| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 253881 | BCR169 | Transistor de Digital do silicone de PNP (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito do excitador) | Siemens |
| 253882 | BCR169F | Únicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSFP-3 | Infineon |
| 253883 | BCR169FE6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 4.7 | Infineon |
| 253884 | BCR169L3 | Únicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSLP-3 | Infineon |
| 253885 | BCR169L3E6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 4.7 | Infineon |
| 253886 | BCR169S | Transistor de Digital - pacote SOT363 | Infineon |
| 253887 | BCR169S | Disposição do transistor de Digital do silicone de PNP (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito do excitador) | Siemens |
| 253888 | BCR169T | Únicos AF-Transistor (complexos) digitais no pacote SC75 | Infineon |
| 253889 | BCR169TE6327 | Transistor de Digital - kOhm R1=4,7 | Infineon |
| 253890 | BCR169U | Transistor de Digital - pacote SC74 | Infineon |
| 253891 | BCR169W | Transistor de Digital - R1 = kOhm 4.7 | Infineon |
| 253892 | BCR169W | Transistor de Digital do silicone de PNP (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito do excitador) | Siemens |
| 253893 | BCR16A | USO MÉDIO A Do PODER Do SEMICONDUTOR De MITSUBISHI (TRIAC), B, C: TIPO E De NON-INSULATED: TIPO ISOLADO | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253894 | BCR16B | USO MÉDIO A Do PODER Do SEMICONDUTOR De MITSUBISHI (TRIAC), B, C: TIPO E De NON-INSULATED: TIPO ISOLADO | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253895 | BCR16C | USO MÉDIO A Do PODER Do SEMICONDUTOR De MITSUBISHI (TRIAC), B, C: TIPO E De NON-INSULATED: TIPO ISOLADO | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253896 | BCR16CM | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253897 | BCR16CM | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253898 | BCR16CM | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253899 | BCR16CM-12 | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253900 | BCR16CM-12L | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253901 | BCR16CM-8 | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253902 | BCR16CM-8L | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253903 | BCR16CS | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253904 | BCR16CS | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253905 | BCR16CS | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Powerex Power Semiconductors |
| 253906 | BCR16E | USO MÉDIO A Do PODER Do SEMICONDUTOR De MITSUBISHI (TRIAC), B, C: TIPO E De NON-INSULATED: TIPO ISOLADO | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253907 | BCR16HM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253908 | BCR16PM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253909 | BCR16PM | Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253910 | BCR16PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253911 | BCR16PM-12 | Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253912 | BCR16PM-12L | Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253913 | BCR16PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253914 | BCR16PM-8 | Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253915 | BCR16PM-8L | Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 16 | Powerex Power Semiconductors |
| 253916 | BCR16UM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253917 | BCR179 | Únicos AF-Transistor (complexos) digitais no pacote SOT23 | Infineon |
| 253918 | BCR179E6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 10 | Infineon |
| 253919 | BCR179F | Únicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSFP-3 | Infineon |
| 253920 | BCR179FE6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 10; R2 = - kOhm | Infineon |
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