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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
260441BFY50AMPLIFICADOR DE PODER MÉDIOST Microelectronics
260442BFY51AMPLIFICADORES DE PODER MÉDIOSSGS Thomson Microelectronics
260443BFY51Transistor de poder médios de NPNPhilips
260444BFY51Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
260445BFY51AMPLIFICADOR DE PODER MÉDIOST Microelectronics
260446BFY52Transistor de poder médios de NPNPhilips
260447BFY52Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
260448BFY55Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
260449BFY56AFinalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
260450BFY57Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
260451BFY63Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
260452BFY64Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
260453BFY64Dispositivo Bipolar de PNPSemeLAB
260454BFY68AFinalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
260455BFY74Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
260456BFY75Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
260457BFY76Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
260458BFY76Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO18SemeLAB
260459BFY77Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO18SemeLAB



260460BFY84TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE NPNSemeLAB
260461BFY90TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE NPNSemeLAB
260462BFY90Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
260463BFY90TRANSISTOR DE PODER BAIXOS DISCRETOS DO RF & DA MICROONDAMicrosemi
260464BFY90AMPLIFICADOR LARGO DA FAIXA VHF/UHFST Microelectronics
260465BFYP99Wielkiej krzemowy cz?otliwo.ci de TranzystorUltra CEMI
260466BG 1971-000-9000AJOGO De alta tensão 100KV/250uAVishay
260467BG 1971-000-9700JOGO De alta tensão 100KV/500uAVishay
260468BG 1972-6100-010Gerador de alta tensão 60 quilovolt/100 AVishay
260469BG 1972-6123-010Gerador de alta tensão 100 kV/100 AVishay
260470BG 3230Ganho automático RF-MOSFET controlado de dois n-Channnel em um pacoteInfineon
260471BG 3230RGanho automático RF-MOSFET controlado de dois n-Channnel em um pacoteInfineon
260472BG-A511RDEXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DUPLAS DO DÍGITOYellow Stone Corp
260473BG-A512RDEXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DUPLAS DO DÍGITOYellow Stone Corp
260474BG-A513RDEXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DUPLAS DO DÍGITOYellow Stone Corp
260475BG-A514REEXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DUPLAS DO DÍGITOYellow Stone Corp
260476BG-A515RDEXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DUPLAS DO DÍGITOYellow Stone Corp
260477BG-A515REEXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DUPLAS DO DÍGITOYellow Stone Corp
260478BG-A516RDEXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DUPLAS DO DÍGITOYellow Stone Corp
260479BG-A51DRDEXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DUPLAS DO DÍGITOYellow Stone Corp
260480BG-C511RDEXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DUPLAS DO DÍGITOYellow Stone Corp
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