| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 259081 | BF392 | 1.000W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 250V VCEO, 1.000A Ic, 25-0 hFE | Continental Device India Limited |
| 259082 | BF393 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 259083 | BF393 | Transistor(NPN) De alta tensão | Motorola |
| 259084 | BF393 | Transistors(NPN) De alta tensão | Motorola |
| 259085 | BF393 | Plástico NPN Do Silicone Do Transistor | ON Semiconductor |
| 259086 | BF393 | 0.625W de alta tensão NPN plástico com chumbo Transistor. 300V VCEO, 0.500A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 259087 | BF393-D | Silicone De alta tensão Do Transistor NPN | ON Semiconductor |
| 259088 | BF393ZL1 | Plástico NPN Do Silicone Do Transistor | ON Semiconductor |
| 259089 | BF397 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 259090 | BF398 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 259091 | BF39931 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259092 | BF39931 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259093 | BF39933 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259094 | BF39933 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259095 | BF40931 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259096 | BF40931 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259097 | BF410 | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE LOW-NOISE N-CHANNEL PARA APLICAÇÕES DO RF | Siemens |
| 259098 | BF410A | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE LOW-NOISE N-CHANNEL PARA APLICAÇÕES DO RF | Siemens |
| 259099 | BF410A | transistor do field-effect do silicone da N-canaleta | Philips |
| 259100 | BF410B | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE LOW-NOISE N-CHANNEL PARA APLICAÇÕES DO RF | Siemens |
| 259101 | BF410B | transistor do field-effect do silicone da N-canaleta | Philips |
| 259102 | BF410C | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE LOW-NOISE N-CHANNEL PARA APLICAÇÕES DO RF | Siemens |
| 259103 | BF410C | transistor do field-effect do silicone da N-canaleta | Philips |
| 259104 | BF410D | TRANSISTOR DA JUNÇÃO FIELD-EFFECT DE LOW-NOISE N-CHANNEL PARA APLICAÇÕES DO RF | Siemens |
| 259105 | BF410D | transistor do field-effect do silicone da N-canaleta | Philips |
| 259106 | BF414 | Transistor do Rf Do Silicone de NPN | Infineon |
| 259107 | BF414 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 259108 | BF414 | Transistor do RF do silicone de NPN (para estágios do VHF da base low-noise, comum e do FM) | Siemens |
| 259109 | BF419 | Transistor de alta tensão de NPN | Philips |
| 259110 | BF41931 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259111 | BF41931 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259112 | BF420 | Transistor de alta tensão de NPN | Philips |
| 259113 | BF420 | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL NPN | ST Microelectronics |
| 259114 | BF420 | Transistor De alta tensão | Korea Electronics (KEC) |
| 259115 | BF420 | Transistor Pequenos Do Sinal (NPN) | General Semiconductor |
| 259116 | BF420 | Transistor do silicone de NPN com Reve elevado... | Infineon |
| 259117 | BF420 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE | Micro Electronics |
| 259118 | BF420 | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 259119 | BF420 | Transistor Do Silicone de NPN Com Alta Tensão Reversa (Transistor Do Silicone de NPN Com Alta Tensão Reversa) | Siemens |
| 259120 | BF420 | Transistors(NPN) De alta tensão | Motorola |
| | | |
