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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
36501NTHS4166NNTHS4166NON Semiconductor
36502NTHS4501NMOSFET de puissance 30 V, 6.7 A, Single N-Channel ChipFET ™ PackageON Semiconductor
36503NTHS5402Transistor MOSFET 20 V, 4,9 A, N-Canal ChipFET™ De Puissance;ON Semiconductor
36504NTHS5402Transistor MOSFET 20 V, 4,9 A, N-Canal ChipFET™ De Puissance;ON Semiconductor
36505NTHS5402T1OBSOLETE - MOSFET de puissance du N-Canal ChipFET ™ON Semiconductor
36506NTHS5402T1-DN-Canal ChipFET de Transistor MOSFET De Puissance 4,9 Ampères, 30 VoltsON Semiconductor
36507NTHS5404Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 5.À, Le N-Canal ChipFET™ON Semiconductor
36508NTHS5404Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 5.À, Le N-Canal ChipFET™ON Semiconductor
36509NTHS5404T1Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 5.À, Le N-Canal ChipFET™ON Semiconductor
36510NTHS5404T1Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 5.À, Le N-Canal ChipFET™ON Semiconductor
36511NTHS5404T1-DN-Canal ChipFET de Transistor MOSFET De Puissance 5,2 Ampères, 20 VoltsON Semiconductor
36512NTHS5404T1GActionnez le Transistor MOSFET 20V, 5.À, Le N-Canal ChipFET™ON Semiconductor
36513NTHS5404T1GActionnez le Transistor MOSFET 20V, 5.À, Le N-Canal ChipFET™ON Semiconductor
36514NTHS5441−20 V, −5.3 A, P−Channel ChipFETON Semiconductor
36515NTHS5441T1P-Canal ChipFET™ de Transistor MOSFET De Puissance; -3,9 A, -20 VON Semiconductor
36516NTHS5441T1P-Canal ChipFET™ de Transistor MOSFET De Puissance; -3,9 A, -20 VON Semiconductor
36517NTHS5441T1-DP-Canal ChipFET de Transistor MOSFET De Puissance 3,9 Ampères, 20 VoltsON Semiconductor
36518NTHS5441T1GP-Canal ChipFET™ de Transistor MOSFET De Puissance; -3,9 A, -20 VON Semiconductor
36519NTHS5441T1GP-Canal ChipFET™ de Transistor MOSFET De Puissance; -3,9 A, -20 VON Semiconductor
36520NTHS5443Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 3.Ã, Le P-Canal ChipFET™ON Semiconductor
36521NTHS5443Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 3.Ã, Le P-Canal ChipFET™ON Semiconductor
36522NTHS5443T1Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 3.Ã, Le P-Canal ChipFET™ON Semiconductor
36523NTHS5443T1Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 3.Ã, Le P-Canal ChipFET™ON Semiconductor
36524NTHS5443T1-DP-Canal ChipFET de Transistor MOSFET De Puissance 3,6 Ampères, 20 VoltsON Semiconductor
36525NTHS5443T1GActionnez le Transistor MOSFET 20V, 3.Ã, Le P-Canal ChipFET™ON Semiconductor
36526NTHS5443T1GActionnez le Transistor MOSFET 20V, 3.Ã, Le P-Canal ChipFET™ON Semiconductor
36527NTHS5445Transistor MOSFET 8 V, 5,2 A, P-Canal ChipFET™ De Puissance;ON Semiconductor
36528NTHS5445Transistor MOSFET 8 V, 5,2 A, P-Canal ChipFET™ De Puissance;ON Semiconductor
36529NTHS5445T1OBSOLETE - MOSFET de puissance du P-Canal ChipFET ™ON Semiconductor
36530NTHS5445T1-DP-Canal ChipFET de Transistor MOSFET De Puissance 5,2 Ampères, 8 VoltsON Semiconductor
36531NTJD1155LMOSFET de puissance 8 V, ± 1.3, High Side charge Interrupteur avec décalage de niveau P-Canal, SC-88ON Semiconductor
36532NTJD2152PLe Petit Transistor MOSFET 8 V De Signal De Fossé Conjuguent P-Canal, Protection d'cEsdON Semiconductor
36533NTJD2152PT1Le Petit Transistor MOSFET 8 V De Signal De Fossé Conjuguent P-Canal, Protection d'cEsdON Semiconductor
36534NTJD2152PT1GLe Petit Transistor MOSFET 8 V De Signal De Fossé Conjuguent P-Canal, Protection d'cEsdON Semiconductor
