| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 252561 | BC857F | Transistor do silicone de PNP (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 252562 | BC857F | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252563 | BC857M | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252564 | BC857M | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252565 | BC857S | Amplificador Da Finalidade Geral Da Multi-Microplaqueta de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252566 | BC857S | Transistor da finalidade geral - disposição do transistor do AF do silicone de PNP para estágios e excitadores da entrada do AF | Infineon |
| 252567 | BC857S | Disposição do transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252568 | BC857S | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252569 | BC857T | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252570 | BC857T | Transistor PNP Silicon AF | Infineon |
| 252571 | BC857U | Transistor do silicone de PNP (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 252572 | BC857UF | Transistor do silicone de PNP (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 252573 | BC857W | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252574 | BC857W | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 252575 | BC857W | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 252576 | BC857W | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252577 | BC857W | NPN Silicon Transistor do AF | Infineon |
| 252578 | BC858 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252579 | BC858 | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 252580 | BC858 | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | Vishay |
| 252581 | BC858 | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252582 | BC858 | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | General Semiconductor |
| 252583 | BC858 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 252584 | BC858 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 252585 | BC858 | Transistor do silicone de PNP (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 252586 | BC858 | 0.250W Uso Geral PNP Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 125-800 hFE. BC848 Complementar | Continental Device India Limited |
| 252587 | BC858 | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252588 | BC858 | NPN Silicon Transistor do AF | Infineon |
| 252589 | BC858A | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252590 | BC858A | Transistor Bipolares | Diodes |
| 252591 | BC858A | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | General Semiconductor |
| 252592 | BC858A | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
| 252593 | BC858A | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252594 | BC858A | Transistor Pequeno 310mW Do Sinal de PNP | Micro Commercial Components |
| 252595 | BC858A | Ruído Baixo Pequeno Do Transistor PNP Do Sinal de SMD | Central Semiconductor |
| 252596 | BC858A | Transistor, Rf & Af | Vishay |
| 252597 | BC858A | 0.250W Uso Geral PNP Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 125-250 hFE. BC848A Complementar | Continental Device India Limited |
| 252598 | BC858A | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252599 | BC858A | PNP transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 252600 | BC858A | Ic = 100mA, Vce = 5.0V transistor | MCC |
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