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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
2601SMBJ5943DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 56 V. Courant d'essai de 6,7 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2602SMBJ5944DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2603SMBJ5944AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 62 V. Courant d'essai de 6,0 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2604SMBJ5944BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 62 V. Courant d'essai de 6,0 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2605SMBJ5944CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 62 V. Courant d'essai de 6,0 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2606SMBJ5944DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 62 V. Courant d'essai de 6,0 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2607SMBJ5945DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2608SMBJ5945AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 68 V. Courant d'essai de 5,5 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2609SMBJ5945BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 68 V. Courant d'essai de 5,5 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2610SMBJ5945CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 68 V. Courant d'essai de 5,5 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2611SMBJ5945DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 68 V. Courant d'essai de 5,5 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2612SMBJ5946DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2613SMBJ5946AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 75 V. Courant d'essai de 5,0 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2614SMBJ5946BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 75 V. Courant d'essai de 5,0 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2615SMBJ5946CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 75 V. Courant d'essai de 5,0 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2616SMBJ5946DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 75 V. Courant d'essai de 5,0 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2617SMBJ5947DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2618SMBJ5947AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 82 V. Courant d'essai de 4,6 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2619SMBJ5947BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 82 V. Courant d'essai de 4,6 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2620SMBJ5947CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 82 V. Courant d'essai de 4,6 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2621SMBJ5947DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 82 V. Courant d'essai de 4,6 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2622SMBJ5948DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2623SMBJ5948AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 91 V. Courant d'essai de 4,1 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2624SMBJ5948BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 91 V. Courant d'essai de 4,1 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2625SMBJ5948CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 91 V. Courant d'essai de 4,1 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2626SMBJ5948DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 91 V. Courant d'essai de 4,1 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2627SMBJ5949DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2628SMBJ5949AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 100 V. Courant d'essai de 3,7 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2629SMBJ5949BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 100 V. Courant d'essai de 3,7 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device



2630SMBJ5949CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 100 V. Courant d'essai de 3,7 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2631SMBJ5949DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 100 V. Courant d'essai de 3,7 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2632SMBJ5950DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2633SMBJ5950AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 110 V. Courant d'essai de 3,4 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2634SMBJ5950BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 110 V. Courant d'essai de 3,4 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2635SMBJ5950CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 110 V. Courant d'essai de 3,4 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2636SMBJ5950DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 110 V. Courant d'essai de 3,4 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2637SMBJ5951DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2638SMBJ5951AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 120 V. Courant d'essai de 3,1 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2639SMBJ5951BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 120 V. Courant d'essai de 3,1 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2640SMBJ5951CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 120 V. Courant d'essai de 3,1 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2641SMBJ5951DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 120 V. Courant d'essai de 3,1 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2642SMBJ5952DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2643SMBJ5952AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 130 V. Courant d'essai de 2,9 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2644SMBJ5952BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 130 V. Courant d'essai de 2,9 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2645SMBJ5952CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 130 V. Courant d'essai de 2,9 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2646SMBJ5952DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 130 V. Courant d'essai de 2,9 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2647SMBJ5953DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2648SMBJ5953AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 150 V. Courant d'essai de 2,5 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2649SMBJ5953BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 150 V. Courant d'essai de 2,5 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2650SMBJ5953CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 150 V. Courant d'essai de 2,5 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device

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