36535NTJD2152PT2Le Petit Transistor MOSFET 8 V De Signal De Fossé Conjuguent P-Canal, Protection d'cEsdON Semiconductor
36536NTJD2152PT2GLe Petit Transistor MOSFET 8 V De Signal De Fossé Conjuguent P-Canal, Protection d'cEsdON Semiconductor
36537NTJD2152PT4Le Petit Transistor MOSFET 8 V De Signal De Fossé Conjuguent P-Canal, Protection d'cEsdON Semiconductor
36538NTJD2152PT4GLe Petit Transistor MOSFET 8 V De Signal De Fossé Conjuguent P-Canal, Protection d'cEsdON Semiconductor
36539NTJD3158CMOSFET de puissance complémentairesON Semiconductor
36540NTJD4001NPetit transistor MOSFET 30 V, 250 mA, N duel - la Manche, Sc de signal - 88ON Semiconductor
36541NTJD4001NT1Petit transistor MOSFET 30 V, 250 mA, N duel - la Manche, Sc de signal - 88ON Semiconductor
36542NTJD4001NT1GPetit transistor MOSFET 30 V, 250 mA, N duel - la Manche, Sc de signal - 88ON Semiconductor
36543NTJD4105CPetit Transistor MOSFET 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Élogieux Sc-88 De SignalON Semiconductor
36544NTJD4105CT1Petit Transistor MOSFET 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Élogieux Sc-88 De SignalON Semiconductor
36545NTJD4105CT1GPetit Transistor MOSFET 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Élogieux Sc-88 De SignalON Semiconductor
36546NTJD4105CT2Petit Transistor MOSFET 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Élogieux Sc-88 De SignalON Semiconductor
36547NTJD4105CT2GPetit Transistor MOSFET 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Élogieux Sc-88 De SignalON Semiconductor
36548NTJD4105CT4Petit Transistor MOSFET 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Élogieux Sc-88 De SignalON Semiconductor
36549NTJD4105CT4GPetit Transistor MOSFET 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Élogieux Sc-88 De SignalON Semiconductor
36550NTJD4152PSmall Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Double P-Canal, avec protection ESDON Semiconductor
36551NTJD4158CSmall Signal MOSFET 30 V / -20 V, 0,25 / -0,88 A, complémentaire, SC-88ON Semiconductor
36552NTJD4401NSmall Signal MOSFET 20 V, N Dual-Channel, SC-88 sur la protection ESDON Semiconductor
36553NTJD5121NFiche NTJD5121N donnéesON Semiconductor
36554NTJS3151PMOSFET tranchée d'alimentation 12 V, 3,3 A, Single P-Channel ESD Protected SC-88ON Semiconductor
36555NTJS3157NTrench MOSFET de puissance, 20 V, 4.0 A, l'unité N-CanalON Semiconductor
36556NTJS4151PV de tranchée MOSFET de puissance, -4,2 A, Single P-Channel, SC-88ON Semiconductor
36557NTJS4160NMOSFET de puissance 30 V, 3.2 A, Single N-Channel SC-88ON Semiconductor
36558NTJS4405NSmall Signal MOSFET 25 V, 1.2 A Single N-Channel SC-88ON Semiconductor
36559NTK3043NMOSFET de puissance 20 V, 285 mA, N-Manche avec protection ESD, SOT-723ON Semiconductor
36560NTK3134NMOSFET de puissance, 20 V, 890 mA, Single N-Channel, SOT-723 Package, avec protection ESDON Semiconductor
36561NTK3139PMOSFET de puissance 20 V, 780 mA, Single P-CanalON Semiconductor
36562NTK3142PV de petits signaux MOSFET de puissance, -280 mA, P-Manche avec protection ESD, SOT-723ON Semiconductor
36563NTL4502NQuadruple PInPAK De N-Canal du Transistor MOSFET 24V De PuissanceON Semiconductor
36564NTL4502NT1Quadruple PInPAK De N-Canal du Transistor MOSFET 24V De PuissanceON Semiconductor
36565NTLGD3502NMOSFET de puissance, 20 V, N Dual-ChannelON Semiconductor
36566NTLGF3402PMOSFET de puissance et diode Schottky, -20 V, -3,9 A, P-CanalON Semiconductor
