| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 255881 | BD137 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255882 | BD137 | Mocy de Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci du.ej | Ultra CEMI |
| 255883 | BD137 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 255884 | BD137 | Transistor de poder de NPN | Philips |
| 255885 | BD137 | Transistor Médio Plástico Do Silicone NPN Do Poder | Motorola |
| 255886 | BD137 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 255887 | BD137 | Poder 1.5A 60V NPN | ON Semiconductor |
| 255888 | BD137 | 12.500W comutação NPN plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40-250 hFE. BD138 Complementar | Continental Device India Limited |
| 255889 | BD137 | hfe min 40 Transistor polaridade NPN Ic corrente contínua max 1 A tensão VCEO 60 V Ic atual (HFE) 0,15 A Potência Ptot 12,5 W de potência de temperatura de 25? C Transistores de número 1 | SGS Thomson Microelectronics |
| 255890 | BD137-10 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 255891 | BD137-10 | Transistor de poder de NPN | Philips |
| 255892 | BD137-10 | 12.500W comutação NPN plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 1.500A Ic, 63-160 hFE. BD138-10 Complementar | Continental Device India Limited |
| 255893 | BD137-16 | Transistor de poder de NPN | Philips |
| 255894 | BD137-16 | 12.500W comutação NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 60V, 1.500A Ic, 100-250 hFE. BD138-16 Complementar | Continental Device India Limited |
| 255895 | BD137-25 | 12.500W comutação NPN plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 1.500A Ic, 160-400 hFE. BD138-25 Complementar | Continental Device India Limited |
| 255896 | BD137-6 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 255897 | BD137-6 | 12.500W comutação NPN plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40-100 hFE. BD138-6 Complementar | Continental Device India Limited |
| 255898 | BD13710S | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255899 | BD13710STU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255900 | BD13716S | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255901 | BD13716STU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255902 | BD1376S | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255903 | BD1376STU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255904 | BD138 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 255905 | BD138 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | ST Microelectronics |
| 255906 | BD138 | Mocy de Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci du.ej | Ultra CEMI |
| 255907 | BD138 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 255908 | BD138 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 255909 | BD138 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 255910 | BD138 | Transistor de poder de PNP | Philips |
| 255911 | BD138 | Transistor Médio Plástico Do Silicone PNP Do Poder | Motorola |
| 255912 | BD138 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 255913 | BD138 | Poder 1.5A 60V PNP | ON Semiconductor |
| 255914 | BD138 | 12.500W comutação PNP plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40-250 hFE. BD137 Complementar | Continental Device India Limited |
| 255915 | BD138-10 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 255916 | BD138-10 | Transistor de poder de PNP | Philips |
| 255917 | BD138-10 | 12.500W comutação PNP plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 1.500A Ic, 63-160 hFE. BD137-10 Complementar | Continental Device India Limited |
| 255918 | BD138-16 | Transistor de poder de PNP | Philips |
| 255919 | BD138-16 | 12.500W comutação PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 60V, 1.500A Ic, 100-250 hFE. BD137-16 Complementar | Continental Device India Limited |
| 255920 | BD138-25 | 12.500W comutação PNP plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 1.500A Ic, 160-400 hFE. BD137-25 Complementar | Continental Device India Limited |
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