| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 195281 | BF491 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 195282 | BF492 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 195283 | BF493 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 195284 | BF493S | Transistor(PNP) De alta tensão | Motorola |
| 195285 | BF493S | Plástico PNP Do Silicone Do Transistor | ON Semiconductor |
| 195286 | BF493S-D | Silicone De alta tensão Do Transistor PNP | ON Semiconductor |
| 195287 | BF494 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 195288 | BF494 | Transistor médios da freqüência de NPN | Philips |
| 195289 | BF494B | Transistor médios da freqüência de NPN | Philips |
| 195290 | BF495 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 195291 | BF495 | Transistor médios da freqüência de NPN | Philips |
| 195292 | BF495B | Transistor médios da freqüência de NPN | Philips |
| 195293 | BF502 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 195294 | BF503 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 195295 | BF505 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 195296 | BF506 | Transistor do Rf Do Silicone de PNP | Infineon |
| 195297 | BF506 | Transistor do RF do silicone de PNP (para estágios do misturador e do oscilador do VHF) | Siemens |
| 195298 | BF507 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 195299 | BF510 | transistor do field-effect do silicone da N-canaleta | Philips |
| 195300 | BF511 | transistor do field-effect do silicone da N-canaleta | Philips |
| 195301 | BF512 | transistor do field-effect do silicone da N-canaleta | Philips |
| 195302 | BF513 | transistor do field-effect do silicone da N-canaleta | Philips |
| 195303 | BF517 | RF-Bipolar - para aplicações do amplificador e do oscilador nos Tevê-tV-tuners | Infineon |
| 195304 | BF517 | Transistor do RF do silicone de NPN (para aplicações do amplificador e do oscilador nos Tevê-tV-tuners) | Siemens |
| 195305 | BF519 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 195306 | BF520 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 195307 | BF521 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 195308 | BF543 | RF-MOSFET - VDS=15V, gfs=12mS, Gp=22dB, F=1dB | Infineon |
| 195309 | BF543 | Triode do FET do MOS da canaleta do silicone N (para o RF encena até 300 megahertz preferivelmente em aplicações de FM) | Siemens |
| 195310 | BF545A | transistor do field-effect da junção do silicone da N-canaleta | Philips |
| 195311 | BF545B | transistor do field-effect da junção do silicone da N-canaleta | Philips |
| 195312 | BF545C | transistor do field-effect da junção do silicone da N-canaleta | Philips |
| 195313 | BF547 | NPN transistor do wideband de 1 gigahertz | Philips |
| 195314 | BF547W | NPN transistor do wideband de 1 gigahertz | Philips |
| 195315 | BF550 | Transistor médio da freqüência de PNP | Philips |
| 195316 | BF550 | Transistor do RF do silicone de PNP (para estágios comuns do amplificador do emissor até 300 megahertz para aplicações do misturador em rádios de AM/FM e em tuners da tevê do VHF) | Siemens |
| 195317 | BF554 | Transistor do RF do silicone de NPN (para aplicações small-signal gerais do RF até 300 megahertz em circuitos do amplificador, do misturador e do oscilador) | Siemens |
| 195318 | BF554 | Montagem de superfÃcie PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 195319 | BF556A | transistor do field-effect da junção do silicone da N-canaleta | Philips |
| 195320 | BF556B | transistor do field-effect da junção do silicone da N-canaleta | Philips |
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