| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 28201 | MGB15N35CL | Allumage IGBT 15 Ampères, 350 Volts | ON Semiconductor |
| 28202 | MGB15N35CLT4 | Allumage IGBT 15 Ampères, 350 Volts | ON Semiconductor |
| 28203 | MGB15N40CL | Allumage IGBT 15 Ampères, 410 Volts | ON Semiconductor |
| 28204 | MGB15N40CLT4 | Allumage IGBT 15 Ampères, 410 Volts | ON Semiconductor |
| 28205 | MGB19N35CL | Allumage IGBT 19 Ampères, 350 Volts | ON Semiconductor |
| 28206 | MGB19N35CLT4 | Allumage IGBT 19 Ampères, 350 Volts | ON Semiconductor |
| 28207 | MGC15N35CL | N-Canal Intérieurement Maintenu IGBT | ON Semiconductor |
| 28208 | MGC15N40CL | N-Canal Intérieurement Maintenu IGBT | ON Semiconductor |
| 28209 | MGP11N60E-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 28210 | MGP11N60ED | Sur-tension ÉVALUÉE de CIRCUIT COURT BASSE | ON Semiconductor |
| 28211 | MGP11N60ED-D | Transistor bipolaire isolé de porte avec la porte de silicium Anti-Parallèle de Perfectionnement-Mode de N-Canal de diode | ON Semiconductor |
| 28212 | MGP14N60E-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 28213 | MGP15N35CL | Allumage IGBT 15 Ampères, 350 Volts | ON Semiconductor |
| 28214 | MGP15N35CL-D | Allumage IGBT 15 ampères, 350 volts de N-Canal To-220 et D2PAK | ON Semiconductor |
| 28215 | MGP15N38CL | N-Canal Intérieurement Maintenu IGBT | ON Semiconductor |
| 28216 | MGP15N38CL-D | Allumage IGBT 15 ampères, 380 volts de N-Canal To-220 et D2PAK | ON Semiconductor |
| 28217 | MGP15N40CL | Allumage IGBT 15 Ampères, 410 Volts | ON Semiconductor |
| 28218 | MGP15N40CL-D | Allumage IGBT 15 ampères, 410 volts de N-Canal To-220 et D2PAK | ON Semiconductor |
| 28219 | MGP15N43CL | N-Canal Intérieurement Maintenu IGBT | ON Semiconductor |
| 28220 | MGP15N43CL-D | Allumage IGBT 15 ampères, 430 volts de N-Canal To-220 et D2PAK | ON Semiconductor |
| 28221 | MGP15N60U-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 28222 | MGP19N35CL | Allumage IGBT 19 Ampères, 350 Volts | ON Semiconductor |
| 28223 | MGP19N35CL-D | Allumage IGBT 19 ampères, 350 volts de N-Canal To-220 et D2PAK | ON Semiconductor |
| 28224 | MGP20N14CL-D | SMARTDISCRETES Intérieurement Maintenu, N-Canal IGBT | ON Semiconductor |
| 28225 | MGP20N35CL-D | SMARTDISCRETES Intérieurement Maintenu, N-Canal IGBT | ON Semiconductor |
| 28226 | MGP20N40CL-D | SMARTDISCRETES Intérieurement Maintenu, N-Canal IGBT | ON Semiconductor |
| 28227 | MGP20N60U-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 28228 | MGP21N60E-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 28229 | MGP4N60E-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 28230 | MGP4N60ED | Transistor bipolaire isolé de porte avec la diode Anti-Parallèle | ON Semiconductor |
| 28231 | MGP4N60ED-D | Transistor bipolaire isolé de porte avec la porte de silicium Anti-Parallèle de Perfectionnement-Mode de N-Canal de diode | ON Semiconductor |
| 28232 | MGP7N60E-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 28233 | MGP7N60ED | Diode Anti-Parallèle isolée de withr bipolaire de transistor de porte | ON Semiconductor |
| 28234 | MGP7N60ED-D | Transistor bipolaire isolé de porte avec la porte de silicium Anti-Parallèle de Perfectionnement-Mode de N-Canal de diode | ON Semiconductor |
| 28235 | MGS05N60D-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 28236 | MGS13002D | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel | ON Semiconductor |
| 28237 | MGS13002D-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 28238 | MGSF1N02EL | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28239 | MGSF1N02ELT1 | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28240 | MGSF1N02ELT1-D | Actionnez les mAmps du transistor MOSFET 750, 20 volts de N-Canal Sot-23 | ON Semiconductor |
| 28241 | MGSF1N02ELT1G | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28242 | MGSF1N02ELT3 | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28243 | MGSF1N02L | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28244 | MGSF1N02LT1 | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28245 | MGSF1N02LT1-D | Actionnez les mAmps du transistor MOSFET 750, 20 volts de N-Canal Sot-23 | ON Semiconductor |
| 28246 | MGSF1N02LT1G | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28247 | MGSF1N02LT3 | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28248 | MGSF1N03L | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 30 volts | ON Semiconductor |
| 28249 | MGSF1N03LT1 | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 30 volts | ON Semiconductor |
| 28250 | MGSF1N03LT1G | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 30 volts | ON Semiconductor |
| 28251 | MGSF1N03LT3 | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 30 volts | ON Semiconductor |
