109F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3593 | RN1109FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
3594 | RN1109MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3595 | RN1110 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3596 | RN1110CT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3597 | RN1110F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
3598 | RN1110FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
3599 | RN1110MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
3600 | RN1111 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
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