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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
256121BD23625.000W comutação PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 60V, 2.000A Ic, 25 hFE.Continental Device India Limited
256122BD236NPN transistor de potência de silício. 2 A, 60 V, 25 W.Motorola
256123BD236STUTransistor Epitaxial Do Silicone de PNPFairchild Semiconductor
256124BD237Transistor Epitaxial Do Silicone de NPNFairchild Semiconductor
256125BD237TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONEST Microelectronics
256126BD237TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONESGS Thomson Microelectronics
256127BD237TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONESGS Thomson Microelectronics
256128BD237Transistor Médio Plástico Do Silicone NPN Do PoderMotorola
256129BD237Finalidade Geral Leaded De Transistor De PoderCentral Semiconductor
256130BD237Poder 2A 80V NPN 25WON Semiconductor
256131BD23725.000W comutação NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 80V, 2.000A Ic, 25 hFE.Continental Device India Limited
256132BD237-DTransistor Médio Plástico Do Silicone NPN Do PoderON Semiconductor
256133BD237STUTransistor Epitaxial Do Silicone de NPNFairchild Semiconductor
256134BD238Transistor Epitaxial Do Silicone de PNPFairchild Semiconductor
256135BD238TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONEST Microelectronics
256136BD238TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONESGS Thomson Microelectronics
256137BD238TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONESGS Thomson Microelectronics
256138BD238Finalidade Geral Leaded De Transistor De PoderCentral Semiconductor
256139BD238Poder 2A 80V PNP 25WON Semiconductor



256140BD23825.000W comutação PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 80V, 2.000A Ic, 25 hFE.Continental Device India Limited
256141BD238PNP transistor de plástico médio silício poder. 2 A, 80 V, 25 W.Motorola
256142BD238STransistor Epitaxial Do Silicone de PNPFairchild Semiconductor
256143BD238STUTransistor Epitaxial Do Silicone de PNPFairchild Semiconductor
256144BD239Transistor Epitaxial Do Silicone de NPNFairchild Semiconductor
256145BD239TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPNPower Innovations
256146BD23930.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. 45V VCEO, 2.000A Ic, 40 hFE.Continental Device India Limited
256147BD239Elétron Pro poder transistorGeneral Electric Solid State
256148BD239ATransistor Epitaxial Do Silicone de NPNFairchild Semiconductor
256149BD239ATRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPNPower Innovations
256150BD239A30.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 2.000A Ic, 40 hFE.Continental Device India Limited
256151BD239AElétron Pro poder transistorGeneral Electric Solid State
256152BD239ATUTransistor Epitaxial Do Silicone de NPNFairchild Semiconductor
256153BD239BTransistor Epitaxial Do Silicone de NPNFairchild Semiconductor
256154BD239BTRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPNPower Innovations
256155BD239B30.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. 80V VCEO, 2.000A Ic, 40 hFE.Continental Device India Limited
256156BD239BElétron Pro poder transistorGeneral Electric Solid State
256157BD239BTUTransistor Epitaxial Do Silicone de NPNFairchild Semiconductor
256158BD239CTransistor Epitaxial Do Silicone de NPNFairchild Semiconductor
256159BD239CTRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPNST Microelectronics
256160BD239CTRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPNPower Innovations
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