| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 249001 | BB419 | Diodo variável da capacidade do silicone (para aplicações de circuito ajustadas VHF) | Siemens |
| 249002 | BB41931 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 249003 | BB439 | Varactordiodes - diodo variável da capacidade do silicone para aplicações de circuito ajustadas VHF | Infineon |
| 249004 | BB439 | Diodo variável da capacidade do silicone (para a figura elevada ajustada VHF de aplicações de circuito do mérito) | Siemens |
| 249005 | BB501 | Configuração em inclinar o amplificador do IC UHF/VHF RF do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249006 | BB501C | Configuração em inclinar o amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do RF do IC do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249007 | BB501C | Amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do Rf do IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 249008 | BB501C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249009 | BB501M | Configuração em inclinar o amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do RF do IC do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249010 | BB501M | Amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do Rf do IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 249011 | BB501M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249012 | BB502 | Configuração em inclinar o amplificador do IC UHF/VHF RF do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249013 | BB502C | Configuração em inclinar o amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do RF do IC do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249014 | BB502C | Amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do Rf do IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 249015 | BB502C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249016 | BB502M | Amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do Rf do IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 249017 | BB502M | Configuração em inclinar o amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do RF do IC do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249018 | BB502M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249019 | BB503 | Configuração em inclinar o amplificador do IC UHF/VHF RF do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249020 | BB503C | Amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do Rf do IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 249021 | BB503C | Configuração em inclinar o amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do RF do IC do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249022 | BB503C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249023 | BB503M | Amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do Rf do IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 249024 | BB503M | Configuração em inclinar o amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do RF do IC do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249025 | BB503M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249026 | BB504C | Amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do Rf do IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 249027 | BB504C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249028 | BB504M | Amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do Rf do IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 249029 | BB504M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249030 | BB505C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249031 | BB505M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249032 | BB512 | Diodo variável da capacidade do silicone (para a escala ajustando especificada aplicações ajustando 1 do AM. 8 V) | Siemens |
| 249033 | BB515 | Diodo variável da capacidade do silicone (para da relação grande da capacidade dos tuners da frequência ultraelevada e do VHF TV/VTR resistência baixa da série) | Siemens |
| 249034 | BB535 | Varactordiodes - diodo variável da capacidade do silicone para tuners da frequência ultraelevada e do TV/TR | Infineon |
| 249035 | BB535 | Diodo variável da capacidade do silicone (para relação grande da capacidade dos tuners da frequência ultraelevada e do TV/TR, série baixa da resistência) | Siemens |
| 249036 | BB535 | Diodo Variável Da Capacidade Do Silicone | Leshan Radio Company |
| 249037 | BB545 | Varactordiodes - diodo ajustando do silicone para tuners da tevê da frequência ultraelevada e do VHF | Infineon |
| 249038 | BB545 | Diodo ajustando do silicone (para ajustar a relação grande da capacidade dos tuners da tevê da frequência ultraelevada e do VHF, a série baixa da resistência) | Siemens |
| 249039 | BB555 | Varactordiodes - diodo ajustando do silicone para os tuners DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA da tevê | Infineon |
| 249040 | BB555 | Diodo ajustando do silicone (para da relação elevada da capacidade dos Frequência-Tevê-uHF-TV-tuners a indutância baixa da série) | Siemens |
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