| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 252761 | BC859A | Transistor, Rf & Af | Vishay |
| 252762 | BC859A | 0.250W Uso Geral PNP Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 125-250 hFE. BC849A Complementar | Continental Device India Limited |
| 252763 | BC859A | PNP transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 252764 | BC859A | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252765 | BC859A-Z4A | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252766 | BC859A-Z4A | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252767 | BC859AMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252768 | BC859AW | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
| 252769 | BC859AW | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252770 | BC859AW | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252771 | BC859B | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252772 | BC859B | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252773 | BC859B | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | General Semiconductor |
| 252774 | BC859B | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
| 252775 | BC859B | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252776 | BC859B | Transistor, Rf & Af | Vishay |
| 252777 | BC859B | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 252778 | BC859B | 0.250W Uso Geral PNP Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 220-475 hFE. BC849B Complementar | Continental Device India Limited |
| 252779 | BC859B | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252780 | BC859B | PNP transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 252781 | BC859B-4B | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252782 | BC859B-4B | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252783 | BC859BF E6327 | Únicos transistor do AF para aplicações da finalidade geral | Infineon |
| 252784 | BC859BL | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252785 | BC859BLT1 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252786 | BC859BLT3 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252787 | BC859BMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252788 | BC859BW | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252789 | BC859BW | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
| 252790 | BC859BW | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252791 | BC859BW | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 252792 | BC859BW | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252793 | BC859C | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252794 | BC859C | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252795 | BC859C | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | General Semiconductor |
| 252796 | BC859C | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
| 252797 | BC859C | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252798 | BC859C | Transistor, Rf & Af | Vishay |
| 252799 | BC859C | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 252800 | BC859C | 0.250W Uso Geral PNP Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC849C Complementar | Continental Device India Limited |
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