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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
316561CM75E3U-24HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316562CM75E3U-24HVolts Amperes/1200 Do Interruptor inversor IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316563CM75TF-12HMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
316564CM75TF-12HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316565CM75TF-12HVolts Amperes/600 De Six-IGBT IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316566CM75TF-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316567CM75TF-24HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316568CM75TF-24HVolts Amperes/1200 De Six-IGBT IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316569CM75TF-28HIGBT Modules:1400VMitsubishi Electric Corporation
316570CM75TF-28HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316571CM75TF-28HVolts Amperes/1400 De Six-IGBT IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316572CM75TJ-24FVolts Do Projeto Seis IGBTMOD.?5 Amperes/1200 Da Porta Da TrincheiraPowerex Power Semiconductors
316573CM75TU-12FMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
316574CM75TU-12FUSO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316575CM75TU-12FVolts Do Projeto Seis IGBTMOD.?5 Amperes/600 Da Porta Da TrincheiraPowerex Power Semiconductors
316576CM75TU-12HMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
316577CM75TU-12HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316578CM75TU-12HSeis Volts Amperes/600 de IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316579CM75TU-24FIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation



316580CM75TU-24FUSO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316581CM75TU-24FVolts Do Projeto Seis IGBTMOD.?5 Amperes/1200 Da Porta Da TrincheiraPowerex Power Semiconductors
316582CM75TU-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316583CM75TU-24HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316584CM75TU-24HSeis Volts Amperes/1200 de IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316585CM75TU-34KAIGBT Modules:1700VMitsubishi Electric Corporation
316586CM75TU-34KASeis Volts Amperes/1700 de IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316587CM800DU-12HVolts Amperes/600 Duplos de IGBTMOD 800Powerex Power Semiconductors
316588CM800DZ-34HMódulos Bipolares Isolados Alta tensão Do Transistor Da Porta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316589CM800DZ-34HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADOPowerex Power Semiconductors
316590CM800E2Z-66HMódulos Bipolares Isolados Alta tensão Do Transistor Da Porta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316591CM800HA-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316592CM800HA-24HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316593CM800HA-24HÚnicos Volts Amperes/1200 de IGBTMOD 800Powerex Power Semiconductors
316594CM800HA-28HÚnicos Volts Amperes/1400 de IGBTMOD 800Powerex Power Semiconductors
316595CM800HA-34HMódulos Bipolares Isolados Alta tensão Do Transistor Da Porta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316596CM800HA-34HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADOPowerex Power Semiconductors
316597CM800HA-50HMódulos Bipolares Isolados Alta tensão Do Transistor Da Porta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316598CM800HA-66HMódulos Bipolares Isolados Alta tensão Do Transistor Da Porta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316599CM800HB-50HMódulos Bipolares Isolados Alta tensão Do Transistor Da Porta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316600CM800HB-50HTIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADOPowerex Power Semiconductors
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