| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 26041 | 1N5523 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26042 | 1N5523A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26043 | 1N5523A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Tensão nominal Zener 5.1 V. Teste atual 5.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26044 | 1N5523B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26045 | 1N5523B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26046 | 1N5523B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26047 | 1N5523B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 26048 | 1N5523B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Tensão nominal Zener 5.1 V. Teste atual 5.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26049 | 1N5523B (DO35) | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26050 | 1N5523B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26051 | 1N5523B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26052 | 1N5523BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26053 | 1N5523C | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 26054 | 1N5523C | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Tensão nominal Zener 5.1 V. Teste atual 5.0 mAcc. + -2% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26055 | 1N5523D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26056 | 1N5523D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26057 | 1N5524 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26058 | 1N5524 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26059 | 1N5524 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26060 | 1N5524A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26061 | 1N5524A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener de 5,6 V. Teste atual mAcc 3.0. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26062 | 1N5524B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26063 | 1N5524B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26064 | 1N5524B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26065 | 1N5524B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 26066 | 1N5524B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener de 5,6 V. Teste atual mAcc 3.0. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26067 | 1N5524B (DO35) | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26068 | 1N5524B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26069 | 1N5524B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26070 | 1N5524BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26071 | 1N5524C | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 26072 | 1N5524C | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener de 5,6 V. Teste atual mAcc 3.0. + -2% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26073 | 1N5524D | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 26074 | 1N5524D | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener de 5,6 V. Teste atual mAcc 3.0. + -1% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26075 | 1N5525 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26076 | 1N5525 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26077 | 1N5525 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26078 | 1N5525A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26079 | 1N5525A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Tensão nominal Zener 6.2 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26080 | 1N5525B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
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