| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 249481 | BC168B | 0.300W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 20V VCEO, 0.100A Ic, 180-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249482 | BC168C | 0.300W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 20V, 0.100A Ic, 380-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249483 | BC169 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 249484 | BC169 | 0.300W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 20V, 0.050A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249485 | BC169B | 0.300W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 20V VCEO, 0.050A Ic, 180-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249486 | BC169C | 0.300W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 20V, 0.050A Ic, 380-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249487 | BC171 | DO SILICONE BAIXO ELEVADO DO RUÍDO DO GANHO DE NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR | Micro Electronics |
| 249488 | BC171 | 0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 45V, 0.100A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249489 | BC171A | 0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 45V, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249490 | BC171B | 0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 45V VCEO, 0.100A Ic, 180-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249491 | BC172 | DO SILICONE BAIXO ELEVADO DO RUÍDO DO GANHO DE NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR | Micro Electronics |
| 249492 | BC172 | 0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 25V, 0.100A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249493 | BC172A | 0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 25V, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249494 | BC172B | 0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 25V VCEO, 0.100A Ic, 180-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249495 | BC172C | 0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 25V, 0.100A Ic, 380-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249496 | BC173 | DO SILICONE BAIXO ELEVADO DO RUÍDO DO GANHO DE NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR | Micro Electronics |
| 249497 | BC174 | 0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 65V, 0.100A Ic, 120-450 hFE | Continental Device India Limited |
| 249498 | BC174A | 0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 65V, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249499 | BC174B | 0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 65V, 0.100A Ic, 180-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249500 | BC177 | AMPLIFICADORES AUDIO BAIXOS DE FINALIDADE GERAL DO RUÍDO | ST Microelectronics |
| 249501 | BC177 | Mocy de Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ej | Ultra CEMI |
| 249502 | BC177 | Mocy krzemowy de Tranzystor ma.ej, ma.ej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 249503 | BC177 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 249504 | BC177 | AMPLIFICADORES AUDIO BAIXOS DE FINALIDADE GERAL DO RUÍDO | SGS Thomson Microelectronics |
| 249505 | BC177 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 249506 | BC177 | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 249507 | BC177 | 0.600W Uso Geral PNP metal pode transistor. VCEO 45V, 0.200A Ic, 120-460 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249508 | BC177A | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 249509 | BC177A | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 249510 | BC177A | 0.600W Uso Geral PNP metal pode transistor. VCEO 45V, 0.200A Ic, 120-220 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249511 | BC177B | AMPLIFICADORES AUDIO BAIXOS DE FINALIDADE GERAL DO RUÍDO | ST Microelectronics |
| 249512 | BC177B | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 249513 | BC177B | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 249514 | BC177B | 0.600W Uso Geral PNP metal pode transistor. 45V VCEO, 0.200A Ic, 180-460 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249515 | BC177C | 0.600W Uso Geral PNP metal pode transistor. VCEO 45V, 0.200A Ic, 380-800 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249516 | BC178 | Mocy krzemowy de Tranzystor ma.ej, ma.ej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 249517 | BC178 | Mocy de Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ej | Ultra CEMI |
| 249518 | BC178 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 249519 | BC178 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 249520 | BC178 | 0.600W Uso Geral PNP metal pode transistor. VCEO 25V, 0.200A Ic, 120-800 hFE. | Continental Device India Limited |
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