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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
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1057842RN1104FTTipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
1057843RN1104MFVViés resistor embutido transistor (BRT)TOSHIBA
1057844RN1105Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
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1057854RN1106FTTipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
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1057876RN1110FTipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
1057877RN1110FTTipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
1057878RN1110MFVViés resistor embutido transistor (BRT)TOSHIBA
1057879RN1111Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
1057880RN1111REDE TRANSPORTADA DO RESISTORCalifornia Micro Devices Corp
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