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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
1029921Q62702-F1681Transistor do RF do silicone de PNP (para amplificadores broadband até 2GHz em correntes de coletor até 20mA)Siemens
1029922Q62702-F1685Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 0.5mA a 12mA)Siemens
1029923Q62702-F1771Tetrode do Mosfet Da Canaleta Do Silicone NSiemens
1029924Q62702-F1772Tetrode do MOSFET da canaleta do silicone N (o transistor da Curto-canaleta com fator de qualidade elevado de S/C para a entrada low-noise, ganh-controlada encena até 1 gigahertz)Siemens
1029925Q62702-F1773Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a tensão se operando 5V do 1GHz)Siemens
1029926Q62702-F1774Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a tensão se operando 5V do 1GHz)Siemens
1029927Q62702-F1775Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a tensão se operando 5V do 1GHz)Siemens
1029928Q62702-F1776Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a tensão se operando 5V do 1GHz)Siemens
1029929Q62702-F1794Transistor do RF do silicone de NPN (para o amplificador baixo do ruído do ganho o mais elevado em em 1.8 gigahertz e 2 V) miliampère/2Siemens
1029930Q62702-F182Transistor do campo-Efeito da junção da N-CanaletaSiemens
1029931Q62702-F205Transistor do campo-Efeito da junção da N-CanaletaSiemens
1029932Q62702-F209Transistor do campo-Efeito da junção da N-CanaletaSiemens
1029933Q62702-F219TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE N-CHANNELSiemens
1029934Q62702-F236Transistor do campo-Efeito da junção da N-CanaletaSiemens
1029935Q62702-F250TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE N-CHANNELSiemens
1029936Q62702-F254TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE N-CHANNELSiemens
1029937Q62702-F296TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN PARA O AMPLIFICADOR BROADBAND DO RFSiemens
1029938Q62702-F311TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE PNPSiemens



1029939Q62702-F315TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPNSiemens
1029940Q62702-F316TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPNSiemens
1029941Q62702-F317TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPNSiemens
1029942Q62702-F319TRANSISTOR BROADBAND DO RF DO SILICONE DE NPNSiemens
1029943Q62702-F320TRANSISTOR BROADBAND DO RF DO SILICONE DE NPNSiemens
1029944Q62702-F321TRANSISTOR BROADBAND DO RF DO SILICONE DE NPNSiemens
1029945Q62702-F346-S1TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN PARA AMPLIFICADORES BROADBAND DE LOW-NOISE RFSiemens
1029946Q62702-F347-S1TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN PARA AMPLIFICADORES BROADBAND DE LOW-NOISE RF E APLICAÇÕES HIGH-SPEED DO SWITCHINGSiemens
1029947Q62702-F348transistor do rf do silicone do npnSiemens
1029948Q62702-F349transistor do rf do silicone do npnSiemens
1029949Q62702-F35TRIODE do MOSFET da CANALETA do SILICONE N (para estágios de alta freqüência até 300 megahertz, preferivelmente na potencialidade elevada da sobrecarga das aplicações de FM)Siemens
1029950Q62702-F350TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPNSiemens
1029951Q62702-F354Transistor do Rf Do Silicone de NPNSiemens
1029952Q62702-F365TRANSISTOR BROADBAND DO RF DO SILICONE DE NPNSiemens
1029953Q62702-F390TRANSISTOR BROADBAND DO RF DO SILICONE DE NPNSiemens
1029954Q62702-F393TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE N-CHANNELSiemens
1029955Q62702-F395TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPNSiemens
1029956Q62702-F396TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPNSiemens
1029957Q62702-F408TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNPSiemens
1029958Q62702-F414TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE NPNSiemens
1029959Q62702-F42Transistor do RF do silicone de NPN (para aplicações do amplificador e do oscilador nos Tevê-tV-tuners)Siemens
1029960Q62702-F456TRANSISTOR BROADBAND DO SILICONE EXTREMAMENTE BAIXO DO RUÍDO NPNSiemens
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