| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 268961 | BSS8402DW-13-F | Par complementar modo de melhoramento MOSFET | Diodes |
| 268962 | BSS8402DW-7 | TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COMPLEMENTAR DA MODALIDADE DO REALCE DO PAR | Diodes |
| 268963 | BSS8402DW-7-F | Par complementar modo de melhoramento MOSFET | Diodes |
| 268964 | BSS8402DWK | Par complementar modo de melhoramento MOSFET | Diodes |
| 268965 | BSS8402DWQ-13 | Par complementar modo de melhoramento MOSFET | Diodes |
| 268966 | BSS8402DWQ-7 | Par complementar modo de melhoramento MOSFET | Diodes |
| 268967 | BSS84AK | 50 V, 180 mA P-channel MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268968 | BSS84AKM | 50 V, 230 mA P-channel MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268969 | BSS84AKMB | 50 V, único MOSFET Trench-canal P | NXP Semiconductors |
| 268970 | BSS84AKS | 50 V, 160 mA dual-channel MOSFET P Trench | NXP Semiconductors |
| 268971 | BSS84AKT | 50 V, 150 mA P-channel MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268972 | BSS84AKV | 50 V, 170 mA dual-channel MOSFET P Trench | NXP Semiconductors |
| 268973 | BSS84AKW | 50 V, 150 mA P-channel MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268974 | BSS84DW | MOSFETS | Diodes |
| 268975 | BSS84DW-7-F | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODO MOSFET | Diodes |
| 268976 | BSS84L | MAmps do MOSFET 130 do poder, 50 volts | ON Semiconductor |
| 268977 | BSS84LT1 | MAmps do MOSFET 130 do poder, 50 volts | ON Semiconductor |
| 268978 | BSS84LT1-D | MAmps do MOSFET 130 do poder, 50 volts de P-Canaleta SOT-23 | ON Semiconductor |
| 268979 | BSS84LT1G | MAmps do MOSFET 130 do poder, 50 volts | ON Semiconductor |
| 268980 | BSS84P | MOSFETs Da Baixa Tensão - Mosfet Pequeno Do Sinal, -60V, SOT-23, RDSon = 8 | Infineon |
| 268981 | BSS84P | Transistor Do Pequeno-Sinal Da P-Canaleta SIPMOS | Infineon |
| 268982 | BSS84PW | MOSFETs Da Baixa Tensão - Mosfet Pequeno Do Sinal, -60V, SOT-323, RDSon = 8 | Infineon |
| 268983 | BSS84V | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODO DE CAMPO transistor de efeito | Diodes |
| 268984 | BSS84V-7 | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODO DE CAMPO transistor de efeito | Diodes |
| 268985 | BSS84W | MOSFETS | Diodes |
| 268986 | BSS84W-7-F | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODO DE CAMPO transistor de efeito | Diodes |
| 268987 | BSS87 | transistor vertical da modalidade D-MOS do realce da N-canaleta | Philips |
| 268988 | BSS87 | MOSFETs Da Baixa Tensão - Mosfet Pequeno Do Sinal, 240V, SOT-89, RDSon=6.0 Ohm, 0.29A, LL | Infineon |
| 268989 | BSS87 | Transistor do Pequeno-Sinal de SIPMOS (nível da lógica da modalidade do realce da canaleta de N) | Siemens |
| 268990 | BSS87 | N-canal vertical D-MOS nível intermediário FET | NXP Semiconductors |
| 268991 | BSS88 | Transistor Do Pequeno-Sinal Da N-Canaleta SIPMOS | Infineon |
| 268992 | BSS88 | Transistor do Pequeno-Sinal de SIPMOS (nível da lógica da modalidade do realce da canaleta de N) | Siemens |
| 268993 | BSS88E6288 | Transistor Do Pequeno-Sinal Da N-Canaleta SIPMOS | Infineon |
| 268994 | BSS88E6296 | Transistor Do Pequeno-Sinal Da N-Canaleta SIPMOS | Infineon |
| 268995 | BSS88E6325 | Transistor Do Pequeno-Sinal Da N-Canaleta SIPMOS | Infineon |
| 268996 | BSS88E7740 | Transistor Do Pequeno-Sinal Da N-Canaleta SIPMOS | Infineon |
| 268997 | BSS89 | Transistor Do Pequeno-Sinal Da N-Canaleta SIPMOS | Infineon |
| 268998 | BSS89 | Transistor do Pequeno-Sinal de SIPMOS (nível da lógica da modalidade do realce da canaleta de N) | Siemens |
| 268999 | BSS89 | transistor vertical da modalidade D-MOS do realce da N-canaleta | Philips |
| 269000 | BSS89E6288 | Transistor Do Pequeno-Sinal Da N-Canaleta SIPMOS | Infineon |
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