| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 30901 | MSD42WT1G | Transistor À haute tension Tout usage De Silicium de NPN | ON Semiconductor |
| 30902 | MSD42WT1G | Transistor À haute tension Tout usage De Silicium de NPN | ON Semiconductor |
| 30903 | MSD601-R | Petit Plastique NPN De Signal | ON Semiconductor |
| 30904 | MSD601-RT1 | Petit Plastique NPN De Signal | ON Semiconductor |
| 30905 | MSD601-RT1-D | Bâti Tout usage De Surface De Transistors D'Amplificateur de NPN | ON Semiconductor |
| 30906 | MSD601-RT1G | Petit Plastique NPN De Signal | ON Semiconductor |
| 30907 | MSD601-RT2 | General Purpose Amplifier transistor NPN | ON Semiconductor |
| 30908 | MSD601-S | Bâti Tout usage De Surface De Transistors D'Amplificateur de NPN | ON Semiconductor |
| 30909 | MSD601-ST1 | Bâti Tout usage De Surface De Transistors D'Amplificateur de NPN | ON Semiconductor |
| 30910 | MSD602-RT1 | Petit Plastique NPN De Signal | ON Semiconductor |
| 30911 | MSD602-RT1-D | Bâti Tout usage De Surface De Transistor D'Amplificateur de NPN | ON Semiconductor |
| 30912 | MSD602-RT2 | General Purpose Amplifier transistor NPN | ON Semiconductor |
| 30913 | MSD6100 | Diode Duelle De Commutateur De Petit Signal | ON Semiconductor |
| 30914 | MSD6100-D | Cathode Duelle De Terrain communal De Diode De Commutation | ON Semiconductor |
| 30915 | MSD6100RLRA | Diode Duelle De Commutateur De Petit Signal | ON Semiconductor |
| 30916 | MSD6150 | Diode double de commutation Anode commune | ON Semiconductor |
| 30917 | MSD6150-D | Anode Duelle De Terrain communal De Diode | ON Semiconductor |
| 30918 | MSQA6V1W5 | Rangée de quadruple pour la protection d'cEsd | ON Semiconductor |
| 30919 | MSQA6V1W5T2 | Rangée de quadruple pour la protection d'cEsd | ON Semiconductor |
| 30920 | MSQA6V1W5T2-D | Rangée de quadruple pour la protection d'cEsd | ON Semiconductor |
| 30921 | MSR1560 | Redresseur Doux De Rétablissement Du 1Ä 600V | ON Semiconductor |
| 30922 | MSR1560-D | Redresseur Doux De Puissance De Rétablissement de SWITCHMODE | ON Semiconductor |
| 30923 | MSR860 | Redresseur Doux De Rétablissement De Å 600V | ON Semiconductor |
| 30924 | MSR860 | Redresseur Doux De Rétablissement De Å 600V | ON Semiconductor |
| 30925 | MSR860-D | Paquet To-220 En plastique De Rétablissement de SWITCHMODEE De Redresseur Doux De Puissance | ON Semiconductor |
| 30926 | MSRB860-1-D | Fil Droit Mou Du Redresseur D2pak-sl De Puissance De Rétablissement de SWITCHMODE | ON Semiconductor |
| 30927 | MSRD620CT | Redresseur Doux De à 200V Ultrafast | ON Semiconductor |
| 30928 | MSRD620CT-D | Paquet En plastique Ultrafast De Rétablissement de SWITCHMODE Du Redresseur Doux DPAK De Puissance | ON Semiconductor |
| 30929 | MSRD620CT/D | Redresseur Mou De Puissance De Rétablissement de SWITCHMODE Ultrafast | ON Semiconductor |
| 30930 | MSRD620CTG | Redresseur Mou De Puissance De Rétablissement de SWITCHMODE Ultrafast | ON Semiconductor |
| 30931 | MSRD620CTR | SWITCHMODE souple ultra-rapide de recouvrement inverse la polarité Power Rectifier | ON Semiconductor |
| 30932 | MSRD620CTT4 | Redresseur Doux De à 200V Ultrafast | ON Semiconductor |
| 30933 | MSRD620CTT4G | Redresseur Mou De Puissance De Rétablissement de SWITCHMODE Ultrafast | ON Semiconductor |
| 30934 | MSRP10040 | Switchmode souple Power Recovery Rectifier | ON Semiconductor |
| 30935 | MSRP10040-D | Paquet Mou Du Redresseur POWERTAP III De Puissance De Rétablissement de SWITCHMODE | ON Semiconductor |
| 30936 | MTB10N40E | 10 Amp D2PAK montage en surface, les produits N-Channel, VDSS 400 | ON Semiconductor |
| 30937 | MTB10N40E-D | FET D2PAK de puissance d'énergie élevée d'E-FET de TMOS pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | ON Semiconductor |
