Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
1197841 | TC55WD818FF-150 | 524.288-524,288-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 18-BIT SYNCHRONOUS NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
1197842 | TC55WD818FF-167 | 524.288-524,288-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 18-BIT SYNCHRONOUS NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
1197843 | TC55WD836FF-133 | 262.144-262,144-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 36-BIT SYNCHRONOUS NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
1197844 | TC55WD836FF-150 | 262.144-262,144-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 36-BIT SYNCHRONOUS NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
1197845 | TC55WD836FF-167 | 262.144-262,144-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 36-BIT SYNCHRONOUS NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
1197846 | TC55WDM518AFFN15 | palavra pipelined 2.5V de 36M NtRAM TM 2M pela RAM da ESTÁTICA de 18Bit SYNCHRONOUS NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
1197847 | TC55WDM518AFFN16 | palavra pipelined 2.5V de 36M NtRAM TM 2M pela RAM da ESTÁTICA de 18Bit SYNCHRONOUS NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
1197848 | TC55WDM518AFFN20 | palavra pipelined 2.5V de 36M NtRAM TM 2M pela RAM da ESTÁTICA de 18Bit SYNCHRONOUS NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
1197849 | TC55WDM518AFFN22 | palavra pipelined 2.5V de 36M NtRAM TM 2M pela RAM da ESTÁTICA de 18Bit SYNCHRONOUS NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
1197850 | TC55WDM536AFFN15 | palavra pipelined 2.5V do 1M de 36M NtRAM TM pela RAM da ESTÁTICA de 36Bit SYNCHRONOUS NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
1197851 | TC55WDM536AFFN16 | palavra pipelined 2.5V do 1M de 36M NtRAM TM pela RAM da ESTÁTICA de 36Bit SYNCHRONOUS NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
1197852 | TC55WDM536AFFN20 | palavra pipelined 2.5V do 1M de 36M NtRAM TM pela RAM da ESTÁTICA de 36Bit SYNCHRONOUS NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
1197853 | TC55WDM536AFFN22 | palavra pipelined 2.5V do 1M de 36M NtRAM TM pela RAM da ESTÁTICA de 36Bit SYNCHRONOUS NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
1197854 | TC55YEM216ABXN-55 | 262.144-262,144-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 16-BIT CHEIO CMOS | TOSHIBA |
1197855 | TC55YEM216ABXN-70 | 262.144-262,144-WORD PELA RAM DA ESTÁTICA DE 16-BIT CHEIO CMOS | TOSHIBA |
1197856 | TC56 | O TC56 é uma fonte baixa atual (typ do µA 11 em VOUT = 3V), regulador linear do CMOS da saída baixa, com uma escala de tensão de entrada 10V máxima. A construção do CMOS elimina a corrente à terra desperdiçada típica de regulad | Microchip |
1197857 | TC562502ECT | 150mA, 10V LDO com parada programada | Microchip |
1197858 | TC562502ECT | 150mA, 10V LDO com parada programada | Microchip |
1197859 | TC563002ECT | 150mA, 10V LDO com parada programada | Microchip |
1197860 | TC563002ECT | 150mA, 10V LDO com parada programada | Microchip |
1197861 | TC563302ECT | 150mA, 10V LDO com parada programada | Microchip |
1197862 | TC563302ECT | 150mA, 10V LDO com parada programada | Microchip |
1197863 | TC57 | O TC57 é um controlador baixo do regulador da saída que se opere com um transistor externo da passagem de PNP, permitindo que o usuário costure as características de LDO ao terno a aplicação na mão. Isto resulta em uma operação | Microchip |
1197864 | TC572502ECT | Linha Controlador Do Regulador | Microchip |
1197865 | TC572502ECT | Linha Controlador Do Regulador | Microchip |
1197866 | TC572502ECTTR | Linha controlador regulador, 2.5V | Microchip |
1197867 | TC573002ECT | Linha Controlador Do Regulador | Microchip |
1197868 | TC573002ECT | Linha Controlador Do Regulador | Microchip |
1197869 | TC573002ECTTR | Linha controlador regulador, 3.0V | Microchip |
1197870 | TC573302ECT | Linha Controlador Do Regulador | Microchip |
1197871 | TC573302ECT | Linha Controlador Do Regulador | Microchip |
1197872 | TC573302ECTTR | Linha controlador regulador, 3.3V | Microchip |
1197873 | TC57512AD-15 | 65.536 PALAVRAS x 8 SOMENTE MEMÓRIAS LIDAS APAGÁVEIS do CMOS dos BOCADOS E ELETRICAMENTE PROGRAMÁVEIS UV | etc |
1197874 | TC57512AD-15 | 65.536 PALAVRAS x 8 SOMENTE MEMÓRIAS LIDAS APAGÁVEIS do CMOS dos BOCADOS E ELETRICAMENTE PROGRAMÁVEIS UV | etc |
1197875 | TC57512AD-15 | 150ns; V (cc): -0,6 a + 7V; 1.5W; 65.536 palavras x 8 bits CMOS UV apagável e programável eletricamente memória apenas para leitura | TOSHIBA |
1197876 | TC57512AD-20 | 65.536 PALAVRAS x 8 SOMENTE MEMÓRIAS LIDAS APAGÁVEIS do CMOS dos BOCADOS E ELETRICAMENTE PROGRAMÁVEIS UV | etc |
1197877 | TC57512AD-20 | 65.536 PALAVRAS x 8 SOMENTE MEMÓRIAS LIDAS APAGÁVEIS do CMOS dos BOCADOS E ELETRICAMENTE PROGRAMÁVEIS UV | etc |
1197878 | TC57512AD-20 | 200ns; V (cc): -0,6 a + 7V; 1.5W; 65.536 palavras x 8 bits CMOS UV apagável e programável eletricamente memória apenas para leitura | TOSHIBA |
1197879 | TC581282A | BOCADOS De 128-MBIT (16M X 8) Cmos Nand E2PROM | TOSHIBA |
1197880 | TC581282A | BOCADOS De 128-MBIT (16M X 8) Cmos Nand E2PROM | TOSHIBA |
| | | |