| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 252401 | BC857AT-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
| 252402 | BC857AW | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252403 | BC857AW | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252404 | BC857AW | Transistor Bipolares | Diodes |
| 252405 | BC857AW | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
| 252406 | BC857AW | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252407 | BC857AW | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 252408 | BC857AW | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252409 | BC857AW | PNP transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 252410 | BC857AW-7 | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DE PNP | Diodes |
| 252411 | BC857AW-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
| 252412 | BC857AW-G | Sinal Pequeno Transistor, V CBO = -50V, V CEO = -45V, V EBO = -5V, I C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252413 | BC857AWT1 | Silicone De Transistors(PNP Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
| 252414 | BC857AWT1 | O CASO 419-02, DENOMINA 3 SOT-323/SC-70 | Motorola |
| 252415 | BC857B | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252416 | BC857B | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252417 | BC857B | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | National Semiconductor |
| 252418 | BC857B | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL PNP | ST Microelectronics |
| 252419 | BC857B | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252420 | BC857B | Transistor Bipolares | Diodes |
| 252421 | BC857B | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | General Semiconductor |
| 252422 | BC857B | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
| 252423 | BC857B | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 252424 | BC857B | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252425 | BC857B | Transistor Pequeno 310mW Do Sinal de PNP | Micro Commercial Components |
| 252426 | BC857B | Ruído Baixo Pequeno Do Transistor PNP Do Sinal de SMD | Central Semiconductor |
| 252427 | BC857B | Transistor, Rf & Af | Vishay |
| 252428 | BC857B | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252429 | BC857B | Transistor Da Finalidade Geral de PNP | ROHM |
| 252430 | BC857B | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 252431 | BC857B | 0.250W Uso Geral PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 220-475 hFE. BC847B Complementar | Continental Device India Limited |
| 252432 | BC857B | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252433 | BC857B | PNP transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 252434 | BC857B | Ic = 100mA, Vce = 5.0V transistor | MCC |
| 252435 | BC857B | Montar 50 V, superfície PNP transistor pequeno sinal | TRANSYS Electronics Limited |
| 252436 | BC857B | Montar 50 V, superfície PNP transistor pequeno sinal | TRSYS |
| 252437 | BC857B(Z) | SOT23 NPN SILICONE PLANAR GERAIS TRANSISTORS FINALIDADE | Diodes |
| 252438 | BC857B-3F | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252439 | BC857B-3F | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252440 | BC857B-7 | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DE PNP | Diodes |
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