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Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
257321 | BD5334 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257322 | BD5334FVE | Detector de tensão, 3.4V | ROHM |
257323 | BD5334G | Detector de tensão, 3.4V | ROHM |
257324 | BD5334G/FVE | Os detetores da tensão > o IC do detetor da tensão do CMOS com C externo atrasam o circuito (tipo da saída do CMOS) | ROHM |
257325 | BD5335 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257326 | BD5335 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257327 | BD5335FVE | Detector de tensão, 3.5V | ROHM |
257328 | BD5335G | Detector de tensão, 3.5V | ROHM |
257329 | BD5335G/FVE | Os detetores da tensão > o IC do detetor da tensão do CMOS com C externo atrasam o circuito (tipo da saída do CMOS) | ROHM |
257330 | BD5336 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257331 | BD5336 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257332 | BD5336FVE | Detector de tensão, 3.6V | ROHM |
257333 | BD5336G | Detector de tensão, 3.6V | ROHM |
257334 | BD5336G/FVE | Os detetores da tensão > o IC do detetor da tensão do CMOS com C externo atrasam o circuito (tipo da saída do CMOS) | ROHM |
257335 | BD5337 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257336 | BD5337 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257337 | BD5337FVE | Detector de tensão, 3.7V | ROHM |
257338 | BD5337G | Detector de tensão, 3.7V | ROHM |
257339 | BD5337G/FVE | Os detetores da tensão > o IC do detetor da tensão do CMOS com C externo atrasam o circuito (tipo da saída do CMOS) | ROHM |
257340 | BD5338 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257341 | BD5338 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257342 | BD5338FVE | Detector de tensão, 3.8V | ROHM |
257343 | BD5338G | Detector de tensão, 3.8V | ROHM |
257344 | BD5338G/FVE | Os detetores da tensão > o IC do detetor da tensão do CMOS com C externo atrasam o circuito (tipo da saída do CMOS) | ROHM |
257345 | BD5339 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257346 | BD5339 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257347 | BD5339FVE | Detector de tensão, 3.9V | ROHM |
257348 | BD5339G | Detector de tensão, 3.9V | ROHM |
257349 | BD5339G/FVE | Os detetores da tensão > o IC do detetor da tensão do CMOS com C externo atrasam o circuito (tipo da saída do CMOS) | ROHM |
257350 | BD533J | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
257351 | BD533J | 50.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. 45V VCEO, 8.000A Ic, 30-75 hFE. | Continental Device India Limited |
257352 | BD533K | 50.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. 45V VCEO, 8.000A Ic, 40-100 hFE. | Continental Device India Limited |
257353 | BD534 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
257354 | BD534 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
257355 | BD534 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
257356 | BD534 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
257357 | BD534 | 50.000W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. 45V VCEO, 8.000A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
257358 | BD534 | Silício epitaxial base PNP VERSAWATT transistor. -45V, 50W. | General Electric Solid State |
257359 | BD534 | complementar PNP transistor de silício plástico potência. 45 V, 4 A, 50 W. | Motorola |
257360 | BD5340 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
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