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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
28201MGB15N35CLAllumage IGBT 15 Ampères, 350 VoltsON Semiconductor
28202MGB15N35CLT4Allumage IGBT 15 Ampères, 350 VoltsON Semiconductor
28203MGB15N40CLAllumage IGBT 15 Ampères, 410 VoltsON Semiconductor
28204MGB15N40CLT4Allumage IGBT 15 Ampères, 410 VoltsON Semiconductor
28205MGB19N35CLAllumage IGBT 19 Ampères, 350 VoltsON Semiconductor
28206MGB19N35CLT4Allumage IGBT 19 Ampères, 350 VoltsON Semiconductor
28207MGC15N35CLN-Canal Intérieurement Maintenu IGBTON Semiconductor
28208MGC15N40CLN-Canal Intérieurement Maintenu IGBTON Semiconductor
28209MGP11N60E-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
28210MGP11N60EDSur-tension ÉVALUÉE de CIRCUIT COURT BASSEON Semiconductor
28211MGP11N60ED-DTransistor bipolaire isolé de porte avec la porte de silicium Anti-Parallèle de Perfectionnement-Mode de N-Canal de diodeON Semiconductor
28212MGP14N60E-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
28213MGP15N35CLAllumage IGBT 15 Ampères, 350 VoltsON Semiconductor
28214MGP15N35CL-DAllumage IGBT 15 ampères, 350 volts de N-Canal To-220 et D2PAKON Semiconductor
28215MGP15N38CLN-Canal Intérieurement Maintenu IGBTON Semiconductor
28216MGP15N38CL-DAllumage IGBT 15 ampères, 380 volts de N-Canal To-220 et D2PAKON Semiconductor
28217MGP15N40CLAllumage IGBT 15 Ampères, 410 VoltsON Semiconductor
28218MGP15N40CL-DAllumage IGBT 15 ampères, 410 volts de N-Canal To-220 et D2PAKON Semiconductor
28219MGP15N43CLN-Canal Intérieurement Maintenu IGBTON Semiconductor
28220MGP15N43CL-DAllumage IGBT 15 ampères, 430 volts de N-Canal To-220 et D2PAKON Semiconductor
28221MGP15N60U-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
28222MGP19N35CLAllumage IGBT 19 Ampères, 350 VoltsON Semiconductor
28223MGP19N35CL-DAllumage IGBT 19 ampères, 350 volts de N-Canal To-220 et D2PAKON Semiconductor
28224MGP20N14CL-DSMARTDISCRETES Intérieurement Maintenu, N-Canal IGBTON Semiconductor
28225MGP20N35CL-DSMARTDISCRETES Intérieurement Maintenu, N-Canal IGBTON Semiconductor
28226MGP20N40CL-DSMARTDISCRETES Intérieurement Maintenu, N-Canal IGBTON Semiconductor
28227MGP20N60U-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
28228MGP21N60E-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
28229MGP4N60E-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
28230MGP4N60EDTransistor bipolaire isolé de porte avec la diode Anti-ParallèleON Semiconductor
28231MGP4N60ED-DTransistor bipolaire isolé de porte avec la porte de silicium Anti-Parallèle de Perfectionnement-Mode de N-Canal de diodeON Semiconductor
28232MGP7N60E-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
28233MGP7N60EDDiode Anti-Parallèle isolée de withr bipolaire de transistor de porteON Semiconductor
28234MGP7N60ED-DTransistor bipolaire isolé de porte avec la porte de silicium Anti-Parallèle de Perfectionnement-Mode de N-Canal de diodeON Semiconductor
28235MGS05N60D-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
28236MGS13002DInsulated Gate Bipolar Transistor N-ChannelON Semiconductor
28237MGS13002D-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
28238MGSF1N02ELMAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28239MGSF1N02ELT1MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28240MGSF1N02ELT1-DActionnez les mAmps du transistor MOSFET 750, 20 volts de N-Canal Sot-23ON Semiconductor
28241MGSF1N02ELT1GMAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28242MGSF1N02ELT3MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28243MGSF1N02LMAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28244MGSF1N02LT1MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28245MGSF1N02LT1-DActionnez les mAmps du transistor MOSFET 750, 20 volts de N-Canal Sot-23ON Semiconductor
28246MGSF1N02LT1GMAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28247MGSF1N02LT3MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28248MGSF1N03LMAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 30 voltsON Semiconductor
28249MGSF1N03LT1MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 30 voltsON Semiconductor
28250MGSF1N03LT1GMAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 30 voltsON Semiconductor