| 28252 | MGSF1N03LT3G | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 30 volts | ON Semiconductor |
| 28253 | MGSF1P02EL | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28254 | MGSF1P02EL | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28255 | MGSF1P02ELT1 | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28256 | MGSF1P02ELT1 | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28257 | MGSF1P02ELT1-D | Actionnez les mAmps du transistor MOSFET 750, 20 volts de P-Canal Sot-23 | ON Semiconductor |
| 28258 | MGSF1P02ELT3 | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28259 | MGSF1P02ELT3 | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28260 | MGSF1P02L | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28261 | MGSF1P02LT1 | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28262 | MGSF1P02LT1-D | Actionnez les mAmps du transistor MOSFET 750, 20 volts de P-Canal Sot-23 | ON Semiconductor |
| 28263 | MGSF1P02LT1G | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28264 | MGSF1P02LT3 | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28265 | MGSF1P02LT3G | MAmps du transistor MOSFET 750 de puissance, 20 volts | ON Semiconductor |
| 28266 | MGSF2N02E | 2.8 Ampères, 20 Volts, N−Channel SOT−23 | ON Semiconductor |
| 28267 | MGSF2N02EL | Transistor MOSFET De Puissance 2,8 Ampères, 20 Volts | ON Semiconductor |
| 28268 | MGSF2N02EL-D | Transistor MOSFET De Puissance 2,8 Ampères, 20 Volts De N-Canal Sot-23 | ON Semiconductor |
| 28269 | MGSF2N02ELT1 | Transistor MOSFET De Puissance 2,8 Ampères, 20 Volts | ON Semiconductor |
| 28270 | MGSF2N02ELT1G | Transistor MOSFET De Puissance 2,8 Ampères, 20 Volts | ON Semiconductor |
| 28271 | MGSF2N02ELT3 | Transistor MOSFET De Puissance 2,8 Ampères, 20 Volts | ON Semiconductor |
| 28272 | MGSF2N02ELT3G | Transistor MOSFET De Puissance 2,8 Ampères, 20 Volts | ON Semiconductor |
| 28273 | MGSF2P02HD | Transistor MOSFET De Puissance 2 Ampères, 20 Volts | ON Semiconductor |
| 28274 | MGSF2P02HD-D | Transistor MOSFET De Puissance 2 Ampères, 20 Volts De P-Canal Tsop-6 | ON Semiconductor |
| 28275 | MGSF2P02HDT1 | Transistor MOSFET De Puissance 2 Ampères, 20 Volts | ON Semiconductor |
| 28276 | MGSF2P02HDT3 | Transistor MOSFET De Puissance 2 Ampères, 20 Volts | ON Semiconductor |
| 28277 | MGSF3441VT1 | OBSOLETE - REMPLACEMENT P / N # - NTGS3441T1 | ON Semiconductor |
| 28278 | MGSF3441VT1-D | Les Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De P-Canal | ON Semiconductor |
| 28279 | MGSF3441XT1 | OBSOLETE - REMPLACEMENT P / N # - NTGS3441T1 | ON Semiconductor |
| 28280 | MGSF3441XT1-D | Les Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De P-Canal | ON Semiconductor |
| 28281 | MGSF3442VT1 | VIEILLI - Alimentation MOSFET 4 Ampères, 20 Volts | ON Semiconductor |
| 28282 | MGSF3442VT1-D | Transistor MOSFET De Puissance 4 Ampères, 20 Volts De N-Canal Tsop-6 | ON Semiconductor |
| 28283 | MGSF3442XT1 | MOSFET unique du N-Canal | ON Semiconductor |
| 28284 | MGSF3442XT1-D | Les Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De N-Canal | ON Semiconductor |
| 28285 | MGSF3454VT1-D | Les Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De N-Canal | ON Semiconductor |
| 28286 | MGSF3454XT1 | MOSFET unique du N-Canal | ON Semiconductor |
| 28287 | MGSF3454XT1-D | Les Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De N-Canal | ON Semiconductor |
| 28288 | MGSF3455VT1-D | Les Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De P-Canal | ON Semiconductor |
| 28289 | MGSF3455XT1 | Simple Canal P MOSFET | ON Semiconductor |
| 28290 | MGSF3455XT1-D | Les Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De P-Canal | ON Semiconductor |
| 28291 | MGW12N120 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel | ON Semiconductor |
| 28292 | MGW12N120-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 28293 | MGW12N120D | Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode anti-parallèle N-Channel | ON Semiconductor |
| 28294 | MGW12N120D-D | Transistor bipolaire isolé de porte avec la porte de silicium Anti-Parallèle de Perfectionnement-Mode de N-Canal de diode | ON Semiconductor |
| 28295 | MGW14N60ED | Transistor Bipolaire Isolé De Porte | ON Semiconductor |
| 28296 | MGW14N60ED-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 28297 | MGW20N120 | OBSOLETE - Insulated Gate Bipolar Transistor N-Canal | ON Semiconductor |
| 28298 | MGW20N120-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 28299 | MGW21N60ED-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 28300 | MGY20N120D | Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode anti-parallèle N-Channel | ON Semiconductor |
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