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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
249761BC298EXCITADORES AUDIOST Microelectronics
249762BC298V (CES): 30V; V (CEO): 25V; V (EBO): 5V; 1A; driver de áudioSGS Thomson Microelectronics
249763BC2I4AMPLIFICADORES & EXCITADORES PEQUENOS DO SINAL DO AF DO SILICONE COMPLEMENTARMicro Electronics
249764BC2I4LAMPLIFICADORES & EXCITADORES PEQUENOS DO SINAL DO AF DO SILICONE COMPLEMENTARMicro Electronics
249765BC300AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
249766BC300Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
249767BC3000.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE.Continental Device India Limited
249768BC300-40.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 40-80 hFE.Continental Device India Limited
249769BC300-50.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 70-140 hFE.Continental Device India Limited
249770BC300-60.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 80V, 0.500A Ic, 120-240 hFE.Continental Device India Limited
249771BC301AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
249772BC301Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
249773BC3010.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE.Continental Device India Limited
249774BC301-40.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 40-80 hFE.Continental Device India Limited
249775BC301-50.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 70-140 hFE.Continental Device India Limited
249776BC301-60.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 60V, 0.500A Ic, 120-240 hFE.Continental Device India Limited
249777BC302AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
249778BC302Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
249779BC3020.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE.Continental Device India Limited



249780BC302-40.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 40-80 hFE.Continental Device India Limited
249781BC302-50.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 70-140 hFE.Continental Device India Limited
249782BC302-60.850W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 45V, 0.500A Ic, 120-240 hFE.Continental Device India Limited
249783BC303AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE DE PNPMicro Electronics
249784BC303Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
249785BC3030.850W Uso Geral PNP metal pode transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE.Continental Device India Limited
249786BC303-40.850W Uso Geral PNP metal pode transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 40-80 hFE.Continental Device India Limited
249787BC303-50.850W Uso Geral PNP metal pode transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 70-140 hFE.Continental Device India Limited
249788BC303-60.850W Uso Geral PNP metal pode transistor. VCEO 60V, 0.500A Ic, 120-240 hFE.Continental Device India Limited
249789BC304AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE DE PNPMicro Electronics
249790BC304Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
249791BC3040.850W Uso Geral PNP metal pode transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE.Continental Device India Limited
249792BC307Aplicações do switching e do amplificadorFairchild Semiconductor
249793BC307Transistor Da Finalidade GeralKorea Electronics (KEC)
249794BC307Mocy de Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ejUltra CEMI
249795BC307TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNPMicro Electronics
249796BC307Transistor da finalidade geral de PNPPhilips
249797BC307Amplificador Transistors(PNP)Motorola
249798BC307Amplificador Transistor PNPON Semiconductor
249799BC3070.350W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 45V, 0.100A Ic, 120-800 hFEContinental Device India Limited
249800BC307Transistor. Aplicações de comutação e amplificador. Tensão coletor-base de Vcbo = -50V. Tensão coletor-emissor VCEO = -45V. Tensão emissor-base Vebo = 5V. Dissipação Collector Pc (max) = 500mW. Coletor de corrente Ic = -100mA.USHA India LTD
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