Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
26281 | 1N5536C | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
26282 | 1N5536C | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 16,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -2% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
26283 | 1N5536D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
26284 | 1N5536D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
26285 | 1N5537 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
26286 | 1N5537 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
26287 | 1N5537 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
26288 | 1N5537A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
26289 | 1N5537A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 17,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
26290 | 1N5537B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
26291 | 1N5537B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
26292 | 1N5537B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
26293 | 1N5537B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 17,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
26294 | 1N5537B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
26295 | 1N5537B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
26296 | 1N5537BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
26297 | 1N5537C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
26298 | 1N5537C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
26299 | 1N5537D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
26300 | 1N5537D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
26301 | 1N5538 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
26302 | 1N5538 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
26303 | 1N5538 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
26304 | 1N5538A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
26305 | 1N5538A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 18,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
26306 | 1N5538B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
26307 | 1N5538B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
26308 | 1N5538B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
26309 | 1N5538B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 18,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
26310 | 1N5538B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
26311 | 1N5538B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
26312 | 1N5538BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
26313 | 1N5538C | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
26314 | 1N5538C | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 18,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -2% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
26315 | 1N5538D | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
26316 | 1N5538D | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 18,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -1% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
26317 | 1N5539 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
26318 | 1N5539 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
26319 | 1N5539 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
26320 | 1N5539A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
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