| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 226841 | AS4LC1M16E5-50JC | 3V 1M X DRAM De 6 Cmos (EDO) | Alliance Semiconductor |
| 226842 | AS4LC1M16E5-50JI | 3V 1M X DRAM De 6 Cmos (EDO) | Alliance Semiconductor |
| 226843 | AS4LC1M16E5-50TC | 3V 1M X DRAM De 6 Cmos (EDO) | Alliance Semiconductor |
| 226844 | AS4LC1M16E5-50TI | 3V 1M X DRAM De 6 Cmos (EDO) | Alliance Semiconductor |
| 226845 | AS4LC1M16E5-60JC | 3V 1M X DRAM De 6 Cmos (EDO) | Alliance Semiconductor |
| 226846 | AS4LC1M16E5-60JI | 3V 1M X DRAM De 6 Cmos (EDO) | Alliance Semiconductor |
| 226847 | AS4LC1M16E5-60TC | 3V 1M X DRAM De 6 Cmos (EDO) | Alliance Semiconductor |
| 226848 | AS4LC1M16E5-60TI | 3V 1M X DRAM De 6 Cmos (EDO) | Alliance Semiconductor |
| 226849 | AS4LC1M16S1 | DRAM synchronous de 3.3V 2Mx8/1Mx16 CMOS | Alliance Semiconductor |
| 226850 | AS4LC256K16E0-35JC | 3.3V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 35ns RAS tempo de acesso | Alliance Semiconductor |
| 226851 | AS4LC256K16E0-35TC | 3.3V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 35ns RAS tempo de acesso | Alliance Semiconductor |
| 226852 | AS4LC256K16E0-45JC | 3.3V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 45ns RAS tempo de acesso | Alliance Semiconductor |
| 226853 | AS4LC256K16E0-45TC | 3.3V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 45ns RAS tempo de acesso | Alliance Semiconductor |
| 226854 | AS4LC256K16E0-60JC | 3.3V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 60ns RAS tempo de acesso | Alliance Semiconductor |
| 226855 | AS4LC256K16E0-60TC | 3.3V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 60ns RAS tempo de acesso | Alliance Semiconductor |
| 226856 | AS4LC256K16EO | 3.3V 256K x DRAM de 16 CMOS (EDO) | Alliance Semiconductor |
| 226857 | AS4LC2M8S1 | DRAM synchronous de 3.3V 2Mx8/1Mx16 CMOS | Alliance Semiconductor |
| 226858 | AS4LC4M16S0 | DRAM synchronous de 3.3V 4Mx16 e de 8Mx8 CMOS | Alliance Semiconductor |
| 226859 | AS4LC4M16S0 | DRAM synchronous de 3.3V 4Mx16 e de 8Mx8 CMOS | Alliance Semiconductor |
| 226860 | AS4LC4M16S0-10FTC | DRAM synchronous de 3.3V 4Mx16 e de 8Mx8 CMOS | Alliance Semiconductor |
| 226861 | AS4LC4M16S0-10TC | DRAM synchronous de 3.3V 4Mx16 e de 8Mx8 CMOS | Alliance Semiconductor |
| 226862 | AS4LC4M16S0-75TC | DRAM synchronous de 3.3V 4Mx16 e de 8Mx8 CMOS | Alliance Semiconductor |
| 226863 | AS4LC4M16S0-8TC | DRAM synchronous de 3.3V 4Mx16 e de 8Mx8 CMOS | Alliance Semiconductor |
| 226864 | AS4LC4M4 | 4 megohns x 4 DRAM 3.3V, MODALIDADE da PÁGINA do EDO | Austin Semiconductor |
| 226865 | AS4LC4M4883C | 4 meg x 4 DRAM, modo de página 3.3V EDO | Austin Semiconductor |
| 226866 | AS4LC4M4E0 | família do DRAM de 4M x 4 CMOS (EDO) | Alliance Semiconductor |
| 226867 | AS4LC4M4E1 | família do DRAM de 4M x 4 CMOS (EDO) | Alliance Semiconductor |
| 226868 | AS4LC8M8S0 | DRAM synchronous de 3.3V 4Mx16 e de 8Mx8 CMOS | Alliance Semiconductor |
| 226869 | AS4LC8M8S0 | DRAM synchronous de 3.3V 4Mx16 e de 8Mx8 CMOS | Alliance Semiconductor |
| 226870 | AS4LC8M8S0-10FTC | DRAM synchronous de 3.3V 4Mx16 e de 8Mx8 CMOS | Alliance Semiconductor |
| 226871 | AS4LC8M8S0-10TC | DRAM synchronous de 3.3V 4Mx16 e de 8Mx8 CMOS | Alliance Semiconductor |
| 226872 | AS4LC8M8S0-75TC | DRAM synchronous de 3.3V 4Mx16 e de 8Mx8 CMOS | Alliance Semiconductor |
| 226873 | AS4LC8M8S0-8TC | DRAM synchronous de 3.3V 4Mx16 e de 8Mx8 CMOS | Alliance Semiconductor |
| 226874 | AS4SD4M16 | 4 megohns x 16 SDRAM | Austin Semiconductor |
| 226875 | AS5020 | CODIFICADOR MAGNÉTICO DA POSIÇÃO 6-BIT ANGULAR COM RELAÇÃO DE SÉRIE | Austria Mikro Systems |
| 226876 | AS5020T | CODIFICADOR MAGNÉTICO DA POSIÇÃO 6-BIT ANGULAR COM RELAÇÃO DE SÉRIE | Austria Mikro Systems |
| 226877 | AS535 | 2.5 V Referência/Amplificador Da Precisão | ASTEC Semiconductor |
| 226878 | AS535D | 2.5 V Referência/Amplificador Da Precisão | ASTEC Semiconductor |
| 226879 | AS535DBV | 2.5 V Referência/Amplificador Da Precisão | ASTEC Semiconductor |
| 226880 | AS535SIP | 2.5 V Referência/Amplificador Da Precisão | ASTEC Semiconductor |
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