| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1314561 | W49V002FA | 3.3-Volt 256Kx8 flash | Winbond Electronics |
| 1314562 | W49V002FAP | 256K X MEMÓRIA FLASH De 8 Cmos COM RELAÇÃO De FWH | Winbond Electronics |
| 1314563 | W49V002FAQ | 256K X MEMÓRIA FLASH De 8 Cmos COM RELAÇÃO De FWH | Winbond Electronics |
| 1314564 | W4NRD0X-0000 | Diâmetro: 50,8 milímetros; Substratos LCW; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônicos, III-V depos | CREE POWER |
| 1314565 | W4NRD8C-U000 | Diâmetro: 50,8 milímetros; ultra-baixa densidade mircopipe; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrôn | CREE POWER |
| 1314566 | W4NXD8C-0000 | Diâmetro: 50,8 milímetros; densidade mircopipe standatd; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônico | CREE POWER |
| 1314567 | W4NXD8C-L000 | Diâmetro: 50,8 milímetros; baixa densidade mircopipe; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônicos, | CREE POWER |
| 1314568 | W4NXD8C-S000 | Diâmetro: 50,8 milímetros; selecionar densidade mircopipe; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrôni | CREE POWER |
| 1314569 | W4NXD8D-0000 | Diâmetro: 50,8 milímetros; densidade mircopipe standatd; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônico | CREE POWER |
| 1314570 | W4NXD8D-S000 | Diâmetro: 50,8 milímetros; selecionar densidade mircopipe; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrôni | CREE POWER |
| 1314571 | W4NXD8G-0000 | Diâmetro: 50,8 milímetros; densidade mircopipe standatd; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônico | CREE POWER |
| 1314572 | W51300 | CONTROLADOR FLASH DE VR | Winbond Electronics |
| 1314573 | W5230 | Synthesizer com 4 disparadores, STA de ADPCM, STB, STC, RO (controlador de Romless) | Winbond Electronics |
| 1314574 | W5231 | Synthesizer com 4 disparadores, STA de ADPCM, STB, STC, R0 (3 segundos @6.7K) | Winbond Electronics |
| 1314575 | W5232 | Synthesizer com 4 disparadores, STA de ADPCM, STB, STC, R0 (6 segundos @6.7K) | Winbond Electronics |
| 1314576 | W5233 | Synthesizer com 4 disparadores, STA de ADPCM, STB, STC, R0 (9 segundos @6.7K) | Winbond Electronics |
| 1314577 | W5234 | Synthesizer com 4 disparadores, STA de ADPCM, STB, STC, R0 (12 segundos @6.7K) | Winbond Electronics |
| 1314578 | W523A008 | Disparadores do synthesizer w/4 da voz, 5 batentes, R0-R3, relação do µC, PWM/DAC (8 segundo) | Winbond Electronics |
| 1314579 | W523A010 | Disparadores do synthesizer w/4 da voz, 5 batentes, R0-R3, relação do µC, PWM/DAC (10 segundo) | Winbond Electronics |
| 1314580 | W523A012 | Disparadores do synthesizer w/4 da voz, 5 batentes, R0-R3, relação do µC, PWM/DAC (12 segundo) | Winbond Electronics |
| 1314581 | W523A015 | Disparadores do synthesizer w/4 da voz, 5 batentes, R0-R3, relação do µC, PWM/DAC (15 segundo) | Winbond Electronics |
| 1314582 | W523A020 | Disparadores do synthesizer w/4 da voz, 5 batentes, R0-R3, relação do µC, PWM/DAC (20 segundo) | Winbond Electronics |
| 1314583 | W523A025 | Disparadores do synthesizer w/4 da voz, 5 batentes, R0-R3, relação do µC, PWM/DAC (25 segundo) | Winbond Electronics |
| 1314584 | W523A030 | Disparadores do synthesizer w/4 da voz, 5 batentes, R0-R3, relação do µC, PWM/DAC (30 segundo) | Winbond Electronics |
| 1314585 | W523A040 | Disparadores do synthesizer w/4 da voz, 5 batentes, R0-R3, relação do µC, PWM/DAC (40 segundo) | Winbond Electronics |
| 1314586 | W523A050 | Disparadores do synthesizer w/4 da voz, 5 batentes, R0-R3, relação do µC, PWM/DAC (50 segundo) | Winbond Electronics |
| 1314587 | W523A060 | Disparadores do synthesizer w/4 da voz, 5 batentes, R0-R3, relação do µC, PWM/DAC (60 segundo) | Winbond Electronics |
| 1314588 | W523A070 | Disparadores do synthesizer w/4 da voz, 5 batentes, R0-R3, relação do µC, PWM/DAC (70 segundo) | Winbond Electronics |
| 1314589 | W523A080 | Disparadores do synthesizer w/4 da voz, 5 batentes, R0-R3, relação do µC, PWM/DAC (80 segundo) | Winbond Electronics |
| 1314590 | W523A100 | Disparadores do synthesizer w/4 da voz, 5 batentes, R0-R3, relação do µC, PWM/DAC (100 segundo) | Winbond Electronics |
| 1314591 | W523A120 | Disparadores do synthesizer w/4 da voz, 5 batentes, R0-R3, relação do µC, PWM/DAC (120 segundo) | Winbond Electronics |
| 1314592 | W523AXXX | DISCURSO DO PODER DO FIDELITY ELEVADO | Winbond Electronics |
| 1314593 | W523M02 | Synthesizer da voz de MDPCM (2 minutos PowerSpeech) | Winbond Electronics |
| 1314594 | W523S08 | Synthesizer da voz de MDPCM (8 segundos PowerSpeech) | Winbond Electronics |
| 1314595 | W523S10 | Synthesizer da voz de MDPCM (10 segundos PowerSpeech) | Winbond Electronics |
| 1314596 | W523S12 | Synthesizer da voz de MDPCM (12 segundos PowerSpeech) | Winbond Electronics |
| 1314597 | W523S15 | Synthesizer da voz de MDPCM (15 segundos PowerSpeech) | Winbond Electronics |
| 1314598 | W523S20 | Synthesizer da voz de MDPCM (20 segundos PowerSpeech) | Winbond Electronics |
| 1314599 | W523S25 | Synthesizer da voz de MDPCM (25 segundos PowerSpeech) | Winbond Electronics |
| 1314600 | W523S30 | Synthesizer da voz de MDPCM (30 segundos PowerSpeech) | Winbond Electronics |
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