|   Primeira página   |   Todos os fabricantes   |   Pela Função   |  

Parte número, a descrição fabricante ou conter:    
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 7959 | 7960 | 7961 | 7962 | 7963 | 7964 | 7965 | 7966 | 7967 | 7968 | 7969 | >>
Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
318521CMZB15Diodo ZenerTOSHIBA
318522CMZB150Diodo ZenerTOSHIBA
318523CMZB16Diodo ZenerTOSHIBA
318524CMZB18Diodo ZenerTOSHIBA
318525CMZB180Diodo ZenerTOSHIBA
318526CMZB20Diodo ZenerTOSHIBA
318527CMZB200Diodo ZenerTOSHIBA
318528CMZB22Diodo ZenerTOSHIBA
318529CMZB220Diodo ZenerTOSHIBA
318530CMZB24Diodo ZenerTOSHIBA
318531CMZB240Diodo ZenerTOSHIBA
318532CMZB27Diodo ZenerTOSHIBA
318533CMZB270Diodo ZenerTOSHIBA
318534CMZB30Diodo ZenerTOSHIBA
318535CMZB300Diodo ZenerTOSHIBA
318536CMZB33Diodo ZenerTOSHIBA
318537CMZB330Diodo ZenerTOSHIBA
318538CMZB36Diodo ZenerTOSHIBA
318539CMZB39Diodo ZenerTOSHIBA



318540CMZB390Diodo ZenerTOSHIBA
318541CMZB43Diodo ZenerTOSHIBA
318542CMZB47Diodo ZenerTOSHIBA
318543CMZB51Diodo ZenerTOSHIBA
318544CMZB53Diodo ZenerTOSHIBA
318545CMZB68Diodo ZenerTOSHIBA
318546CMZB75Diodo ZenerTOSHIBA
318547CMZB82Diodo ZenerTOSHIBA
318548CN100TRANSISTOR DO SILICONE PLANA DE PNPContinental Device India Limited
318549CN101660.000W Uso Geral NPN metal pode Transistor. 150V VCEO, 10.000A Ic, 2000-20000 hFE.Continental Device India Limited
318550CN1070.300W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 50V, 0.100A Ic, 90 - hFEContinental Device India Limited
318551CN18DIODOS DE RETIFICADOR DA PILHAEIC discrete Semiconductors
318552CN18ADIODOS DE RETIFICADOR DA PILHAEIC discrete Semiconductors
318553CN18BDIODOS DE RETIFICADOR DA PILHAEIC discrete Semiconductors
318554CN18DDIODOS DE RETIFICADOR DA PILHAEIC discrete Semiconductors
318555CN18GDIODOS DE RETIFICADOR DA PILHAEIC discrete Semiconductors
318556CN18JDIODOS DE RETIFICADOR DA PILHAEIC discrete Semiconductors
318557CN18KDIODOS DE RETIFICADOR DA PILHAEIC discrete Semiconductors
318558CN18MDIODOS DE RETIFICADOR DA PILHAEIC discrete Semiconductors
318559CN19332.000W de potência NPN Medium Plastic Leaded Transistor. VCEO 80V, 4.000A Ic, 1000-10000 hFE.Continental Device India Limited
318560CN2220S14BAUTOGVaristor multilayer de SMD com terminação de AgPdEPCOS
Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 7959 | 7960 | 7961 | 7962 | 7963 | 7964 | 7965 | 7966 | 7967 | 7968 | 7969 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com