28251MGSF1N03LT3MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 30 voltsON Semiconductor
28252MGSF1N03LT3GMAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 30 voltsON Semiconductor
28253MGSF1P02ELMAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28254MGSF1P02ELMAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28255MGSF1P02ELT1MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28256MGSF1P02ELT1MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28257MGSF1P02ELT1-DActionnez les mAmps du transistor MOSFET 750, 20 volts de P-Canal Sot-23ON Semiconductor
28258MGSF1P02ELT3MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28259MGSF1P02ELT3MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28260MGSF1P02LMAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28261MGSF1P02LT1MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28262MGSF1P02LT1-DActionnez les mAmps du transistor MOSFET 750, 20 volts de P-Canal Sot-23ON Semiconductor
28263MGSF1P02LT1GMAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28264MGSF1P02LT3MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28265MGSF1P02LT3GMAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 voltsON Semiconductor
28266MGSF2N02E2.8 Ampères, 20 Volts, N−Channel SOT−23ON Semiconductor
28267MGSF2N02ELTransistor MOSFET De Puissance 2,8 Ampères, 20 VoltsON Semiconductor
28268MGSF2N02EL-DTransistor MOSFET De Puissance 2,8 Ampères, 20 Volts De N-Canal Sot-23ON Semiconductor
28269MGSF2N02ELT1Transistor MOSFET De Puissance 2,8 Ampères, 20 VoltsON Semiconductor
28270MGSF2N02ELT1GTransistor MOSFET De Puissance 2,8 Ampères, 20 VoltsON Semiconductor
28271MGSF2N02ELT3Transistor MOSFET De Puissance 2,8 Ampères, 20 VoltsON Semiconductor
28272MGSF2N02ELT3GTransistor MOSFET De Puissance 2,8 Ampères, 20 VoltsON Semiconductor
28273MGSF2P02HDTransistor MOSFET De Puissance 2 Ampères, 20 VoltsON Semiconductor
28274MGSF2P02HD-DTransistor MOSFET De Puissance 2 Ampères, 20 Volts De P-Canal Tsop-6ON Semiconductor
28275MGSF2P02HDT1Transistor MOSFET De Puissance 2 Ampères, 20 VoltsON Semiconductor
28276MGSF2P02HDT3Transistor MOSFET De Puissance 2 Ampères, 20 VoltsON Semiconductor



28277MGSF3441VT1OBSOLETE - REMPLACEMENT P / N # - NTGS3441T1ON Semiconductor
28278MGSF3441VT1-DLes Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De P-CanalON Semiconductor
28279MGSF3441XT1OBSOLETE - REMPLACEMENT P / N # - NTGS3441T1ON Semiconductor
28280MGSF3441XT1-DLes Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De P-CanalON Semiconductor
28281MGSF3442VT1VIEILLI - Alimentation MOSFET 4 Ampères, 20 VoltsON Semiconductor
28282MGSF3442VT1-DTransistor MOSFET De Puissance 4 Ampères, 20 Volts De N-Canal Tsop-6ON Semiconductor
28283MGSF3442XT1MOSFET unique du N-CanalON Semiconductor
28284MGSF3442XT1-DLes Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De N-CanalON Semiconductor
28285MGSF3454VT1-DLes Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De N-CanalON Semiconductor
28286MGSF3454XT1MOSFET unique du N-CanalON Semiconductor
28287MGSF3454XT1-DLes Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De N-CanalON Semiconductor
28288MGSF3455VT1-DLes Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De P-CanalON Semiconductor
28289MGSF3455XT1Simple Canal P MOSFETON Semiconductor
28290MGSF3455XT1-DLes Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De P-CanalON Semiconductor
28291MGW12N120Insulated Gate Bipolar Transistor N-ChannelON Semiconductor
28292MGW12N120-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
28293MGW12N120DInsulated Gate Bipolar Transistor avec diode anti-parallèle N-ChannelON Semiconductor
28294MGW12N120D-DTransistor bipolaire isolé de porte avec la porte de silicium Anti-Parallèle de Perfectionnement-Mode de N-Canal de diodeON Semiconductor
28295MGW14N60EDTransistor Bipolaire Isolé De PorteON Semiconductor
28296MGW14N60ED-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
28297MGW20N120OBSOLETE - Insulated Gate Bipolar Transistor N-CanalON Semiconductor
28298MGW20N120-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
28299MGW21N60ED-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
28300MGY20N120DInsulated Gate Bipolar Transistor avec diode anti-parallèle N-ChannelON Semiconductor

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