| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 26321 | 1N5539A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 19,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26322 | 1N5539B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26323 | 1N5539B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26324 | 1N5539B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26325 | 1N5539B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 19,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26326 | 1N5539B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26327 | 1N5539B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26328 | 1N5539BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26329 | 1N5539C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26330 | 1N5539C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26331 | 1N5539D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26332 | 1N5539D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26333 | 1N5540 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26334 | 1N5540 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26335 | 1N5540 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26336 | 1N5540A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26337 | 1N5540A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 20,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26338 | 1N5540B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26339 | 1N5540B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26340 | 1N5540B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26341 | 1N5540B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 20,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26342 | 1N5540B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26343 | 1N5540B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26344 | 1N5540BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26345 | 1N5540C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26346 | 1N5540C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26347 | 1N5540D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26348 | 1N5540D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26349 | 1N5541 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26350 | 1N5541 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26351 | 1N5541 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26352 | 1N5541A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26353 | 1N5541A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 22,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26354 | 1N5541B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26355 | 1N5541B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26356 | 1N5541B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26357 | 1N5541B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 26358 | 1N5541B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 22,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26359 | 1N5541B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26360 | 1N5541B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
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