Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
1058121 | RN2007 | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058122 | RN2008 | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058123 | RN2009 | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058124 | RN2010 | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058125 | RN2011 | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058126 | RN2101 | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058127 | RN2101ACT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058128 | RN2101CT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058129 | RN2101F | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058130 | RN2101FT | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador. | TOSHIBA |
1058131 | RN2101MFV | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058132 | RN2102 | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058133 | RN2102ACT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058134 | RN2102CT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058135 | RN2102F | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058136 | RN2102FT | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador. | TOSHIBA |
1058137 | RN2102MFV | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058138 | RN2103 | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058139 | RN2103ACT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058140 | RN2103CT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058141 | RN2103F | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058142 | RN2103FT | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador. | TOSHIBA |
1058143 | RN2103MFV | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058144 | RN2104 | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058145 | RN2104ACT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058146 | RN2104CT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058147 | RN2104F | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058148 | RN2104FT | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador. | TOSHIBA |
1058149 | RN2104MFV | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058150 | RN2105 | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058151 | RN2105ACT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058152 | RN2105CT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058153 | RN2105F | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058154 | RN2105FT | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador. | TOSHIBA |
1058155 | RN2105MFV | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058156 | RN2106 | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058157 | RN2106ACT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058158 | RN2106CT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058159 | RN2106F | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
1058160 | RN2106FT | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador. | TOSHIBA |
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