| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1143801 | SSM5G01TU | Tipo do MOS da canaleta do silicone P (conversor planar epitaxial do diodo DC-DC de U-MOSII)/Silicon Schottky para DSCs e camcorders | TOSHIBA |
| 1143802 | SSM5G02TU | Dispositivos discretos multi-chip (P-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143803 | SSM5G04TU | Dispositivos discretos multi-chip (P-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143804 | SSM5G06FE | Dispositivos discretos multi-chip (P-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143805 | SSM5G09TU | Dispositivos discretos multi-chip (P-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143806 | SSM5G10TU | Dispositivos discretos multi-chip (P-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143807 | SSM5G11TU | Dispositivos discretos multi-chip (P-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143808 | SSM5H01TU | Dispositivos discretos multi-chip (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143809 | SSM5H05TU | Dispositivos discretos multi-chip (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143810 | SSM5H06FE | Dispositivos discretos multi-chip (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143811 | SSM5H07TU | Dispositivos discretos multi-chip (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143812 | SSM5H08TU | Dispositivos discretos multi-chip (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143813 | SSM5H10TU | Dispositivos discretos multi-chip (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143814 | SSM5H11TU | Dispositivos discretos multi-chip (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143815 | SSM5H12TU | Dispositivos discretos multi-chip (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143816 | SSM5H14F | Dispositivos discretos multi-chip (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143817 | SSM5H16TU | Dispositivos discretos multi-chip (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143818 | SSM5H90ATU | Multi-chip de dispositivo discreto (N-ch + diodo de comutação) | TOSHIBA |
| 1143819 | SSM5H90TU | Multi-chip de dispositivo discreto (N-ch + diodo de comutação) | TOSHIBA |
| 1143820 | SSM5N05FU | Tipo Aplicações De alta velocidade do MOS Da Canaleta Do Silicone N Do Transistor De Efeito De Campo Do Switching | TOSHIBA |
| 1143821 | SSM5N15FE | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 1143822 | SSM5N15FU | Pequenos sinais MOSFET 2 em 1 | TOSHIBA |
| 1143823 | SSM5N16FE | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N Do Transistor De Efeito De Campo Do Switching Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 1143824 | SSM5N16FU | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N Do Transistor De Efeito De Campo Do Switching Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 1143825 | SSM5P05FU | Tipo Aplicações De alta velocidade do MOS Da Canaleta Do Silicone P Do Transistor De Efeito De Campo Do Switching Do Interruptor Da Gerência Do Poder | TOSHIBA |
| 1143826 | SSM5P15FE | Pequenos sinais MOSFET 2 em 1 | TOSHIBA |
| 1143827 | SSM5P15FU | Pequenos sinais MOSFET 2 em 1 | TOSHIBA |
| 1143828 | SSM5P16FE | Pequenos sinais MOSFET 2 em 1 | TOSHIBA |
| 1143829 | SSM6E01TU | Tipo do MOS Da P-Canaleta Do Silicone Do Dispositivo Da Multi-Microplaqueta (U-MOS II) + Tipo do MOS Da N-Canaleta (Planer) Aplicações Do Interruptor Da Carga | TOSHIBA |
| 1143830 | SSM6E03TU | Multi-chip de dispositivo discreto (P-ch-ch + N) | TOSHIBA |
| 1143831 | SSM6G18NU | Dispositivos discretos multi-chip (P-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143832 | SSM6H19NU | Dispositivos discretos multi-chip (N-CH + SBD) | TOSHIBA |
| 1143833 | SSM6J06FU | Tipo Aplicações De alta velocidade do MOS Da Canaleta Do Silicone P Do Transistor De Efeito De Campo Do Switching Do Interruptor Da Gerência Do Poder | TOSHIBA |
| 1143834 | SSM6J07FU | Tipo Aplicações De alta velocidade do MOS Da Canaleta Do Silicone P Do Transistor Do Switching Do Interruptor Da Gerência Do Poder | TOSHIBA |
| 1143835 | SSM6J08FU | Transistor De Efeito De Campo | TOSHIBA |
| 1143836 | SSM6J205FE | MOSFET pequenos sinais | TOSHIBA |
| 1143837 | SSM6J206FE | MOSFET pequenos sinais | TOSHIBA |
| 1143838 | SSM6J207FE | MOSFET pequenos sinais | TOSHIBA |
| 1143839 | SSM6J212FE | MOSFET pequenos sinais | TOSHIBA |
| 1143840 | SSM6J213FE | MOSFET pequenos sinais | TOSHIBA |
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