Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
1026081 | PTB78560A | 30-W, 24-V/48-V entrada do conversor DC / DC Com Auto-Track Seqüenciamento | Texas Instruments |
1026082 | PTB78560B | 30-W, 24-V/48-V entrada do conversor DC / DC Com Auto-Track Seqüenciamento | Texas Instruments |
1026083 | PTB78560C | 30-W, 24-V/48-V entrada do conversor DC / DC Com Auto-Track Seqüenciamento | Texas Instruments |
1026084 | PTC4001T | Transistor de poder da microonda de NPN | Philips |
1026085 | PTD08A020W | 20A, 4.75V a 14V, não-isolada, Módulo PowerTrain Digital | Texas Instruments |
1026086 | PTD08A210W | Solteiro 10-A saída, 4.75V a 14V de entrada, não-isolada, Módulo PowerTrain Digital | Texas Instruments |
1026087 | PTEA404120 | 50-W, Entrada 48-V, saída 12-V, Isolated Conversor DC / DC | Texas Instruments |
1026088 | PTF | O coeficiente industrial, muito baixo do ruído e da tensão, pacote pequeno, laser 100% espiralou, características de alta freqüência muito boas, testar de aceitação disponível, pode substituir bobinas de Wirewound, proteção su | Vishay |
1026089 | PTF080101 | TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 10W/ DO PODER DE LDMOS RF 860-960MHZ | Infineon |
1026090 | PTF080101S | TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 10W/ DO PODER DE LDMOS RF 860-960MHZ | Infineon |
1026091 | PTF080451 | Transistor De Efeito De Campo 45 Do Poder de LDMOS Rf Com 869-960 Megahertz | Infineon |
1026092 | PTF080451E | Transistor De Efeito De Campo 45 Do Poder de LDMOS Rf Com 869-960 Megahertz | Infineon |
1026093 | PTF080601 | Transistor De Efeito De Campo 60 Do Poder de LDMOS Rf Com 860-960 Megahertz | Infineon |
1026094 | PTF080601A | Transistor De Efeito De Campo 60 Do Poder de LDMOS Rf Com 860-960 Megahertz | Infineon |
1026095 | PTF080601E | Transistor De Efeito De Campo 60 Do Poder de LDMOS Rf Com 860-960 Megahertz | Infineon |
1026096 | PTF080601F | Transistor De Efeito De Campo 60 Do Poder de LDMOS Rf Com 860-960 Megahertz | Infineon |
1026097 | PTF080901 | Transistor De Efeito De Campo 90 Do Poder de LDMOS Rf Com 869-960 Megahertz | Infineon |
1026098 | PTF080901E | Transistor De Efeito De Campo 90 Do Poder de LDMOS Rf Com 869-960 Megahertz | Infineon |
1026099 | PTF080901F | Transistor De Efeito De Campo 90 Do Poder de LDMOS Rf Com 869-960 Megahertz | Infineon |
1026100 | PTF10007 | 35 Watts, 1.0 Transistor De Efeito De Campo Do Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026101 | PTF10009 | 85 Watts, 1.0 Transistor De Efeito De Campo Do Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026102 | PTF10015 | 50 Watts, 300.960 Transistor De Efeito De Campo Do Megahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026103 | PTF10019 | 70 Watts, 860.960 Transistor De Efeito De Campo Do Megahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026104 | PTF10020 | 125 Watts, 860.960 Transistor De Efeito De Campo Do Megahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026105 | PTF10021 | 30 Watts, 1.4.1.6 Transistor De Efeito De Campo Do Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026106 | PTF10031 | 50 Watts, 1.0 Transistor De Efeito De Campo Do Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026107 | PTF10036 | 85 Watts, 860.960 Transistor De Efeito De Campo Do Megahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026108 | PTF10043 | 12 Watts, 1.9.2.0 Transistor De Efeito De Campo Do Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026109 | PTF10045 | 30 Watts, 1.60.1.65 Transistor De Efeito De Campo Do Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026110 | PTF10048 | 30 Watts, 2.1.2.2 Gigahertz, Transistor De Efeito De Campo de W-CDMA GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026111 | PTF10052 | 35 Watts, 1.0 Transistor De Efeito De Campo Do Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026112 | PTF10053 | 12 Watts, 2.0 Transistor De Efeito De Campo Do Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026113 | PTF10065 | 30 Watts, 1.93.1.99 Transistor De Efeito De Campo Do Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026114 | PTF10100 | 165 Watts, 860.900 Transistor De Efeito De Campo Do Megahertz LDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026115 | PTF10107 | 5 Watts, 2.0 Transistor De Efeito De Campo Do Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026116 | PTF10111 | 6 Watts, 1.5 Transistor De Efeito De Campo Do Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026117 | PTF10112 | 60 Watts, 1.8.2.0 Transistor De Efeito De Campo Do Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026118 | PTF10119 | 12 Watts, 2.1.2.2 Transistor De Efeito De Campo Do Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026119 | PTF10120 | 120 Watts, 1.8.2.0 Transistor De Efeito De Campo Do Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026120 | PTF10122 | 50 Watts de WCDMA, 2.1.2.2 Transistor De Efeito De Campo Do Gigahertz GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
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