|   Primeira página   |   Todos os fabricantes   |   Pela Função   |  

Parte número, a descrição fabricante ou conter:    
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 29493 | 29494 | 29495 | 29496 | 29497 | 29498 | 29499 | 29500 | 29501 | 29502 | 29503 | >>
Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
1179881STTS751-0DP3FSensor de temperatura digital local 2.25 V de baixa tensãoST Microelectronics
1179882STTS751-0WB3FSensor de temperatura digital local 2.25 V de baixa tensãoST Microelectronics
1179883STTS751-1DP3FSensor de temperatura digital local 2.25 V de baixa tensãoST Microelectronics
1179884STTS751-1WB3FSensor de temperatura digital local 2.25 V de baixa tensãoST Microelectronics
1179885STTS75DS2FSensor de temperatura digital e watchdog térmicoST Microelectronics
1179886STTS75M2FSensor de temperatura digital e watchdog térmicoST Microelectronics
1179887STU10N60M2N-channel 600 V, 0,55 Ohm tip., 7.5 A MDmesh II Plus (TM) baixo Qg Poder MOSFET no pacote IPAKST Microelectronics
1179888STU10NA50PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVOST Microelectronics
1179889STU10NA50N - TRANSISTOR RÁPIDO Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETASGS Thomson Microelectronics
1179890STU10NB80PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVOST Microelectronics
1179891STU10NB80N - CANALETA 800V - 0.65Ohms - 10A - Mosfet De Max220 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1179892STU10NC70ZPRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVOST Microelectronics
1179893STU10NC70ZIPRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVOST Microelectronics
1179894STU10NM60NN-channel 600 V, 0,53 Ohm, 10 A, IPAK MDmesh (TM) II Poder MOSFETST Microelectronics
1179895STU10P6F6P-canal 60 V, 0,13 Ohm tip., 10 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET no pacote IPAKST Microelectronics
1179896STU11N65M2N-channel 650 V, 0,6 Ohm tip., 7 A MDmesh II Plus (TM) baixo Qg Poder MOSFET no pacote IPAKST Microelectronics
1179897STU11NB60PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVOST Microelectronics
1179898STU11NB60N-CHANNEL 600V - 0.5Ohm - 11A - Mosfet De Max220 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1179899STU11NC60PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVOST Microelectronics



1179900STU11NC60N-CHANNEL 600V - 0.48Ohm - Mosfet De 11A Max220 PowerMesh IISGS Thomson Microelectronics
1179901STU1224NTransistor De Efeito De Campo Da Modalidade Do Realce Da N-CanaletaSamHop Microelectronics Corp.
1179902STU1224NTransistor De Efeito De Campo Da Modalidade Do Realce Da N-CanaletaSamHop Microelectronics Corp.
1179903STU12N65M5NN-channel 650 V, 0,39 Ohm, 8.5 A MDmesh (TM) V Poder MOSFET IPAKST Microelectronics
1179904STU13005NAlta tensão de comutação rápida de energia NPN transistorST Microelectronics
1179905STU13N60M2N-channel 600 V, 0,35 Ohm tip., 11 A MDmesh II Plus (TM) baixo Qg Poder MOSFET no pacote IPAKST Microelectronics
1179906STU13NB60PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVOST Microelectronics
1179907STU13NB60Mosfet De PowerMESH da MODALIDADE do REALCE de N-CHANNELSGS Thomson Microelectronics
1179908STU13NC50PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVOST Microelectronics
1179909STU13NC50MOSFET DO OHM 13A MAX220 POWERMESH II DE N-CHANNEL 500V 0.31SGS Thomson Microelectronics
1179910STU13NM60NN-channel 600 V, 0,28 Ohm tip., 11 A MDmesh (TM) II Poder MOSFET no pacote IPAKST Microelectronics
1179911STU14NA50PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVOST Microelectronics
1179912STU14NA50PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVOSGS Thomson Microelectronics
1179913STU14NA50N - TRANSISTOR RÁPIDO Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETASGS Thomson Microelectronics
1179914STU16N65M2N-channel 650 V, 0,32 Ohm tip., 11 A MDmesh M2 Poder MOSFET no pacote IPAKST Microelectronics
1179915STU16NB50PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVOST Microelectronics
1179916STU16NB50N-CHANNEL 500V - 0.28W - Mosfet De 15.6A-Max220 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1179917STU16NC50PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVOST Microelectronics
1179918STU16NC50MOSFET DO OHM 16A MAX220 POWERMESH II DE N-CHANNEL 500V 0.22SGS Thomson Microelectronics
1179919STU1HN60K3N-channel 600 V, 6,4 Ohm tip., 1.2 A, SuperMESH3 (TM) MOSFET no pacote IPAKST Microelectronics
1179920STU2071CIRCUITO De RELAÇÃO De 4B3T USGS Thomson Microelectronics
Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 29493 | 29494 | 29495 | 29496 | 29497 | 29498 | 29499 | 29500 | 29501 | 29502 | 29503 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com