| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 256241 | BD241C | PODER TRANSISTORS(3A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 256242 | BD241C | PODER PLÁSTICO TRANSISTORSS DO SILICONE COMPLEMENTAR | Boca Semiconductor Corporation |
| 256243 | BD241C | Transistor De Poder Plásticos Do Silicone Complementar | Motorola |
| 256244 | BD241C | Poder 3A 100V NPN 40W | ON Semiconductor |
| 256245 | BD241C | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | TRSYS |
| 256246 | BD241C | Silício epitaxial base NPN VERSAWATT transistor. Vcer 115V, 40W. | General Electric Solid State |
| 256247 | BD241C | 115 V, silício NPN transistor de potência | TRANSYS Electronics Limited |
| 256248 | BD241C | NPN plástico potência silicone NPN transistor. Projetado para uso em comutação e amplificador de aplicações de uso geral. VCEO = 100VCC, VCES = 115Vdc, o VEB = 5Vdc, Ic = 3Adc, Pd = 40W | USHA India LTD |
| 256249 | BD241C-D | Transistor De Poder Plásticos Do Silicone Complementar | ON Semiconductor |
| 256250 | BD241CTU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256251 | BD241D | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Power Innovations |
| 256252 | BD241E | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Power Innovations |
| 256253 | BD241F | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Power Innovations |
| 256254 | BD241TU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256255 | BD242 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256256 | BD242 | TRANSISTOR DE PODER BAIXOS EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 256257 | BD242 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE PNP | Power Innovations |
| 256258 | BD242 | PODER TRANSISTORS(3A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 256259 | BD242 | PODER PLÁSTICO TRANSISTORSS DO SILICONE COMPLEMENTAR | Boca Semiconductor Corporation |
| 256260 | BD242 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE PNP | TRSYS |
| 256261 | BD242 | 40.000W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 45V, 3.000A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256262 | BD242 | Silício epitaxial base PNP VERSAWATT transistor. Vcer -55V, 40W. | General Electric Solid State |
| 256263 | BD242 | 55 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 256264 | BD242A | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256265 | BD242A | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 256266 | BD242A | TRANSISTOR DE PODER BAIXOS EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 256267 | BD242A | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE PNP | Power Innovations |
| 256268 | BD242A | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256269 | BD242A | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256270 | BD242A | PODER TRANSISTORS(3A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 256271 | BD242A | PODER PLÁSTICO TRANSISTORSS DO SILICONE COMPLEMENTAR | Boca Semiconductor Corporation |
| 256272 | BD242A | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE PNP | TRSYS |
| 256273 | BD242A | Silício epitaxial base PNP VERSAWATT transistor. Vcer -70V, 40W. | General Electric Solid State |
| 256274 | BD242A | 70 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 256275 | BD242A | PNP transistor de potência plástico de silicone. Projetado para uso em comutação e amplificador de aplicações de uso geral. VCEO = 60VDC, VCES = 70Vdc, o VEB = 5Vdc Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
| 256276 | BD242ATU | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256277 | BD242B | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256278 | BD242B | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 256279 | BD242B | TRANSISTOR DE PODER BAIXOS EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 256280 | BD242B | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE PNP | Power Innovations |
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