|   Primeira página   |   Todos os fabricantes   |   Pela Função   |  

Parte número, a descrição fabricante ou conter:    
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 6309 | 6310 | 6311 | 6312 | 6313 | 6314 | 6315 | 6316 | 6317 | 6318 | 6319 | >>
Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
252521BC857CIc = 100mA, Vce = 5.0V transistorMCC
252522BC857CMontar 50 V, superfície PNP transistor pequeno sinalTRANSYS Electronics Limited
252523BC857CMontar 50 V, superfície PNP transistor pequeno sinalTRSYS
252524BC857C(Z)SOT23 NPN SILICONE PLANAR GERAIS TRANSISTORS FINALIDADEDiodes
252525BC857C-3GTRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNPUnknow
252526BC857C-3GTRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNPUnknow
252527BC857C-7TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DE PNPDiodes
252528BC857C-7-FTransistores BipolaresDiodes
252529BC857CDW1Transistor Duplos Da Finalidade GeralON Semiconductor
252530BC857CDW1T1A Finalidade Geral Dupla Transistors(PNP Duals)Leshan Radio Company
252531BC857CDW1T1Transistor Duplos Da Finalidade GeralON Semiconductor
252532BC857CFTransistor da finalidade geral de PNPPhilips
252533BC857CLTransistor Da Finalidade GeralON Semiconductor
252534BC857CLT1O CASO 318-08, DENOMINA 6 SOT-23 (TO-236AB)Motorola
252535BC857CLT1Transistor Da Finalidade GeralON Semiconductor
252536BC857CLT145 V, o transistor de propósito geralLeshan Radio Company
252537BC857CLT1GTransistor Da Finalidade GeralON Semiconductor
252538BC857CMSérie de BC857M; Transistor da finalidade geral de PNPPhilips
252539BC857CMTransistor da finalidade geral de PNPNXP Semiconductors



252540BC857CMB45 V, 100 mA PNP de uso geralNXP Semiconductors
252541BC857CTTransistor da finalidade geral de PNPPhilips
252542BC857CTTransistor BipolaresDiodes
252543BC857CTFinalidade Geral Pequena Amplifier/Switch Do Transistor PNP Do Sinal de SMDCentral Semiconductor
252544BC857CTTransistor da finalidade geral de PNPNXP Semiconductors
252545BC857CT-7TRANSISTOR PEQUENO DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DO SINAL DE PNPDiodes
252546BC857CT-7-FTransistores BipolaresDiodes
252547BC857CWTransistor da finalidade geral de PNPPhilips
252548BC857CWTransistor BipolaresDiodes
252549BC857CWTransistor da finalidade geral - pacote SOT323Infineon
252550BC857CWTransistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta)Siemens
252551BC857CWRuído Baixo Pequeno Do Transistor PNP Do Sinal de SMDCentral Semiconductor
252552BC857CWTransistor Da Finalidade GeralON Semiconductor
252553BC857CWTransistor da finalidade geral de PNPNXP Semiconductors
252554BC857CWSuperfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiaisDiotec Elektronische
252555BC857CWPNP transistor de uso geral e aplicações de comutaçãoKorea Electronics (KEC)
252556BC857CW-7TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DE PNPDiodes
252557BC857CW-7TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DE PNPDiodes
252558BC857CW-7-FTransistores BipolaresDiodes
252559BC857CW-GSinal Pequeno Transistor, V CBO = -50V, V CEO = -45V, V EBO = -5V, I C = -0.1AComchip Technology
252560BC857CWT1Transistor Da Finalidade GeralON Semiconductor
Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 6309 | 6310 | 6311 | 6312 | 6313 | 6314 | 6315 | 6316 | 6317 | 6318 | 6319 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com