36567NTLJD2104PMOSFET de puissance, 12V, 4.3A, 90mOhm double canal P WDFN2x2ON Semiconductor
36568NTLJD2105LMOSFET de puissance, 8 V, 4.3 A, µCool ™ High Side Charge Détecteur de changement de niveauON Semiconductor
36569NTLJD3115PMOSFET de puissance -20 V, -4,1 A, µCool ¿double P-Channel, 2x2 mm Paquet PNWDON Semiconductor
36570NTLJD3119C20 V, 4,6 A de puissance MOSFET µCoolON Semiconductor
36571NTLJD3181PZMOSFET de puissance, -20 V, -4,0 A, uCool ™, double P-Canal, l'EDD, 2x2 mm Paquet PNWDON Semiconductor
36572NTLJD3182FZMOSFET de puissance et diode Schottky, -20 V, -4,0 A, uCool ¿, Single P-Canal et de barrière de Schottky Diode, l'EDDON Semiconductor
36573NTLJD3183CZMOSFET de puissance, 20 V/-20 V, 4.7 A A/-4.0, uCool ¿, complémentaire, 2x2 mm, paquet PNWDON Semiconductor
36574NTLJD4116NMOSFET de puissance, 30 V, 4.6 A, N Dual-ChannelON Semiconductor
36575NTLJD4150PMOSFET de puissance 30 V, 3.4 A, µCool ™ double P-CanalON Semiconductor
36576NTLJF1103PMOSFET de puissance et V de diode Schottky, -4,3 A, µCool ¿P-Canal, avec 2,0 A Barrière de Schottky Diode, 2 x 2 mm, PNWDON Semiconductor



36577NTLJF3117PMOSFET de puissance et diode Schottky, -20 V, -4,1 A, P-CanalON Semiconductor
36578NTLJF3118NMOSFET de puissance et diode Schottky 20 V, 4.6 A, µCool ™ N-Channel, avec 2,0 A Barrière de Schottky DiodeON Semiconductor
36579NTLJF4156NMOSFET de puissance et diode Schottky, 30 V, 4.6 A, N-CanalON Semiconductor
36580NTLJS1102PMOSFET de puissance 8V 8.1A 36 mOhm Single P-Canal WDFN2x2ON Semiconductor
36581NTLJS2103PNTLJS2103PON Semiconductor
36582NTLJS3113PMOSFET de puissance -20 V, -9,5 A, Single P-Channel µCoolON Semiconductor
36583NTLJS3A18PZMOSFET de puissance, -20 V, -8,2 A, uCool, Single P-Channel, 2.0x2.0x0.8 mm Paquet PNWDON Semiconductor
36584NTLJS4114NMOSFET de puissance, 30 V, 7.8 A, l'unité N-CanalON Semiconductor
36585NTLJS4149NTLJS4149P µCool ™ON Semiconductor
36586NTLJS4159NMOSFET de puissance 30 V, 7.8 A, µCool ™ Single N-CanalON Semiconductor
36587NTLLD4901NFMOSFET de puissance et diode Schottky intégrée, 30 V, N Dual-ChannelON Semiconductor
36588NTLMS4501NTransistor MOSFET 30 V, 14,7 A, N-Canal, Paquet De Puissance De So-8 LeadlessON Semiconductor
36589NTLMS4507NTransistor MOSFET 30 V, 24 A, N-Canal, Paquet De Puissance De So-8 LeadlessON Semiconductor
36590NTLTD7900NMOSFET de puissance 8,5 A, 20 V Niveau logique du N-Canal Micro8 ™ LeadlessON Semiconductor
36591NTLTD7900Z9A, 20V, 26mOhm, Protection De Porte De Zener, 4000V HBMON Semiconductor
36592NTLTD7900Z-DTransistor MOSFET De Puissance 9 Ampères, 20 Volts, N-Canal De niveau Micro-8 Leadless De LogiqueON Semiconductor
36593NTLTD7900ZR29A, 20V, 26mOhm, Protection De Porte De Zener, 4000V HBMON Semiconductor
36594NTLTS3107PMOSFET de puissance -20 V, -8,3 A, Single P-Channel Micro-8 Leadless paquetON Semiconductor
36595NTLUD3191PZDouble P-Channel MOSFET 20 VON Semiconductor
36596NTLUD3A260PZSingle P-Channel MOSFET 20 VON Semiconductor
36597NTLUD3A50PZMOSFET de puissance, double P-Canal, -20 V, -5,6 A, 2.0x2.0x0.55 mm paquet UDFNON Semiconductor
36598NTLUF4189NZSimple MOSFET canal N de 30 V plus de barrière de Schottky DiodeON Semiconductor
36599NTLUS3192PZSingle P-Channel MOSFET 20 VON Semiconductor
36600NTLUS3A18PZMOSFET de puissance, -20 V, -8,2 A, simple Pch, ESD, 2.0x2.0x0.55 mm, uCool, paquet UDFNON Semiconductor

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