| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 26241 | 1N5534B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26242 | 1N5534B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26243 | 1N5534B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26244 | 1N5534B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 14,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26245 | 1N5534B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26246 | 1N5534B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26247 | 1N5534BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26248 | 1N5534C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26249 | 1N5534C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26250 | 1N5534D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26251 | 1N5534D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26252 | 1N5535 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26253 | 1N5535 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26254 | 1N5535 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26255 | 1N5535A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26256 | 1N5535A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 15,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26257 | 1N5535B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26258 | 1N5535B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26259 | 1N5535B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26260 | 1N5535B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 26261 | 1N5535B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 15,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26262 | 1N5535B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26263 | 1N5535B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26264 | 1N5535BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26265 | 1N5535C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26266 | 1N5535C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26267 | 1N5535D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26268 | 1N5535D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26269 | 1N5536 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26270 | 1N5536 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26271 | 1N5536 | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 16,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -20% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26272 | 1N5536A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26273 | 1N5536A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 16,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26274 | 1N5536B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26275 | 1N5536B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26276 | 1N5536B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26277 | 1N5536B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 16,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26278 | 1N5536B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26279 | 1N5536B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26280 | 1N5536BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
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