| 30938 | MTB10N60E7 | TMOS 7 E-fet™ FET De Puissance D'Énergie Élevée | ON Semiconductor |
| 30939 | MTB10N60E7-D | Porte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-Canal de FET De Puissance De l'Énergie E-FET Élevée de TMOS 7 | ON Semiconductor |
| 30940 | MTB10N60E7T4 | TMOS 7 E-fet™ FET De Puissance D'Énergie Élevée | ON Semiconductor |
| 30941 | MTB1306 | VIEILLI - MOSFET de puissance 75 ampères, 30 volts, de niveau logique | ON Semiconductor |
| 30942 | MTB1306-D | Transistor MOSFET De Puissance 75 Ampères, 30 Volts, N-Canal De niveau D2PAK De Logique | ON Semiconductor |
| 30943 | MTB15N06V | 15 A D2PAK MOSFET canal N, VDSS 60 | ON Semiconductor |
| 30944 | MTB15N06V-D | Transistor à effet de champ de puissance de TMOS V D2PAK pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | ON Semiconductor |
| 30945 | MTB16N25E | 16 Amp D2PAK montage en surface, les produits N-Channel, VDSS 250 | ON Semiconductor |
| 30946 | MTB16N25E-D | FET D2PAK de puissance d'énergie élevée d'E-FET de TMOS pour le bâti extérieur | ON Semiconductor |
| 30947 | MTB20N20E | VIEILLI - MOSFET de puissance 20 ampères, 200 volts | ON Semiconductor |
| 30948 | MTB20N20E-D | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 200 Volts De N-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 30949 | MTB23P06V | Transistor MOSFET De Puissance 23 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 30950 | MTB23P06V-D | Transistor MOSFET De Puissance 23 Ampères, 60 Volts De P-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 30951 | MTB23P06VT4 | Transistor MOSFET De Puissance 23 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 30952 | MTB29N15E | Transistor MOSFET De Puissance 29 Ampères, 150 Volts | ON Semiconductor |
| 30953 | MTB29N15E-D | Transistor MOSFET De Puissance 29 Ampères, 150 Volts De N-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 30954 | MTB29N15ET4 | Transistor MOSFET De Puissance 29 Ampères, 150 Volts | ON Semiconductor |
| 30955 | MTB2N40E-D | FET D2PAK de puissance d'énergie élevée d'E-FET de TMOS pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | ON Semiconductor |
| 30956 | MTB2N60E | N-Channel Enhancement Mode Silicon porte | ON Semiconductor |
| 30957 | MTB2N60E-D | FET D2PAK de puissance d'énergie élevée d'E-FET de TMOS pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | ON Semiconductor |
| 30958 | MTB2P50E | FET 500V 6.00Ohm De Puissance de TMOS | ON Semiconductor |
| 30959 | MTB2P50E-D | FET D2PAK de puissance d'énergie élevée d'E-FET de TMOS pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de P-Canal de bâti | ON Semiconductor |
| 30960 | MTB2P50ET4 | FET 500V 6.00Ohm De Puissance de TMOS | ON Semiconductor |
| 30961 | MTB30N06VL | MOSFET de puissance 30 ampères, 60 volts, de niveau logique | ON Semiconductor |
| 30962 | MTB30N06VL-D | Transistor MOSFET De Puissance 30 Ampères, 60 Volts, N-Canal De niveau D2PAK De Logique | ON Semiconductor |
| 30963 | MTB30P06V | Transistor MOSFET De Puissance 30 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 30964 | MTB30P06V | Transistor MOSFET De Puissance 30 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 30965 | MTB30P06V-D | Transistor MOSFET De Puissance 30 Ampères, 60 Volts De P-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 30966 | MTB30P06VG | Transistor MOSFET De Puissance 30 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 30967 | MTB30P06VG | Transistor MOSFET De Puissance 30 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 30968 | MTB30P06VT4 | Transistor MOSFET De Puissance 30 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 30969 | MTB30P06VT4 | Transistor MOSFET De Puissance 30 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 30970 | MTB30P06VT4G | Transistor MOSFET De Puissance 30 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 30971 | MTB30P06VT4G | Transistor MOSFET De Puissance 30 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 30972 | MTB33N10E | MOSFET de puissance 33 ampères, 100 volts | ON Semiconductor |
