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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
251841BC847CWTransistor Da Finalidade GeralON Semiconductor
251842BC847CWMontagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-EpitaxialDiotec Elektronische
251843BC847CW45 V, 100 mA NPN de uso geralNXP Semiconductors
251844BC847CWNPN transistor de uso geral e aplicações de comutaçãoKorea Electronics (KEC)
251845BC847CW-13-FTransistores BipolaresDiodes
251846BC847CW-7-FTransistores BipolaresDiodes
251847BC847CW-GSinal Pequeno Transistor, V CBO = 50V, V CEO = 45V, V EBO = 6V, I C, = 0.1AComchip Technology
251848BC847CWT1Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral)Leshan Radio Company
251849BC847CWT1O CASO 419-02, DENOMINA 3 SOT-323/SC-70Motorola
251850BC847CWT1Transistor Da Finalidade GeralON Semiconductor
251851BC847DS45 V, 100 mA NPN / NPN de uso geral transistorNXP Semiconductors
251852BC847FTransistor do silicone de NPN (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral)AUK Corp
251853BC847FTransistor da finalidade geral de NPNPhilips
251854BC847MTransistor da finalidade geral de NPNPhilips
251855BC847MTransistor da finalidade geral de NPNPhilips
251856BC847PNTransistor BipolaresDiodes
251857BC847PNTransistor Da Finalidade Geral - Disposição Do Transistor do Af Do Silicone de NPN/PNPInfineon
251858BC847PNDisposição do transistor do AF do silicone de NPN/PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta)Siemens
251859BC847PN-13-FTransistores BipolaresDiodes



251860BC847PN-7TRANSISTOR PEQUENO DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DO SINAL DO PAR COMPLEMENTARDiodes
251861BC847PN-7-FTransistores BipolaresDiodes
251862BC847QAPN45 V, 100 mA NPN / PNP de uso geral transistorNXP Semiconductors
251863BC847SAmplificador Da Finalidade Geral Da Multi-Microplaqueta de NPNFairchild Semiconductor
251864BC847STransistor da finalidade geral - disposição do transistor do AF do silicone de NPN para estágios e excitadores da entrada do AFInfineon
251865BC847SDisposição do transistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e o ganho atual elevado das aplicações do excitador)Siemens
251866BC847SMontagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-EpitaxialDiotec Elektronische
251867BC847TTransistor da finalidade geral de NPNPhilips
251868BC847T45 V, 100 mA NPN de uso geralNXP Semiconductors
251869BC847UTransistor do silicone de NPN (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral)AUK Corp
251870BC847UFTransistor do silicone de NPN (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral)AUK Corp
251871BC847WTransistor da finalidade geral de NPNPhilips
251872BC847WTransistor da finalidade geral de NPNPhilips
251873BC847WTransistor Da Finalidade GeralKorea Electronics (KEC)
251874BC847WMontagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-EpitaxialDiotec Elektronische
251875BC847W45 V, 100 mA NPN de uso geralNXP Semiconductors
251876BC847WPNP Transistor do AF do siliconeInfineon
251877BC848Transistor Epitaxial Do Silicone de NPNFairchild Semiconductor
251878BC848Transistor Da Finalidade GeralKorea Electronics (KEC)
251879BC848Transistor Pequenos Do Sinal (NPN)Vishay
251880BC848TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPNZetex Semiconductors
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