Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
252521 | BC857C | Ic = 100mA, Vce = 5.0V transistor | MCC |
252522 | BC857C | Montar 50 V, superfície PNP transistor pequeno sinal | TRANSYS Electronics Limited |
252523 | BC857C | Montar 50 V, superfície PNP transistor pequeno sinal | TRSYS |
252524 | BC857C(Z) | SOT23 NPN SILICONE PLANAR GERAIS TRANSISTORS FINALIDADE | Diodes |
252525 | BC857C-3G | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
252526 | BC857C-3G | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
252527 | BC857C-7 | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DE PNP | Diodes |
252528 | BC857C-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
252529 | BC857CDW1 | Transistor Duplos Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
252530 | BC857CDW1T1 | A Finalidade Geral Dupla Transistors(PNP Duals) | Leshan Radio Company |
252531 | BC857CDW1T1 | Transistor Duplos Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
252532 | BC857CF | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
252533 | BC857CL | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
252534 | BC857CLT1 | O CASO 318-08, DENOMINA 6 SOT-23 (TO-236AB) | Motorola |
252535 | BC857CLT1 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
252536 | BC857CLT1 | 45 V, o transistor de propósito geral | Leshan Radio Company |
252537 | BC857CLT1G | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
252538 | BC857CM | Série de BC857M; Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
252539 | BC857CM | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
252540 | BC857CMB | 45 V, 100 mA PNP de uso geral | NXP Semiconductors |
252541 | BC857CT | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
252542 | BC857CT | Transistor Bipolares | Diodes |
252543 | BC857CT | Finalidade Geral Pequena Amplifier/Switch Do Transistor PNP Do Sinal de SMD | Central Semiconductor |
252544 | BC857CT | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
252545 | BC857CT-7 | TRANSISTOR PEQUENO DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DO SINAL DE PNP | Diodes |
252546 | BC857CT-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
252547 | BC857CW | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
252548 | BC857CW | Transistor Bipolares | Diodes |
252549 | BC857CW | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
252550 | BC857CW | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
252551 | BC857CW | Ruído Baixo Pequeno Do Transistor PNP Do Sinal de SMD | Central Semiconductor |
252552 | BC857CW | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
252553 | BC857CW | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
252554 | BC857CW | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
252555 | BC857CW | PNP transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
252556 | BC857CW-7 | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DE PNP | Diodes |
252557 | BC857CW-7 | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DE PNP | Diodes |
252558 | BC857CW-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
252559 | BC857CW-G | Sinal Pequeno Transistor, V CBO = -50V, V CEO = -45V, V EBO = -5V, I C = -0.1A | Comchip Technology |
252560 | BC857CWT1 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
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