| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 250961 | BC637 | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 250962 | BC637 | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 250963 | BC637 | TRANSISTOR DO SILICONE | Micro Electronics |
| 250964 | BC637 | Transistor do AF do silicone de NPN (corrente de coletor elevada elevada do ganho atual) | Siemens |
| 250965 | BC637 | Transistor Atuais Elevados | Motorola |
| 250966 | BC637 | Transistor Atual Elevado | ON Semiconductor |
| 250967 | BC637 | 0.800W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 1.000A Ic, 40-160 hFE | Continental Device India Limited |
| 250968 | BC637 | Transistor. Aplicações de comutação e amplificador. Vcer = 60V, VCES = 60V, VCEO = 60V, Vebo = 5V, Pc = 1W, Ic = 1A. | USHA India LTD |
| 250969 | BC637-16 | Transistor de poder médios de NPN | Philips |
| 250970 | BC637-16 | 0.800W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 60V, 1.000A Ic, 25 - hFE | Continental Device India Limited |
| 250971 | BC637_D26Z | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250972 | BC637_D27Z | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250973 | BC637_D75Z | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250974 | BC637_L34Z | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250975 | BC638 | Transistor de poder médios de PNP | Philips |
| 250976 | BC638 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250977 | BC638 | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 250978 | BC638 | Transistor do Af Do Silicone de PNP | Infineon |
| 250979 | BC638 | TRANSISTOR DO SILICONE | Micro Electronics |
| 250980 | BC638 | Transistor do AF do silicone de PNP (corrente de coletor elevada elevada do ganho atual) | Siemens |
| 250981 | BC638 | Transistor Atuais Elevados | Motorola |
| 250982 | BC638 | Plástico PNP Do Silicone Do Transistor | ON Semiconductor |
| 250983 | BC638 | 0.800W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 1.000A Ic, 40-160 hFE | Continental Device India Limited |
| 250984 | BC638 | Transistor. Aplicações de comutação e amplificador. Vcer = -60V, VCES = -60V, VCEO = -60V, Vebo = -5V, Pc = 1W, Ic = -1A. | USHA India LTD |
| 250985 | BC638-10 | 0.800W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 60V, 1.000A Ic, 25 - hFE | Continental Device India Limited |
| 250986 | BC638-10 | PNP transistores de potência média | Philips |
| 250987 | BC638-16 | Transistor de poder médios de PNP | Philips |
| 250988 | BC638-16 | 0.800W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 60V, 1.000A Ic, 25 - hFE | Continental Device India Limited |
| 250989 | BC638BU | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250990 | BC638TA | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250991 | BC638TF | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250992 | BC638TFR | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250993 | BC638ZL1 | Plástico PNP Do Silicone Do Transistor | ON Semiconductor |
| 250994 | BC639 | Transistor de poder médios de NPN | Philips |
| 250995 | BC639 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250996 | BC639 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIO PLANAR DO SILICONE DE NPN | Zetex Semiconductors |
| 250997 | BC639 | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 250998 | BC639 | TRANSISTOR DO SILICONE | Micro Electronics |
| 250999 | BC639 | Transistor do AF do silicone de NPN (corrente de coletor elevada elevada do ganho atual) | Siemens |
| 251000 | BC639 | Transistor Atuais Elevados | Motorola |
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