| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 248561 | BAVP21 | Dioda prze..czaj.ca | Ultra CEMI |
| 248562 | BAVP21 | Impulsowa de Dioda | Ultra CEMI |
| 248563 | BAW100 | Disposição do diodo do switching do silicone para o hig... | Infineon |
| 248564 | BAW100 | Disposição do diodo do switching do silicone (para diodos eletricamente isolados de alta velocidade do switching) | Siemens |
| 248565 | BAW100 | Diodo Do Switching de SMD Duplo | Central Semiconductor |
| 248566 | BAW101 | Diodos da finalidade geral - disposição do diodo do switching do silicone com diodos medium-speed | Infineon |
| 248567 | BAW101 | Disposição do diodo do switching do silicone (diodos medium-speed de alta tensão eletricamente isolados) | Siemens |
| 248568 | BAW101 | DIODOS DE ALTA TENSÃO DUPLOS, ISOLADOS DO SWITCHING | Central Semiconductor |
| 248569 | BAW101 | BAW101; Diodo dobro de alta tensão | Philips |
| 248570 | BAW101 | DUAL/DIODO DE ALTA TENSÃO ISOLADO DO SWITCHING | Central Semiconductor |
| 248571 | BAW101 | Alta tensão diodo duplo | NXP Semiconductors |
| 248572 | BAW101 | Discretos - Diodes (menos de 0.5A) - diodos de comutação | Diodes |
| 248573 | BAW101-7 | Discretos - Diodes (menos de 0.5A) - diodos de comutação | Diodes |
| 248574 | BAW101S | Diodo dobro de alta tensão | Philips |
| 248575 | BAW101S | BAW101S; Diodo dobro de alta tensão | Philips |
| 248576 | BAW101S | Alta tensão diodo duplo | NXP Semiconductors |
| 248577 | BAW101S | Discretos - Diodes (menos de 0.5A) - diodos de comutação | Diodes |
| 248578 | BAW101S-7 | Discretos - Diodes (menos de 0.5A) - diodos de comutação | Diodes |
| 248579 | BAW101V | Discretos - Diodes (menos de 0.5A) - diodos de comutação | Diodes |
| 248580 | BAW101V-7 | Discretos - Diodes (menos de 0.5A) - diodos de comutação | Diodes |
| 248581 | BAW156 | diodo dobro do Baixo-escapamento | Philips |
| 248582 | BAW156 | Diodos Do Switching | Diodes |
| 248583 | BAW156 | Diodos Da Finalidade Geral - Disposição Baixa Do Diodo Do Escapamento Do Silicone | Infineon |
| 248584 | BAW156 | Disposição baixa do diodo do escapamento do silicone (o switching médio da velocidade das aplicações do Baixo-escapamento cronometra o ânodo comum) | Siemens |
| 248585 | BAW156 | Low-escapamento duplo diodo | NXP Semiconductors |
| 248586 | BAW156-7-F | Diodos de comutação | Diodes |
| 248587 | BAW156LT1 | Diodo Duplo Monolítico Do Switching | Leshan Radio Company |
| 248588 | BAW156T | Diodos Do Switching | Diodes |
| 248589 | BAW156T-7-F | Diodos de comutação | Diodes |
| 248590 | BAW222 | Diodos para aplicações de alta velocidade do switching | Infineon |
| 248591 | BAW27 | Diodo Do Switching | Vishay |
| 248592 | BAW56 | Diodo dobro de alta velocidade | Philips |
| 248593 | BAW56 | Diodo Ultra Rápido Elevado Do Conductance | National Semiconductor |
| 248594 | BAW56 | Diodo De Sinal Pequeno | Fairchild Semiconductor |
| 248595 | BAW56 | Diodos > diodos padrão padrão & euro de JEDEC > tipo da montagem de superfície | ROHM |
| 248596 | BAW56 | Diodo Duplo Do Switching | Vishay |
| 248597 | BAW56 | ÂNODO DE ALTA VELOCIDADE PLANAR DA TERRA COMUM DO PAR DO DIODO DO SWITCHING DO SILICONE SOT23 | Zetex Semiconductors |
| 248598 | BAW56 | Diodos Do Switching | Diodes |
| 248599 | BAW56 | Diodos De Sinal Pequenos | General Semiconductor |
| 248600 | BAW56 | Diodos da finalidade geral - disposição do diodo do switching do silicone com cátodo comum | Infineon |
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