| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 2351 | NTE5963 | Diode De Redresseur De Puissance De Silicium, 25 Ampères | NTE Electronics |
| 2352 | NTE5966 | Diode De Redresseur De Puissance De Silicium, 25 Ampères | NTE Electronics |
| 2353 | NTE5967 | Diode De Redresseur De Puissance De Silicium, 25 Ampères | NTE Electronics |
| 2354 | NTE597 | Redresseur De Silicium Ultra Rapide, 200V, Å | NTE Electronics |
| 2355 | NTE598 | Redresseur De Silicium Ultra Rapide, 600V, Å | NTE Electronics |
| 2356 | NTE5980 | Diode De Redresseur De Puissance De Silicium, 40 Ampères | NTE Electronics |
| 2357 | NTE5981 | puissance de diode redresseur au silicium. Anode de cas. Max crête répétitif tension inverse 50V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2358 | NTE5982 | puissance de diode redresseur au silicium. Cathode de cas. Max crête répétitif tension inverse 100V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2359 | NTE5983 | puissance de diode redresseur au silicium. Anode de cas. Max crête répétitif tension inverse 100V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2360 | NTE5986 | puissance de diode redresseur au silicium. Cathode de cas. Max crête répétitif tension inverse 200V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2361 | NTE5987 | puissance de diode redresseur au silicium. Anode de cas. Max crête répétitif tension inverse 200V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2362 | NTE5988 | puissance de diode redresseur au silicium. Cathode de cas. Max crête répétitif tension inverse 300V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2363 | NTE5989 | puissance de diode redresseur au silicium. Anode de cas. Max crête répétitif tension inverse 300V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2364 | NTE599 | Redresseur De Silicium Ultra Rapide, 200V, 1Ä | NTE Electronics |
| 2365 | NTE5990 | puissance de diode redresseur au silicium. Cathode de cas. Max crête répétitif tension inverse 400V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2366 | NTE5991 | puissance de diode redresseur au silicium. Anode de cas. Max crête répétitif tension inverse 400V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2367 | NTE5992 | puissance de diode redresseur au silicium. Cathode de cas. Max crête répétitif tension inverse 500V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2368 | NTE5993 | puissance de diode redresseur au silicium. Anode de cas. Max crête répétitif tension inverse 500V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2369 | NTE5994 | puissance de diode redresseur au silicium. Cathode de cas. Max crête répétitif tension inverse 600V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2370 | NTE5995 | puissance de diode redresseur au silicium. Anode de cas. Max crête répétitif tension inverse 600V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2371 | NTE5998 | puissance de diode redresseur au silicium. Cathode de cas. Max crête répétitif tension inverse 800V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2372 | NTE5999 | puissance de diode redresseur au silicium. Anode de cas. Max crête répétitif tension inverse 800V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2373 | NTE60 | Acoustique complémentaire de puissance élevée de transistors de silicium, positionneur principal de disque pour des applications linéaires | NTE Electronics |
| 2374 | NTE6002 | puissance de diode redresseur au silicium. Cathode de cas. Max crête répétitif tension inverse 1000V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2375 | NTE6003 | puissance de diode redresseur au silicium. Anode de cas. Max crête répétitif tension inverse 1000V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2376 | NTE6004 | puissance de diode redresseur au silicium. Cathode de cas. Max crête répétitif tension inverse 1600V. Moyenne 40A courant direct. | NTE Electronics |
| 2377 | NTE6005 | Diode De Redresseur De Puissance De Silicium, 40 Ampères | NTE Electronics |
| 2378 | NTE6006 | Redresseur Rapide De Rétablissement, 40A, 200ns | NTE Electronics |
| 2379 | NTE6007 | Rapide redresseur de récupération, de 200 ns. Anode de cas. Crête répétitif 200V de tension inverse. Moyenne 40A courant avant rectifié. | NTE Electronics |
| 2380 | NTE6008 | Rapide redresseur de récupération, de 200 ns. Cathode de cas. Crête répétitif 400V de tension inverse. Moyenne 40A courant avant rectifié. | NTE Electronics |
| 2381 | NTE6009 | Rapide redresseur de récupération, de 200 ns. Anode de cas. Crête répétitif 400V de tension inverse. Moyenne 40A courant avant rectifié. | NTE Electronics |
| 2382 | NTE601 | Diode Compensatrice De la Température De Varistance De Silicium | NTE Electronics |
| 2383 | NTE6010 | Rapide redresseur de récupération, de 200 ns. Cathode de cas. Crête répétitif 600V de tension inverse. Moyenne 40A courant avant rectifié. | NTE Electronics |
| 2384 | NTE6011 | Redresseur Rapide De Rétablissement, 40A, 200ns | NTE Electronics |
| 2385 | NTE6013 | Redresseur Industriel De Silicium 20 Ampères | NTE Electronics |
| 2386 | NTE6020 | Redresseur De Silicium Industriel, 60A | NTE Electronics |
| 2387 | NTE6021 | Recfifier de silicium industrielle. Anode de cas. Max crête répétitif 50V de tension inverse. Moyenne Max 60A courant direct. | NTE Electronics |
| 2388 | NTE6022 | Recfifier de silicium industrielle. Cathode de cas. Max crête répétitif 100V de tension inverse. Moyenne Max 60A courant direct. | NTE Electronics |
| 2389 | NTE6023 | Recfifier de silicium industrielle. Anode de cas. Max crête répétitif 100V de tension inverse. Moyenne Max 60A courant direct. | NTE Electronics |
| 2390 | NTE6026 | Recfifier de silicium industrielle. Cathode de cas. Max crête répétitif 200V de tension inverse. Moyenne Max 60A courant direct. | NTE Electronics |
| 2391 | NTE6027 | Recfifier de silicium industrielle. Anode de cas. Max crête répétitif 200V de tension inverse. Moyenne Max 60A courant direct. | NTE Electronics |
| 2392 | NTE6030 | Recfifier de silicium industrielle. Cathode de cas. Max crête répétitif de 300V de tension inverse. Moyenne Max 60A courant direct. | NTE Electronics |
| 2393 | NTE6031 | Recfifier de silicium industrielle. Anode de cas. Max crête répétitif de 300V de tension inverse. Moyenne Max 60A courant direct. | NTE Electronics |
| 2394 | NTE6032 | Diode De Redresseur De Puissance De Silicium, 40 Ampères | NTE Electronics |
| 2395 | NTE6033 | Diode De Redresseur De Puissance De Silicium, 40 Ampères | NTE Electronics |
| 2396 | NTE6034 | Recfifier de silicium industrielle. Cathode de cas. Max crête répétitif de 400V de tension inverse. Moyenne Max 60A courant direct. | NTE Electronics |
| 2397 | NTE6035 | Recfifier de silicium industrielle. Anode de cas. Max crête répétitif de 400V de tension inverse. Moyenne Max 60A courant direct. | NTE Electronics |
| 2398 | NTE6036 | Diode De Redresseur De Puissance De Silicium, 85 Ampères | NTE Electronics |
| 2399 | NTE6037 | Diode De Redresseur De Puissance De Silicium, 85 Ampères | NTE Electronics |
| 2400 | NTE6038 | Recfifier de silicium industrielle. Cathode de cas. Max crête répétitif de 500V de tension inverse. Moyenne Max 60A courant direct. | NTE Electronics |
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