| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 251561 | BC846BWT1 | O CASO 419-02, DENOMINA 3 SOT-323/SC-70 | Motorola |
| 251562 | BC846BWT1 | Finalidade Geral Transisitors | ON Semiconductor |
| 251563 | BC846C | Transistor Bipolares | Diodes |
| 251564 | BC846C | Transistor Duplos Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 251565 | BC846C | Sinal Pequeno Transistor (NPN) | General Semiconductor |
| 251566 | BC846C-G | Sinal Pequeno Transistor, V CBO = 80V, V CEO = 65V, V EBO = 6V, I C, = 0.1A | Comchip Technology |
| 251567 | BC846CMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251568 | BC846CP | Transistor Duplos Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 251569 | BC846CW | Transistor Bipolares | Diodes |
| 251570 | BC846DS | 65 V, 100 mA NPN / NPN de uso geral transistor | NXP Semiconductors |
| 251571 | BC846F | Transistor do silicone de NPN (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 251572 | BC846F | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 251573 | BC846PN | Transistor Da Finalidade Geral - Disposição Do Transistor do Af Do Silicone de NPN/PNP | Infineon |
| 251574 | BC846PN | Disposição do transistor do AF do silicone de NPN/PNP (para estágios da entrada do AF e o ganho atual elevado das aplicações do excitador) | Siemens |
| 251575 | BC846S | Transistor do dobro da finalidade geral de NPN | Philips |
| 251576 | BC846S | Transistor da finalidade geral - disposição do transistor do AF do silicone de NPN para estágios e excitadores da entrada do AF | Infineon |
| 251577 | BC846S | Disposição do transistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e o ganho atual elevado das aplicações do excitador) | Siemens |
| 251578 | BC846S | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251579 | BC846S | NPN de uso geral dupla transistor | NXP Semiconductors |
| 251580 | BC846T | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 251581 | BC846T | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 251582 | BC846T | 65 V, 100 mA NPN de uso geral | NXP Semiconductors |
| 251583 | BC846U | Transistor da finalidade geral - disposição do transistor do AF do silicone de NPN para estágios e excitadores da entrada do AF | Infineon |
| 251584 | BC846U | Transistor do silicone de NPN (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 251585 | BC846UF | Transistor do silicone de NPN (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 251586 | BC846UPN | Transistor Da Finalidade Geral - Disposição Do Transistor do Af Do Silicone de NPN/PNP | Infineon |
| 251587 | BC846W | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 251588 | BC846W | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 251589 | BC846W | Baixo-Ruído-Transistor - pacote SOT323 | Infineon |
| 251590 | BC846W | 65 V, 100 mA NPN de uso geral | NXP Semiconductors |
| 251591 | BC846W | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 251592 | BC846W-BC850W | Transistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 251593 | BC847 | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 251594 | BC847 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251595 | BC847 | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 251596 | BC847 | Transistor Pequenos Do Sinal (NPN) | Vishay |
| 251597 | BC847 | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251598 | BC847 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 251599 | BC847 | Transistor do silicone de NPN (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 251600 | BC847 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL NPN | ST Microelectronics |
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