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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
249841BC308BUTransistor Epitaxial Do Silicone de PNPFairchild Semiconductor
249842BC308CAmplificador Transistors(PNP)Motorola
249843BC308CTransistor Epitaxial Do Silicone de PNPFairchild Semiconductor
249844BC308CSilicone De Transistors(PNP Do Amplificador)ON Semiconductor
249845BC308CBUTransistor Epitaxial Do Silicone de PNPFairchild Semiconductor
249846BC308TATransistor Epitaxial Do Silicone de PNPFairchild Semiconductor
249847BC308TARTransistor Epitaxial Do Silicone de PNPFairchild Semiconductor
249848BC309Aplicações do switching e do amplificadorFairchild Semiconductor
249849BC309Transistor Da Finalidade GeralKorea Electronics (KEC)
249850BC309Mocy de Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ejUltra CEMI
249851BC309TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNPMicro Electronics
249852BC309Transistor. Aplicações de comutação e amplificador. Tensão coletor-base de Vcbo = -30V. Tensão coletor-emissor VCEO = -25V. Tensão emissor-base Vebo = 5V. Dissipação Collector Pc (max) = 500mW. Coletor de corrente Ic = -100mA.USHA India LTD
249853BC309ATRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPFairchild Semiconductor
249854BC309ATRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPFairchild Semiconductor
249855BC309A0.350W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 25V, 0.100A Ic, 120-220 hFEContinental Device India Limited
249856BC309ABUTransistor Epitaxial Do Silicone de PNPFairchild Semiconductor
249857BC309ATATransistor Epitaxial Do Silicone de PNPFairchild Semiconductor
249858BC309BAmplificador Transistors(PNP)Motorola
249859BC309B0.350W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 25V, 0.100A Ic, 200-460 hFEContinental Device India Limited



249860BC309BBUTransistor Epitaxial Do Silicone de PNPFairchild Semiconductor
249861BC309BTATransistor Epitaxial Do Silicone de PNPFairchild Semiconductor
249862BC309CTRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPFairchild Semiconductor
249863BC309CTRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNPFairchild Semiconductor
249864BC309C0.350W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 25V, 0.100A Ic, 420-800 hFEContinental Device India Limited
249865BC309CBUTransistor Epitaxial Do Silicone de PNPFairchild Semiconductor
249866BC313Mocy krzemowy do redniej de Tranzystor, ma.ej cz?otliwo.ciUltra CEMI
249867BC313Mocy de Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ejUltra CEMI
249868BC317TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
249869BC3170.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 45V VCEO, 0.150A Ic, 110-450 hFEContinental Device India Limited
249870BC317A0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 45V VCEO, 0.150A Ic, 110-220 hFEContinental Device India Limited
249871BC317B0.350W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 45V, 0.150A Ic, 200-450 hFEContinental Device India Limited
249872BC318TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
249873BC319TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
249874BC320TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNPMicro Electronics
249875BC3200Retificadores Da Silicone-PonteDiotec Elektronische
249876BC321TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNPMicro Electronics
249877BC322TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNPMicro Electronics
249878BC327Transistor da finalidade geral de PNPPhilips
249879BC327Aplicações do switching e do amplificadorFairchild Semiconductor
249880BC327Transistor Da Finalidade GeralKorea Electronics (KEC)
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