| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 28561 | 1SS379 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Do Silicone Do Diodo Do Retificador Da Finalidade Geral | TOSHIBA |
| 28562 | 1SS380 | Diodos > diodos do switching > tipo da montagem de superfÃcie | ROHM |
| 28563 | 1SS381 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Do Silicone Do Diodo Do Interruptor Da Faixa Do Tuner do Vhf | TOSHIBA |
| 28564 | 1SS382 | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 28565 | 1SS383 | Tipo Epitaxial Switching De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Da Baixa Tensão | TOSHIBA |
| 28566 | 1SS383 | 40V Dual Diodo De Schottky | ON Semiconductor |
| 28567 | 1SS383T1G | 40V Dual Diodo De Schottky | ON Semiconductor |
| 28568 | 1SS383T2G | 40V Dual Diodo De Schottky | ON Semiconductor |
| 28569 | 1SS384 | Tipo Epitaxial Switching De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Da Baixa Tensão | TOSHIBA |
| 28570 | 1SS385 | Tipo Epitaxial Switching De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo | TOSHIBA |
| 28571 | 1SS385F | Tipo Epitaxial Switching De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo | TOSHIBA |
| 28572 | 1SS387 | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 28573 | 1SS388 | Tipo Epitaxial Aplicação De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 28574 | 1SS389 | Tipo Epitaxial Aplicação De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 28575 | 1SS390 | Diodos > diodos do switching de alta freqüência dos diodos > da faixa | ROHM |
| 28576 | 1SS391 | Tipo Epitaxial Switching De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Da Baixa Tensão | TOSHIBA |
| 28577 | 1SS392 | Tipo Epitaxial Aplicação De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 28578 | 1SS393 | Tipo Epitaxial Aplicação De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 28579 | 1SS394 | Tipo Epitaxial Aplicação De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 28580 | 1SS395 | Tipo Epitaxial Aplicação De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 28581 | 1SS396 | Tipo Epitaxial Switching De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Da Baixa Tensão | TOSHIBA |
| 28582 | 1SS397 | Alta tensão Planar Epitaxial Do Diodo Do Silicone Do Diodo, Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 28583 | 1SS398 | Alta tensão Planar Epitaxial Do Diodo Do Silicone Do Diodo, Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 28584 | 1SS399 | Alta tensão Planar Epitaxial Do Diodo Do Silicone Do Diodo, Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 28585 | 1SS400 | Diodos > diodos do switching > tipo da montagem de superfÃcie | ROHM |
| 28586 | 1SS400 | Diodo do switching | Leshan Radio Company |
| 28587 | 1SS401 | Tipo Epitaxial Aplicações De alta velocidade Da Barreira De Schottoky Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 28588 | 1SS402 | Tipo Epitaxial Aplicações De alta velocidade Da Barreira De Schottoky Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 28589 | 1SS403 | Tipo Epitaxial Aplicações De alta tensão Da Barreira De Schottoky Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 28590 | 1SS404 | Tipo Epitaxial Aplicações De alta velocidade De Shottlky Barrire Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 28591 | 1SS81 | Sinal Pequeno | Hitachi Semiconductor |
| 28592 | 1SS81 | Diodes>Switching | Renesas |
| 28593 | 1SS82 | Sinal Pequeno | Hitachi Semiconductor |
| 28594 | 1SS82 | Diodes>Switching | Renesas |
| 28595 | 1SS83 | Sinal Pequeno | Hitachi Semiconductor |
| 28596 | 1SS83 | Diodes>Switching | Renesas |
| 28597 | 1SS86 | Diodos de barreira de Schottky para a deteção e o misturador | Hitachi Semiconductor |
| 28598 | 1SS86 | Diodes>Switching | Renesas |
| 28599 | 1SS88 | Diodos de barreira de Schottky para a deteção e o misturador | Hitachi Semiconductor |
| 28600 | 1SS88 | Diodes>Switching | Renesas |
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