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Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
257441 | BD5354G | Detector de tensão, 5.4V | ROHM |
257442 | BD5354G/FVE | Os detetores da tensão > o IC do detetor da tensão do CMOS com C externo atrasam o circuito (tipo da saída do CMOS) | ROHM |
257443 | BD5355 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257444 | BD5355 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257445 | BD5355FVE | Detector de tensão, 5.5V | ROHM |
257446 | BD5355G | Detector de tensão, 5.5V | ROHM |
257447 | BD5355G/FVE | Os detetores da tensão > o IC do detetor da tensão do CMOS com C externo atrasam o circuito (tipo da saída do CMOS) | ROHM |
257448 | BD5356 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257449 | BD5356 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257450 | BD5356FVE | Detector de tensão, 5.6V | ROHM |
257451 | BD5356G | Detector de tensão, 5.6V | ROHM |
257452 | BD5356G/FVE | Os detetores da tensão > o IC do detetor da tensão do CMOS com C externo atrasam o circuito (tipo da saída do CMOS) | ROHM |
257453 | BD5357 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257454 | BD5357 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257455 | BD5357FVE | Detector de tensão, 5.7V | ROHM |
257456 | BD5357G | Detector de tensão, 5.7V | ROHM |
257457 | BD5357G/FVE | Os detetores da tensão > o IC do detetor da tensão do CMOS com C externo atrasam o circuito (tipo da saída do CMOS) | ROHM |
257458 | BD5358 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257459 | BD5358 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257460 | BD5358FVE | Detector de tensão, 5.8V | ROHM |
257461 | BD5358G | Detector de tensão, 5.8V | ROHM |
257462 | BD5358G/FVE | Os detetores da tensão > o IC do detetor da tensão do CMOS com C externo atrasam o circuito (tipo da saída do CMOS) | ROHM |
257463 | BD5359 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257464 | BD5359 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257465 | BD5359FVE | Detector de tensão, 5.9V | ROHM |
257466 | BD5359G | Detector de tensão, 5.9V | ROHM |
257467 | BD5359G/FVE | Os detetores da tensão > o IC do detetor da tensão do CMOS com C externo atrasam o circuito (tipo da saída do CMOS) | ROHM |
257468 | BD535J | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
257469 | BD536 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
257470 | BD536 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
257471 | BD536 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
257472 | BD536 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
257473 | BD536 | 50.000W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 8.000A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
257474 | BD536 | Silício epitaxial base PNP VERSAWATT transistor. -60V, 50W. | General Electric Solid State |
257475 | BD536 | complementar PNP transistor de silício plástico potência. 60 V, 4 A, 50 W. | Motorola |
257476 | BD5360 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257477 | BD5360 | IC DO DETETOR DA TENSÃO | etc |
257478 | BD5360FVE | Detector de tensão, 6.0V | ROHM |
257479 | BD5360G | Detector de tensão de 6V | ROHM |
257480 | BD5360G/FVE | Os detetores da tensão > o IC do detetor da tensão do CMOS com C externo atrasam o circuito (tipo da saída do CMOS) | ROHM |
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