| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 254161 | BCR8CS-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254162 | BCR8PM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254163 | BCR8PM | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254164 | BCR8PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254165 | BCR8PM-12 | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254166 | BCR8PM-12L | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254167 | BCR8PM-14 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254168 | BCR8PM-14 | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254169 | BCR8PM-16 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254170 | BCR8PM-18 | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254171 | BCR8PM-20 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254172 | BCR8PM-20 | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254173 | BCR8PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254174 | BCR8PM-8 | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254175 | BCR8PM-8L | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254176 | BCR8UM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254177 | BCU81-SMD | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | SemeLAB |
| 254178 | BCU83-SMD | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | SemeLAB |
| 254179 | BCU86 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254180 | BCU86 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254181 | BCU86-SMD | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254182 | BCU86-SMD | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254183 | BCU87-SMD | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254184 | BCU87-SMD | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254185 | BCV26 | Transistor de PNP Darlington | Philips |
| 254186 | BCV26 | Transistor de PNP Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 254187 | BCV26 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DARLINGTON DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 254188 | BCV26 | Transistor de Darlington - transistor de Darlington do silicone de PNP para aplicações gerais do AF | Infineon |
| 254189 | BCV26 | Transistor De Darlington Do Silicone de PNP | Infineon |
| 254190 | BCV26 | Transistor de Darlington do silicone de PNP (para a corrente de coletor elevada das aplicações gerais do AF) | Siemens |
| 254191 | BCV26 | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 254192 | BCV26 | Transistores PNP Darlington | NXP Semiconductors |
| 254193 | BCV26_L99Z | Transistor de PNP Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 254194 | BCV27 | Transistor de NPN Darlington | Philips |
| 254195 | BCV27 | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 254196 | BCV27 | Transistor de NPN Darlington | Zetex Semiconductors |
| 254197 | BCV27 | Transistor de Darlington - transistor de Darlington do silicone de NPN para aplicações gerais do AF | Infineon |
| 254198 | BCV27 | Transistor de Darlington do silicone de NPN para... | Infineon |
| 254199 | BCV27 | Transistor de Darlington do silicone de NPN (para a corrente de coletor elevada das aplicações gerais do AF) | Siemens |
| 254200 | BCV27 | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
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