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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
1058121RN2007Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
1058122RN2008Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
1058123RN2009Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
1058124RN2010Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
1058125RN2011Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
1058126RN2101Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
1058127RN2101ACTViés resistor embutido transistor (BRT)TOSHIBA
1058128RN2101CTViés resistor embutido transistor (BRT)TOSHIBA
1058129RN2101FTipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
1058130RN2101FTTipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
1058131RN2101MFVViés resistor embutido transistor (BRT)TOSHIBA
1058132RN2102Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
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1058135RN2102FTipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
1058136RN2102FTTipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
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1058138RN2103Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA



1058139RN2103ACTViés resistor embutido transistor (BRT)TOSHIBA
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1058141RN2103FTipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
1058142RN2103FTTipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
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1058159RN2106FTipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
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