Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
1029641 | Q62702-D1103 | TRANSISTOR DO SILICONE EPIBASE DE NPN | Siemens |
1029642 | Q62702-D1103 | TRANSISTOR DO SILICONE EPIBASE DE PNP | Siemens |
1029643 | Q62702-D1104 | TRANSISTOR DO SILICONE EPIBASE DE NPN | Siemens |
1029644 | Q62702-D1104 | TRANSISTOR DO SILICONE EPIBASE DE PNP | Siemens |
1029645 | Q62702-D1105 | TRANSISTOR DO SILICONE EPIBASE DE NPN | Siemens |
1029646 | Q62702-D1105 | TRANSISTOR DO SILICONE EPIBASE DE PNP | Siemens |
1029647 | Q62702-D1106 | TRANSISTOR DO SILICONE EPIBASE DE NPN | Siemens |
1029648 | Q62702-D1106 | TRANSISTOR DO SILICONE EPIBASE DE PNP | Siemens |
1029649 | Q62702-D1107 | TRANSISTOR DO SILICONE EPIBASE DE NPN | Siemens |
1029650 | Q62702-D1107 | TRANSISTOR DO SILICONE EPIBASE DE PNP | Siemens |
1029651 | Q62702-D111 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1029652 | Q62702-D111-P | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1029653 | Q62702-D111-V1 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1029654 | Q62702-D111-V2 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
1029655 | Q62702-D1258 | Diodos de Schottky do silicone (barreira média baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029656 | Q62702-D1259 | Diodos de Schottky do silicone (barreira média baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029657 | Q62702-D1262 | Diodos de Schottky do silicone (barreira baixa baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029658 | Q62702-D1263 | Diodos de Schottky do silicone (barreira baixa baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029659 | Q62702-D1264 | Diodos de Schottky do silicone (barreira baixa baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029660 | Q62702-D1267 | Diodos de Schottky do silicone (barreira média baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029661 | Q62702-D1268 | Diodos de Schottky do silicone (barreira média baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029662 | Q62702-D1271 | Diodos de Schottky do silicone (barreira baixa baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029663 | Q62702-D1272 | Diodos de Schottky do silicone (barreira baixa baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029664 | Q62702-D1275 | Diodos de Schottky do silicone (barreira média baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029665 | Q62702-D1276 | Diodos de Schottky do silicone (barreira média baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029666 | Q62702-D1279 | Diodos de Schottky do silicone (barreira baixa baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029667 | Q62702-D1280 | Diodos de Schottky do silicone (barreira baixa baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029668 | Q62702-D1281 | Diodos de Schottky do silicone (barreira baixa baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029669 | Q62702-D1284 | Diodos de Schottky do silicone (barreira média baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029670 | Q62702-D1285 | Diodos de Schottky do silicone (barreira média baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029671 | Q62702-D1288 | Diodos de Schottky do silicone (barreira baixa baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029672 | Q62702-D1289 | Diodos de Schottky do silicone (barreira baixa baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029673 | Q62702-D1290 | Diodos de Schottky do silicone (barreira baixa baixa do desempenho elevado da dimensão da tecnologia da ligação de feixe) | Siemens |
1029674 | Q62702-D1316 | Diodos de Schottky do silicone (para low-loss, a rápido-recuperação, a proteção do medidor, a isolação diagonal e as aplicações do aperto) | Siemens |
1029675 | Q62702-D1321 | Diodos de Schottky do silicone (para low-loss, a rápido-recuperação, a proteção do medidor, a isolação diagonal e as aplicações do aperto) | Siemens |
1029676 | Q62702-D1322 | Diodos de Schottky do silicone (para low-loss, a rápido-recuperação, a proteção do medidor, a isolação diagonal e as aplicações do aperto) | Siemens |
1029677 | Q62702-D1323 | Diodos de Schottky do silicone (para low-loss, a rápido-recuperação, a proteção do medidor, a isolação diagonal e as aplicações do aperto) | Siemens |
1029678 | Q62702-D1335 | Transistor de poder do AF do silicone de NPN (para excitadores do AF e o ganho atual elevado elevado de corrente de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
1029679 | Q62702-D1336 | Transistor de poder do AF do silicone de PNP (para excitadores do AF e o ganho atual elevado elevado de corrente de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
1029680 | Q62702-D1337 | Transistor de poder do AF do silicone de NPN (para excitadores do AF e o ganho atual elevado elevado de corrente de coletor dos estágios da saída) | Siemens |
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