| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 26081 | 1N5525B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26082 | 1N5525B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26083 | 1N5525B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 26084 | 1N5525B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Tensão nominal Zener 6.2 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26085 | 1N5525B (DO35) | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26086 | 1N5525B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26087 | 1N5525B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26088 | 1N5525BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26089 | 1N5525C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26090 | 1N5525C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26091 | 1N5525D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26092 | 1N5525D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26093 | 1N5526 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26094 | 1N5526 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26095 | 1N5526 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26096 | 1N5526A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26097 | 1N5526A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener de 6,8 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26098 | 1N5526B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26099 | 1N5526B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26100 | 1N5526B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26101 | 1N5526B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 26102 | 1N5526B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener de 6,8 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26103 | 1N5526B (DO35) | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26104 | 1N5526B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26105 | 1N5526B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26106 | 1N5526BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26107 | 1N5526C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26108 | 1N5526C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26109 | 1N5526D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26110 | 1N5526D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26111 | 1N5527 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26112 | 1N5527 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26113 | 1N5527 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26114 | 1N5527A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26115 | 1N5527A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener de 7,5 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26116 | 1N5527B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26117 | 1N5527B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26118 | 1N5527B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26119 | 1N5527B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 26120 | 1N5527B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener de 7,5 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
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