| 30973 | MTB33N10E-D | Transistor MOSFET De Puissance 33 Ampères, 100 Volts De N-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 30974 | MTB36N06V | Transistor MOSFET De Puissance 32 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 30975 | MTB36N06V | Transistor MOSFET De Puissance 32 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 30976 | MTB36N06V-D | Transistor MOSFET De Puissance 32 Ampères, 60 Volts De N-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 30977 | MTB36N06VT4 | Transistor MOSFET De Puissance 32 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 30978 | MTB36N06VT4 | Transistor MOSFET De Puissance 32 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 30979 | MTB3N100E | 2 Amp D2PAK montage en surface, les produits N-Channel, VDSS 1000 | ON Semiconductor |
| 30980 | MTB3N100E-D | FET D2PAK de puissance d'énergie élevée d'E-FET de TMOS pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | ON Semiconductor |
| 30981 | MTB3N120E-D | FET D2PAK de puissance d'énergie élevée d'E-FET de TMOS pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | ON Semiconductor |
| 30982 | MTB3N60E | D2PAK pour Surface Mount N-Channel Enhancement Mode Silicon porte | ON Semiconductor |
| 30983 | MTB3N60E-D | FET D2PAK de puissance d'énergie élevée d'E-FET de TMOS pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | ON Semiconductor |
| 30984 | MTB40N10E | Transistor MOSFET De Puissance 40 Ampères, 100 Volts | ON Semiconductor |
| 30985 | MTB40N10E-D | Transistor MOSFET De Puissance 40 Ampères, 100 Volts De N-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 30986 | MTB40N10ET4 | Transistor MOSFET De Puissance 40 Ampères, 100 Volts | ON Semiconductor |
| 30987 | MTB4N80E | OBSOLETE - 800 V, 4 A, FET de puissance | ON Semiconductor |
| 30988 | MTB4N80E-D | FET D2PAK de puissance d'énergie élevée d'E-FET de TMOS pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | ON Semiconductor |
| 30989 | MTB4N80E1 | OBSOLETE - N-Channel Enhancement Mode Silicon porte | ON Semiconductor |
| 30990 | MTB4N80E1-D | Porte De Silicium Droite Élevée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Fil du FET D2pak-sl De Puissance D'Énergie D'E-FET de TMOS | ON Semiconductor |
| 30991 | MTB50N06V | MOSFET de puissance 42 A, 60V, D2PAK N-Canal | ON Semiconductor |
| 30992 | MTB50N06V-D | Transistor à effet de champ de puissance de TMOS V D2PAK pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | ON Semiconductor |
| 30993 | MTB50N06VL | MOSFET de puissance 42 ampères, 60 volts, de niveau logique | ON Semiconductor |
| 30994 | MTB50N06VL-D | Transistor MOSFET De Puissance 42 Ampères, 60 Volts, N-Canal De niveau D2PAK De Logique | ON Semiconductor |
| 30995 | MTB50P03HDL | Transistor MOSFET De Puissance 50 Ampères, 30 Volts, Niveau De Logique | ON Semiconductor |
| 30996 | MTB50P03HDL-D | Transistor MOSFET De Puissance 50 Ampères, 30 Volts, P-Canal De niveau D2PAK De Logique | ON Semiconductor |
| 30997 | MTB50P03HDLT4 | Transistor MOSFET De Puissance 50 Ampères, 30 Volts, Niveau De Logique | ON Semiconductor |
| 30998 | MTB50P03HDLT4G | Transistor MOSFET De Puissance 50 Ampères, 30 Volts, Niveau De Logique | ON Semiconductor |
| 30999 | MTB52N06V | Transistor MOSFET De Puissance 52 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 31000 | MTB52N06V-D | Transistor MOSFET De Puissance 52 Ampères, 60 Volts De N-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| | | |
